ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35316—2017

藍(lán)寶石晶體缺陷圖譜

Collectionofmetallographsondefectsofsapphirecrystal

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T35316—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所上海大恒光學(xué)精密機(jī)械有限公司中

:、、

國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所新疆紫晶光電技術(shù)有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院江蘇浩瀚藍(lán)寶

、、、

石科技有限公司蘇州恒嘉晶體材料有限公司江蘇吉星新材料有限公司東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限

、、、

公司天津三安光電有限公司江西東海藍(lán)玉光電科技有限公司丹東新東方晶體儀器有限公司

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人徐民杭寅潘世烈張方方趙興儉韋建賀東江吳成榮蔡金榮徐永亮

:、、、、、、、、、、

丁曉民王篤祥李國平趙松彬楊素心

、、、、。

Ⅰ

GB/T35316—2017

藍(lán)寶石晶體缺陷圖譜

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了藍(lán)寶石晶體缺陷的術(shù)語和定義形貌特征及產(chǎn)生原因

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于藍(lán)寶石單晶材料制備中各種缺陷的檢驗(yàn)和分析

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

鍺晶體缺陷圖譜

GB/T8756

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅材料原生缺陷圖譜

GB/T30453

3術(shù)語和定義

和界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T8756、GB/T14264GB/T30453。

4藍(lán)寶石晶體缺陷

41晶錠缺陷

.

411開裂crack

..()

4111形貌特征

...

生長(zhǎng)的藍(lán)寶石晶體有時(shí)外形完整但晶體內(nèi)部或邊壁處可觀測(cè)到數(shù)道裂紋嚴(yán)重時(shí)可見晶體碎裂成

,,

塊其形貌特征示例見圖圖

。1~4。

4112產(chǎn)生原因

...

晶體生長(zhǎng)或退火時(shí)熱場(chǎng)不合理爐內(nèi)溫度變化過快造成晶體內(nèi)部熱應(yīng)力過大而引起開裂晶體粘

,、;

連坩堝形成外部擠壓應(yīng)力導(dǎo)致晶體邊壁處出現(xiàn)微裂紋無籽晶生長(zhǎng)或原料雜質(zhì)過多時(shí)極易產(chǎn)生局部

,;,

多晶導(dǎo)致晶體開裂

,。

412失透opaque

..()

4121形貌特征

...

生長(zhǎng)的藍(lán)寶石晶體半透明或不透明