ICS31030

L90.

中華人民共和國國家標準

GB/T29844—2013

用于先進集成電路光刻工藝綜合

評估的圖形規(guī)范

Specificationsformetrologypatternsforthe

evaluationofadvancedphotolithgraphy

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

用于先進集成電路光刻工藝綜合

評估的圖形規(guī)范

GB/T29844—2013

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

/p>

年月第一版

20141

*

書號

:155066·1-47943

版權專有侵權必究

GB/T29844—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位上海華虹電子有限公司

:NEC。

本標準主要起草人王雷伍強朱駿陳寶欽

:、、、。

Ⅰ

GB/T29844—2013

用于先進集成電路光刻工藝綜合

評估的圖形規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了用于先進集成電路光刻工藝綜合評估的標準測試圖形單元的形狀一般尺寸以及推

、,

薦的布局和設計規(guī)則這些標準測試圖形包括可供光學顯微鏡和掃描電子顯微鏡用的各種圖形單元

,。

本標準適用集成電路的工藝常規(guī)掩模版光致抗蝕劑和光刻機的特征和能力作出評價及交替移相

、、

掩模版相位測量適用于線線等波長的光刻設備及相應的光刻工藝

,g、i、KrF、ArF。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

用于集成電路制造技術的檢測圖形單元規(guī)范

GB/T16878—1997

微電子學光掩蔽技術術語

SJ/T10584—1994

3術語和定義

和界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T16878—1997SJ/T10584—1994。

31

.

掩模版誤差因子maskerrorfactorMEF

;

把掩模版上的圖形轉移到硅片上時硅片上圖形線寬對掩模版線寬的偏導數(shù)

,。

注影響掩模版誤差因子的因素有曝光條件光刻膠性能光刻機透鏡像差后烘溫度等對遠大于曝光波長的圖

:、、、。

形掩模版誤差因子通常非常接近對接近或者小于波長的圖形掩模版誤差因子會顯著增加而使用交替

,1。,。

相移掩模版的線條光刻可以產生顯著小于的掩模板誤差因子在光學鄰近效應校正中細小補償結構附近會

1。

顯著小于

1。

32

.

移相掩模版phaseshiftmask

在光刻掩模的不同區(qū)域上制作出特定的光學厚度使得光透過不同區(qū)域產生相位差以達到提高成

,,

像對比度和光刻工藝窗口的掩模版

。

33

.

離軸照明off-axisillumination

為進一步提高投影光刻機的光刻分辨率讓照明光束以偏離透鏡對稱軸方向斜入射的照明方法

,。

34

.

光酸分子有效擴散長度effectivediffusionlengthofphoto-generatedacid

化學放大光致抗蝕劑在曝光后的烘烤過程中光酸分子在光致抗蝕劑聚合物中的隨機擴散形成的擴

散長度

。

35

.

交替移相掩模版alternatingphaseshiftingmask

由常規(guī)的透光區(qū)和能使光產生