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文檔簡介

一、固體的能帶+完全分離的兩個(gè)氫原子能級+兩個(gè)氫原子靠得很近時(shí)的能級分裂六個(gè)氫原子靠得很近時(shí)的能級分裂固態(tài)晶體的能帶每個(gè)能級有個(gè)量子態(tài)每個(gè)能級容納個(gè)電子每個(gè)能帶容納個(gè)電子金屬鈉的各能帶上電子的分布實(shí)驗(yàn)表明:一個(gè)能帶中最高能級與最低能級之間的間隔一般不超過的數(shù)量級。由于原子數(shù)的數(shù)量級為所以一個(gè)能帶中相鄰能級間間隔約為。導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率溫度系數(shù)禁帶價(jià)帶負(fù)較小滿帶正非滿帶負(fù)較大滿帶鍺晶體中的正常鍵二、本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體1、本征半導(dǎo)體：純凈的無雜質(zhì)的半導(dǎo)體導(dǎo)帶禁帶滿帶空穴電子電子被激發(fā)，晶體中出現(xiàn)空穴2雜質(zhì)半導(dǎo)體電子型（簡稱n

型）半導(dǎo)體價(jià)帶導(dǎo)帶施主能級施主能級五價(jià)原子砷摻入四價(jià)硅中，多余的價(jià)電子環(huán)繞離子運(yùn)動(dòng)三、pn結(jié)pnpnpn結(jié)的伏安特性曲線pnp偶電層n----------++++++++++空穴電子動(dòng)平衡時(shí)p

型與n

型接觸區(qū)域的電勢變化四、光生伏特效應(yīng)Pn光

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