ICS31220

L95.

中華人民共和國國家標準

GB/T36646—2018

制備氮化物半導體材料用

氫化物氣相外延設(shè)備

Equipmentforpreparationofnitridesemiconductormaterialsby

hydridevaporphaseepitaxy

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T36646—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

產(chǎn)品分類和標記

4…………………………2

分類

4.1…………………2

型號標記

4.2……………2

工作條件

5…………………3

電源

5.1…………………3

環(huán)境溫度

5.2……………3

相對濕度

5.3……………3

大氣壓力

5.4……………3

潔凈室等級

5.5…………………………4

冷卻水

5.6………………4

動力氣體

5.7……………4

要求

6………………………4

壓升率

6.1………………4

氣體輸運系統(tǒng)

6.2………………………4

電氣系統(tǒng)

6.3……………4

控制軟件

6.4……………4

整機性能

6.5……………5

安全防護

6.6……………5

檢測方法

7…………………6

壓升率測試

7.1…………………………6

氣體輸運系統(tǒng)檢測

7.2…………………6

電氣系統(tǒng)檢測

7.3………………………6

控制軟件檢測

7.4………………………7

整機性能檢測

7.5………………………7

安全防護檢測

7.6………………………9

檢驗規(guī)則

8…………………9

檢驗分類

8.1……………9

型式檢驗

8.2……………9

出廠檢驗

8.3……………10

Ⅰ

GB/T36646—2018

判定規(guī)則

8.4……………10

標志包裝運輸和儲存

9、、…………………10

標志

9.1…………………10

包裝

9.2…………………11

運輸

9.3…………………11

儲存

9.4…………………11

附錄規(guī)范性附錄氮化物外延材料厚度測量

A()………12

Ⅱ

GB/T36646—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位東莞市中鎵半導體科技有限公司中國電子技術(shù)標準化研究院

:、。

本標準主要起草人劉鵬孫永健丁曉民馮亞彬王健輝

:、、、、。

Ⅲ

GB/T36646—2018

制備氮化物半導體材料用

氫化物氣相外延設(shè)備

1范圍

本標準規(guī)定了制備氮化物半導體材料用氫化物氣相外延設(shè)備以下簡稱設(shè)備的產(chǎn)品分

(“HVPE”)

類和標記工作條件要求檢測方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸和儲存

、、、、、、、。

本標準適用于制備直徑氮化物半導體材料的設(shè)備

50.8mm~152.4mmHVPE。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲運圖示標志

GB/T191—2008

聲學聲壓法測定噪聲源聲功率級和聲能量級采用反射面上方包絡測量面

GB/T3768—2017

的簡易法

設(shè)備可靠性試驗恒定失效率假設(shè)下的失效率與平均無故障時間的驗證試

GB/T5080.7—1986

驗方案

機械電氣安全機械電氣設(shè)備第部分通用技術(shù)條件

GB5226.1—20081:

運輸包裝收發(fā)貨標志

GB/T6388—1986

半導體材料術(shù)語

GB/T14264—2009

潔凈廠房設(shè)計規(guī)范

GB50073—2013

工業(yè)企業(yè)噪聲控制設(shè)計規(guī)范

GB/T50087—2013

特種