開關電源元器件的選用(xuǎnyòng)1.開關晶體管開關電源中的功率開關晶體管是影響電源可靠性的關鍵元件。開關電源所出現(xiàn)的故障中約60%是功率開關晶體管損壞引起的。主電路中用作開關的功率管有雙極型晶體管和MOSFET兩種。1.1功率開關MOSFETMOSFET分P溝道耗盡型、P溝道增強型、N溝道耗盡型和N溝道增強型4種類型。增強型MOSFET具有(jùyǒu)應用方便的“常閉”特性（即驅動信號為零時，輸出電流等于零）。在開關電源中，用作開關功率管的MOSFET幾乎全都是N溝道增強型器件。精品資料MOSFET的主要特點：

MOSFET是一種依靠多數(shù)載流子工作的典型場控制器件。它適應于100~200MHz的高頻場合。

MOSFET具有負的電流溫度系數(shù)，可以避免熱不穩(wěn)定性和二次擊穿，適合在大功率(gōnglǜ)和大電流條件下應用。

在驅動模式上，屬于電壓控制型器件，驅動電路設計比較簡單，驅動功率(gōnglǜ)很小。

MOSFET中大多數(shù)集成有阻尼二極管，而雙極型功率(gōnglǜ)晶體管中大多沒有內裝阻尼二極管。

MOSFET對系統(tǒng)的可靠性與安全性的影響并不象雙極型功率(gōnglǜ)晶體管那樣重要。

精品資料MOSFET的主要缺點：

導通電阻(RDS(on))較大，而且(érqiě)具有正溫度系數(shù)，用在大電流開關狀態(tài)時，導通損耗較大，開啟門限電壓VGS(th)較高（一般為2~4V），要求驅動變壓器繞組的匝數(shù)比采用雙極型晶體管多1倍以上。精品資料MOSFET的驅動(qūdònɡ)電路

圖中，Ns為脈沖變壓器次級驅動繞組，R是MOSFET的珊極限流電阻。齊納二極管DW1、DW2反向串接在一起(yīqǐ)，防止驅動電壓過高而使VT擊穿。R的阻值一般為60~200Ω。精品資料1.2絕緣珊雙極型晶體管

絕緣珊雙極型晶體管(IGBT)是一種大電流密度、高電壓激勵的場控制器件，是高壓、高速新型(xīnxíng)大功率器件。它的耐壓能力為600~1800V，電流容量為100~400A，關斷時間低至0.2μs，在開關電源中作功率開關用，具有MOSFET與之補課比擬的優(yōu)點。

精品資料IGBT的主要特點：

(1)電流密度大，是MOSFET的10倍以上。

(2)輸入阻抗高，柵極驅動功率小，驅動電路簡單。

(3)低導通電阻，IGBT的導通電阻只有MOSFET的10%。

(4)擊穿電壓高，安全(ānquán)工作區(qū)大，在受到較大瞬態(tài)功率沖擊時不會損壞。

(5)開關速度快，關斷時間短。耐壓為1kV的IGBT的關斷時間為1.2μs，600V級的產品的關斷時間僅為0.2μs。精品資料精品資料常見開關功率管加速(jiāsù)電路為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，對晶體管基極驅動電路的設計常采用一些(yīxiē)加速電路：精品資料晶體管的開關時間與它的損耗(sǔnhào)晶體管的開關作用與晶體管的放大作用是不同的。放大只是對電流或電壓的作用，在共發(fā)電路中輸出波形與輸入波形之間有180°的相位差；而對于晶體管的開關作用，雖然輸出與輸入波形之間有180°的相位差，但它的波形不是一個正弦波或三角波，而是一個拖延了的矩形波。為表述它的波形特征，引入4個時間參數(shù)(cānshù)：延遲時間td上升時間tr儲存時間ts下降時間tf精品資料精品資料晶體管開關(kāiguān)波形精品資料根據實際，晶體管有兩個時間參數(shù)，即開啟時間和關斷時間。

開啟時間為：ton=td+tr

關斷時間為：toff=ts+tf

晶體管作開關應用時，在每一個周期內，晶體管工作(gōngzuò)在3個不同區(qū)域，即放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)。

晶體管的功率損耗也由3部分構成：通態(tài)損耗、斷態(tài)損耗和開關損耗。精品資料軟磁鐵氧體磁芯軟磁鐵氧體材料常用在高頻變壓器、電感整流器、脈沖變壓器等電路中，在開關電源中是一種非常重要(zhòngyào)的元件。軟磁鐵氧體材料主要有：錳鋅軟磁鐵氧體、鎳鋅軟磁鐵氧體。特點：在高頻下具有高磁導率、高電阻率、低損耗。新型磁性材料：超微晶合金、鈷基非晶態(tài)、坡莫合金等精品資料磁性材料的基本(jīběn)特性磁場強度（H）與磁感應強度（B）居里溫度Tc初始(chūshǐ)磁導率μi剩余磁感應強度Br矯頑力Hc精品資料磁芯的結構(jiégòu)與選用鐵氧體磁芯的結構形狀：POT是罐形磁芯，PM是R形磁芯，EC磁芯是在開關電源上常用(chánɡyònɡ)的一種磁芯，EE磁芯是一種常用(chánɡyònɡ)磁芯。精品資料精品資料精品資料光電耦合器光電耦合器（OpticalCoupler,OC）也叫光電隔離器（OpticalIsolation,OI），簡稱(jiǎnchēng)光耦。精品資料二極管

從結構上來分，有點(yǒudiǎn)接觸型和面接觸型二極管。

按功能來分，有快速恢復及超快速恢復二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管及開關二極管等。

開關二極管在開關電源的過壓保護、反饋控制系統(tǒng)經常用到。主要是硅二極管，如1N4148、1N4448等。

穩(wěn)壓二極管又叫齊納二極管（ZenerDiod）

快速恢復二極管（FastRecoveryDiod）和超快速恢復二極管（SuperfastRecoveryDiod，SRD）這兩種二極管具有開關特性好