犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜６６１８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉狋犺犻犮犽狀犲狊狊犪狀犱狋狅狋犪犾狋犺犻犮犽狀犲狊狊狏犪狉犻犪狋犻狅狀狅犳狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜６６１８—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５《硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５相比，主要有如下變化：

———將適用范圍擴(kuò)展到外延片；

———增加了第４章干擾因素；

———增加了１５０ｍｍ和２００ｍｍ兩種規(guī)格的基準(zhǔn)環(huán)的尺寸；

———增加了７．２儀器校正的內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：北京有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：盧立延、孫燕、杜娟。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ６６１８—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６１８—２００９

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片和外延片（簡(jiǎn)稱硅片）厚度和總厚度變化的分立式和掃

描式測(cè)量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于符合ＧＢ／Ｔ１２９６４、ＧＢ／Ｔ１２９６５、ＧＢ／Ｔ１４１３９規(guī)定的尺寸的硅片的厚度和總厚度變

化的測(cè)量。在測(cè)試儀器允許的情況下，本標(biāo)準(zhǔn)也可用于其他規(guī)格硅片的厚度和總厚度變化的測(cè)量。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ１２９６４硅單晶拋光片

ＧＢ／Ｔ１２９６５硅單晶切割片和研磨片

ＧＢ／Ｔ１４１３９硅外延片

３方法概述

３．１分立點(diǎn)式測(cè)量

在硅片中心點(diǎn)和距硅片邊緣６ｍｍ圓周上的４個(gè)對(duì)稱位置點(diǎn)測(cè)量硅片厚度。其中兩點(diǎn)位于與硅片

主參考面垂直平分線逆時(shí)針方向的夾角為３０°的直徑上，另外兩點(diǎn)位于與該直徑相垂直的另一直徑上