中華人民共和國國家計(jì)量技術(shù)規(guī)范

JJF1895—2021

半導(dǎo)體器件直流和低頻參數(shù)

測試設(shè)備校準(zhǔn)規(guī)范

CalibrationSpecificationforSemiconductorDevicesDCandLow

FrequencyParametersTestEquipments

2021-02-23發(fā)布2021-08-23實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

JJF1895—2021

半導(dǎo)體器件直流和低頻參數(shù)

??

測試設(shè)備校準(zhǔn)規(guī)范???????????????

?JJF1895—2021?

??

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CalibrationSpecificationforSemiconductor?代替?

?JJG725—1991?

DevicesDCandLowFrequencyParameters

TestEquipments

歸口單位全國無線電計(jì)量技術(shù)委員會

:

主要起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:

參加起草單位中國計(jì)量科學(xué)研究院

:

北京市科通電子繼電器總廠有限公司

中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

北京勵芯泰思特測試技術(shù)有限公司

本規(guī)范委托全國無線電計(jì)量技術(shù)委員會負(fù)責(zé)解釋

JJF1895—2021

本規(guī)范主要起草人

:

劉沖中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

()

李潔中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

()

張珊中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

()

參加起草人

:

高英中國計(jì)量科學(xué)研究院

()

李奇北京市科通電子繼電器總廠有限公司

()

喬玉娥中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

()

李力軍北京勵芯泰思特測試技術(shù)有限公司

()

JJF1895—2021

目錄

引言

………………………(Ⅱ)

范圍

1……………………(1)

概述

2……………………(1)

計(jì)量特性

3………………(1)

直流電阻

3.1……………(1)

電壓輸出

3.2……………(1)

電壓指示

3.3……………(1)

電流輸出

3.4……………(1)

電流指示

3.5……………(1)

低頻信號源

3.6…………(1)

低頻h參數(shù)

3.7………………………(1)

校準(zhǔn)條件

4………………(2)

環(huán)境條件

4.1……………(2)

校準(zhǔn)用設(shè)備

4.2…………(2)

校準(zhǔn)項(xiàng)目和校準(zhǔn)方法

5…………………(3)

校準(zhǔn)項(xiàng)目

5.1……………(3)

外觀和工作正常性檢查

5.2……………(3)

直流電阻

5.3……………(3)

電壓輸出

5.4……………(4)

電壓指示

5.5……………(6)

電流輸出

5.6……………(7)

電流指示

5.7……………(9)

低頻信號源

5.8…………(10)

低頻h參數(shù)

5.9………………………(11)

校準(zhǔn)結(jié)果表達(dá)

6…………(12)

復(fù)校時間間隔

7…………(12)

附錄原始記錄格式

A…………………(13)

附錄校準(zhǔn)證書內(nèi)頁格式

B……………(18)

附錄主要項(xiàng)目校準(zhǔn)不確定度評定示例

C……………(23)

附錄被校設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖面板及測試夾具端子說明示例

D、………(29)

Ⅰ

JJF1895—2021

引言

本規(guī)范依據(jù)國家計(jì)量校準(zhǔn)規(guī)范編寫規(guī)則和

JJF1071—2010《》JJF1059.1—2012

測量不確定度評定與表示編寫

《》。

本規(guī)范是在晶體管直流和低頻參數(shù)測試儀基礎(chǔ)上進(jìn)行修訂與

JJG725—1991《》。

相比除編輯性修改以外主要技術(shù)變化如下

JJG725—1991,,:

修訂了電流輸出電流指示等校準(zhǔn)項(xiàng)目

———、;

增加了主要項(xiàng)目校準(zhǔn)結(jié)果不確定度評定的示例見附錄

———(C)。

本規(guī)范歷次版本發(fā)布情況

:

———JJG725—1991。

Ⅱ

JJF1895—2021

半導(dǎo)體器件直流和低頻參數(shù)

測試設(shè)備校準(zhǔn)規(guī)范

1范圍

本規(guī)范適用于半導(dǎo)體器件直流和低頻參數(shù)測試設(shè)備的校準(zhǔn)

。

2概述

半導(dǎo)體器件直流和低頻參數(shù)測試設(shè)備以下簡稱被校設(shè)備由偏置電壓源偏置電

()、

流源電壓測量單元電流測量單元低頻信號源等組成主要用于各類半導(dǎo)體器件直

、、、,

流參數(shù)低頻參數(shù)的測試

、。

3計(jì)量特性

直流電阻

3.1

范圍最大允許誤差

:0.005Ω~20GΩ,:±(0.1%~1%)。

電壓輸出

3.2

直流電壓最大允許誤差

a):±(0.01V~10kV),:±(0.1%~3%);

交流電壓最大允許誤差頻率

b):±(0.1V~5000V),:±(1%~5%),:

50Hz。

電壓指示

3.3

直流電壓最大允許誤差

a):±(0.01V~10kV),:±(0.1%~3%);

交流電壓最大允許誤差頻率

b):±(0.1V~5000V),:±(1%~5%),:

50Hz。

電流輸出

3.4

直流電流最大允許誤差

a):±(1nA~10A),:±(0.1%~1%);

脈沖電流最大允許誤差單脈沖

b):±(1A~1200A),:±(0.5%~3%),