按電阻率不同，物質分為導體、半導體和絕緣體1、半導體特性（1）熱敏性（3）摻雜特性（2）光敏性2、為什么有三種特性？特殊的導電結構常見半導體材料：Si、Ge等元素半導體，應用廣GaAs等化合物半導體硅單質

硅芯片

3.1.1半導體材料導電性介于導體與絕緣體之間的物質稱為半導體。本征半導體是純凈的晶體結構的半導體。問題：什么是半導體？什么是本征半導體？半導體有哪些“特性”？為什么？導體－－鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電子在外電場作用下很容易產生定向移動，形成電流。絕緣體－－惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強，只有在外電場強到一定程度時才可能導電。半導體－－硅（Si）、鍺（Ge），均為四價元素，它們原子的最外層電子受原子核的束縛力介于導體與絕緣體之間。3.1.2半導體共價鍵結構簡化模型最外層上的電子，決定了物質的化學特性和導電性；Si硅原子Ge鍺原子1、Si、Ge的原子結構

價電子：慣性核3.1.2半導體共價鍵結構本征半導體：結構完整，完全純凈的半導體載流子：能自由運動的帶電粒子本征半導體自由電子加熱或光照空穴1、載流子的產生

空穴：共價鍵中的空位3.1.3本征半導體3.1.3本征半導體及其導電作用2、本征半導體特點（1）T升高n升p升（2）n=p3、載流子的運動無電場：無規(guī)則運動有電場：載流子定向運動3.1.3本征半導體本征半導體的結構由于熱運動，具有足夠能量的價電子掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子自由電子的產生使共價鍵中留有一個空位置，稱為空穴

自由電子與空穴相碰同時消失，稱為復合。共價鍵一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運動加劇，掙脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。3.1.3本征半導體1.N型半導體多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質原子提供；空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價雜質原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價雜質原子也稱為施主雜質。多余電子硅原子SiPSiSi五價雜質原子只有四個價電子能與周圍四個半導體原子中的價電子形成共價鍵硅(鍺)+磷N型半導體3.1.4雜質半導體1.N型半導體磷（P）

雜質半導體主要靠多數(shù)載流子導電。摻入雜質越多，多子濃度越高，導電性越強，實現(xiàn)導電性可控。多數(shù)載流子空穴比未加雜質時的數(shù)目多了？少了？為什么？3.1.4雜質半導體2.P型半導體在P型半導體中空穴是多數(shù)載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成?？昭ê苋菀追@電子，使雜質原子成為負離子。三價雜質因而也稱為受主雜質。因缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空