ICS31200

L55.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T28274—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

版圖設(shè)計(jì)基本規(guī)則

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Thebasicregulationoflayoutdesign

2012-05-11發(fā)布2012-12-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T28274—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所中國(guó)科學(xué)院上

:、、、

海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所西北工業(yè)大學(xué)

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張大成王瑋劉偉楊芳姜森林崔波熊斌喬大勇

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T28274—2012

硅基MEMS制造技術(shù)

版圖設(shè)計(jì)基本規(guī)則

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了微結(jié)構(gòu)加工時(shí)光刻版圖設(shè)計(jì)中圖形設(shè)計(jì)應(yīng)遵循的基本規(guī)則

,。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用接觸式單雙面光刻氧化擴(kuò)散化學(xué)氣相淀積物理氣相淀積離

/、、(CVD)、(PVD)、

子注入反應(yīng)離子刻蝕氫氧化鉀腐蝕硅玻璃對(duì)準(zhǔn)靜電結(jié)合砂輪劃片等基本工藝方法

、(RIE)、(KOH)、-、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語(yǔ)

GB/T26111—2010(MEMS)

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T26111—2010。

31

.

雙面光刻doublesidemaskalign

在基片的一面面制備與該基片另一面面已有光刻圖形或痕跡的有一定對(duì)準(zhǔn)關(guān)系的圖形

(A),(B)

的過(guò)程

。

32

.

亮版lightmask

大面積透光的光刻版

。

33

.

暗版darkmask

大面積不透光的光刻版

。

34

.

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記alignmark

用于對(duì)準(zhǔn)不同工序形成的圖形的標(biāo)記

。

4光刻對(duì)準(zhǔn)和鍵合對(duì)準(zhǔn)方法

41單面光刻對(duì)準(zhǔn)方法

.

通過(guò)使用光刻機(jī)等工具使光刻版上圖形與基片上對(duì)應(yīng)的圖形對(duì)準(zhǔn)其工作過(guò)程如圖所示

,1。

單面光刻對(duì)準(zhǔn)是在有圖形基片表面涂敷光刻膠使用光刻設(shè)備將光刻版圖形與基片上已有圖形對(duì)

,

準(zhǔn)后再通過(guò)曝光和顯影將基片上光刻膠處理成與光刻版圖形一致且