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硅檢制絨應知應會

CIB-B郝宗海硅檢目的檢測不良不良分類電阻率少子壽命厚度TTV尺寸PN型崩邊崩點油污線痕臺達硅檢機全貌①②③④⑤⑥ⅠⅢⅡⅣ臺達分選主控機界面檢測模組介紹圖一圖三圖二圖一為APV（左）和LPV（右）模組主要檢測尺寸、缺角和油污、崩點圖二為SM模組主要檢測線痕，圖三為UC模組主要檢測隱裂及雜質(zhì)。Semilab模組硅檢流程拆盒上料下料填寫流程單退庫手插片硅檢注意事項線痕如圖2，機械手抓料后，硅片在行走臂上的線痕方向與行走臂垂直。圖2如圖3、4，硅片插入小花籃時線痕方向是平行的（小花籃豎直放置）。圖3圖4小花籃硅檢操作注意事項取原材料硅片盒時，雙手最多抱兩盒。

取、放承片盒時，注意雙手抱對角線位置、輕拿輕放。陷光原理：當光入射到一定角度的斜面，光會反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，從而增加吸收率。制絨原理利用低濃度堿溶液對晶體硅在不同晶體取向上具有不同腐蝕速率的各向異性腐蝕特性，在硅片表面腐蝕形成角錐體密布的表面形貌，就稱為表面織構化。角錐體四面全是由〈111〉面包圍形成。反應式為：

Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑制絨原理(100)(110)(111)制絨原理制絨原理顯微鏡下圖像放大后圖像金字塔實貌NaOH溶液濃度反應溫度制絨的根本IPA濃度NaSiO3濃度提高溶液濃稠度，控制反應速度硅片表面原始狀態(tài)氫氣泡密度及大小以及在硅片表面停留的時間決定金字塔形貌

攪拌提高反應物疏運速度，提高氫氣泡脫附作用

氫氣泡作用各個因素的作用制絨工藝流程1槽清洗2槽漂洗3槽粗拋4槽漂洗5.6.8.9.10制絨槽7.11槽漂洗12槽酸堿過渡13槽酸洗14槽漂洗15槽酸洗16槽漂洗17槽慢提拉制絨機慢提拉制絨作業(yè)注意事項制絨操作注意事項配制溶液時，嚴禁容器在半空中倒液。加酸時，防護用具穿戴齊

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