標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 32814-2016 硅基MEMS制造技術(shù) 基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為基于絕緣體上硅（Silicon-On-Insulator, SOI）材料的微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）器件的設(shè)計(jì)與制造提供指導(dǎo)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用SOI晶圓作為基底材料時(shí)，在MEMS加工過程中應(yīng)遵循的技術(shù)要求、操作步驟及質(zhì)量控制方法。

標(biāo)準(zhǔn)首先明確了適用范圍，指出其適用于以SOI硅片為襯底材料進(jìn)行MEMS結(jié)構(gòu)制備的各種應(yīng)用場景。接著定義了一些關(guān)鍵術(shù)語和縮略語，幫助讀者理解后續(xù)內(nèi)容中出現(xiàn)的專業(yè)詞匯。在材料方面，對用于MEMS制造的SOI硅片提出了具體的質(zhì)量要求，包括但不限于厚度均勻性、表面平整度以及缺陷密度等參數(shù)指標(biāo)。

關(guān)于工藝流程，《GB/T 32814-2016》提供了從設(shè)計(jì)到最終測試整個(gè)生產(chǎn)鏈路中的重要環(huán)節(jié)說明。這其中包括但不限于圖案轉(zhuǎn)移（如光刻）、刻蝕技術(shù)（濕法或干法）、薄膜沉積、鍵合以及釋放等核心工序的操作指南。對于每一步驟，標(biāo)準(zhǔn)都給出了推薦的方法和技術(shù)參數(shù)，并強(qiáng)調(diào)了在整個(gè)過程中保持高精度與一致性的必要性。

此外，還特別關(guān)注了安全環(huán)保問題，提醒相關(guān)企業(yè)在實(shí)施上述工藝時(shí)應(yīng)注意遵守國家有關(guān)化學(xué)品管理、廢物處理等方面的法律法規(guī)。同時(shí)，也提到了產(chǎn)品檢驗(yàn)規(guī)則，建議采用適當(dāng)?shù)姆椒▽Τ善愤M(jìn)行性能評估，確保符合既定規(guī)格要求。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2016-08-29 頒布
  • 2017-03-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32814—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

SpecificationforcriterionoftheSOIwaferbasedMEMSprocess

2016-08-29發(fā)布2017-03-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32814—2016

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

工藝流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片清洗

4.2……………2

掩膜制備

4.3……………2

干法刻蝕

4.4……………4

結(jié)構(gòu)釋放

4.5……………5

硅片去掩膜

4.6…………………………7

工藝加工能力

5……………7

工藝能力要求

5.1………………………7

工藝穩(wěn)定性要求

5.2……………………8

工藝保障條件要求

6………………………8

人員要求

6.1……………8

環(huán)境要求

6.2……………8

設(shè)備要求

6.3……………8

原材料及輔助材料要求

7…………………9

安全與環(huán)境操作要求

8……………………9

安全

8.1…………………9

化學(xué)試劑

8.2……………10

排放

8.3…………………10

檢驗(yàn)

9………………………10

總則

9.1…………………10

關(guān)鍵工藝檢驗(yàn)

9.2………………………10

最終檢驗(yàn)

9.3……………11

GB/T32814—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位西北工業(yè)大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人苑偉政謝建兵李海斌喬大勇馬志波常洪龍劉偉

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32814—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用硅片進(jìn)行器件加工時(shí)應(yīng)遵循的工藝要求和質(zhì)量檢驗(yàn)要求

SOIMEMS。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅基制造技術(shù)中基于硅片的器件的加工和質(zhì)量檢驗(yàn)

MEMSSOIMEMS。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111(MEMS)

潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111。

31

.

絕緣體上硅silicon-on-insulatorSOI

;

在兩層硅中間引入一層氧化層形成一種硅二氧化硅硅的三明治結(jié)構(gòu)的技術(shù)其中頂層硅稱

,“--”。

為器件層底層硅稱為襯底層二氧化硅層稱為埋層

(devicelayer),(handlelayer),(buriedlayer)。

注目前制備硅片的技術(shù)包括注氧隔離技術(shù)硅片鍵合和背面減薄

:SOI(separationbyimplantedoxygen,SIMOX)、

技術(shù)和將鍵合與注入相結(jié)合的智能剝離技術(shù)

(bondingSOI,BSOI)(smartcut)。

32

.

釋放releasing

使結(jié)構(gòu)中的可動(dòng)部分與其余部分分離使其可動(dòng)的過程

MEMS,。

33

.

深反應(yīng)離子刻蝕deepreactivelonetchingDRIE

;

一種具有高深寬比的反應(yīng)離子刻蝕方法通常采用感應(yīng)耦合等離子體

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