標準解讀

《GB/T 30854-2014 LED發(fā)光用氮化鎵基外延片》是一項國家標準，主要針對用于制造LED發(fā)光器件的氮化鎵基外延片的技術要求、測試方法以及質量控制等方面進行了規(guī)定。該標準適用于以藍寶石、硅、碳化硅等作為襯底材料生長的氮化鎵基外延片。

根據文檔內容，首先定義了術語和定義部分，明確了如“外延層”、“緩沖層”等專業(yè)術語的確切含義，為后續(xù)章節(jié)的理解奠定了基礎。接著，在技術要求章節(jié)中詳細列出了關于外延片的關鍵參數指標，包括但不限于厚度均勻性、表面粗糙度、晶體缺陷密度（比如位錯密度）等物理特性；同時對于光學性能也有具體要求，例如光致發(fā)光譜線寬度、主波長位置等。這些指標直接關系到最終制成的LED產品的光電轉換效率及可靠性。

在檢驗規(guī)則方面，《GB/T 30854-2014》規(guī)定了抽樣方案、合格判定條件等內容，并且給出了詳細的測試方法說明，涵蓋了從樣品準備到結果分析整個過程的操作指南。此外，還特別強調了包裝、標志與貯存方面的注意事項，確保產品在運輸及儲存過程中能夠保持良好的狀態(tài)。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-04-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標準

GB/T30854—2014

LED發(fā)光用氮化鎵基外延片

GalliumnitridebasedepitaxiallayerforLEDlighting

2014-07-24發(fā)布2015-04-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T30854—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會及材料分技術委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標準起草單位中國科學院半導體研究所

:。

本標準主要起草人魏學成趙麗霞王軍喜曾一平李晉閩提劉旺

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T30854—2014

LED發(fā)光用氮化鎵基外延片

1范圍

本標準規(guī)定了發(fā)光用氮化鎵基外延片以下簡稱外延片的要求檢驗方法和規(guī)則以及標志

LED()、、

包裝運輸儲存質量證明書與訂貨單或合同內容

、、、()。

本標準適用于發(fā)光用氮化鎵基外延片

LED。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲運圖示標志

GB/T191

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法

GB/T4326

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片直徑測量方法

GB/T14140

硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

GB/T14142

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

半導體二極管芯片測試方法

SJ/T11399

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41分類

.

外延片包括全結構外延片和按導電類型分為型和型兩種類型的單層氮化鎵外延片外延

LEDnp(

厚度超過通常稱為氮化鎵單晶

100μm)。

42牌號

.

外延片牌號表示按照的規(guī)定

GB/T14844。

43規(guī)格

.

外延片直徑主要分為ΦΦΦΦ種規(guī)格或由供需雙方商定

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