UDC669.782:543.06:621.315.592中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB4298-84半導(dǎo)體硅材料中雜質(zhì)元素的活化分析方法Theactivationanalysismethodforthedeterminationoflimpuritiesinsemiconductorelementalrsiliconmaterials1984-03-28發(fā)布1985-03-01實(shí)施家標(biāo)佳局批準(zhǔn)

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體硅材料中雜質(zhì)元素的活化分析方法GB4298-84中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471984年10月第一版20106年7月電子版制作書號：15169·1-2627版權(quán)專有浸權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)UDC669.782半導(dǎo)體硅材料中雜質(zhì)元素的：543.06:621.315.592活化分析方法GB4298-84Theactivationanalysismethodforthedeterminationofelementalimpuritiesinsemiconductorsiliconmaterials本標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅、多晶硅中金屬雜質(zhì)元素和非金屬雜質(zhì)元素含量的測定。本標(biāo)準(zhǔn)包括雜質(zhì)元素（十六個(gè)）的反應(yīng)堆中子活化儀器分析方法、銅和砷的反應(yīng)堆中子活化放射化分離分析方法、磷的反應(yīng)堆中子活化放射化分離分析方法、氧的粒子活化儀器分析方法和碳的爾子活化儀器分析方法。第一篇雜質(zhì)元素（十六個(gè)）的反應(yīng)堆中子活化儀器分析方法適用范圍本篇方法適用于單晶硅、多晶硅中十六個(gè)雜質(zhì)元素的測定。測定范圍：航量大于1×10ppmi鎳量大于2×10-ppm，鐵量大于1×10-2ppm，鈷量大于2×10-ppm，銅量大于5×10-5ppmi鋅量大于5×10"ppm，家量大于9×10°ppm，砷址大于6×10-ppm；銀量大于6×10-ppmi第量大于2×10-ppm，鋼量大于1×10ppm；銷量大于3×10-ppm，擔(dān)世大于3×10ppm;鴿量大于7×10ppm；金量大于6×10ppm；鉻量大于1×10“ppm。原理硅材料經(jīng)反應(yīng)堆中子輻照后，硅基體和待測元素「鎮(zhèn)除外，鎳經(jīng)（"，p）反應(yīng)】均經(jīng)（"，？）反應(yīng)生成放射性核素（見表1）。冷卻適當(dāng)時(shí)間，待“Si衰變后（"Si的半衰期為2.62h)，用y譜儀測量各生成核的特征》射線的強(qiáng)度，進(jìn)行各元素的定量分析。在測定銅量時(shí)，要扣除“Na和天然本底在511keV峰中的貢獻(xiàn)?！け具m用范圍由正文中所給下限實(shí)驗(yàn)條件（取樣最、輻照和測