標(biāo)準(zhǔn)解讀

《YB 1601-1983 硅多晶》是一項(xiàng)關(guān)于硅多晶材料的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),由當(dāng)時(shí)的冶金工業(yè)部提出并負(fù)責(zé)起草。該標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了用于半導(dǎo)體器件制造的硅多晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等方面的內(nèi)容。

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn),硅多晶按照電阻率的不同被分為多個(gè)等級(jí),每個(gè)等級(jí)對(duì)應(yīng)著特定的應(yīng)用領(lǐng)域。例如,高純度的硅多晶適用于制備高性能的半導(dǎo)體元件,而較低純度的產(chǎn)品則可能被用于太陽能電池板等對(duì)材料純度要求相對(duì)不那么嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)合。

對(duì)于硅多晶的質(zhì)量控制,本標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)列出了包括外觀質(zhì)量(如表面缺陷)、尺寸偏差在內(nèi)的物理性能指標(biāo);同時(shí)也涵蓋了電學(xué)性質(zhì)如電阻率的具體數(shù)值范圍及其測(cè)量方法。此外,還指定了通過拉伸試驗(yàn)來評(píng)估材料力學(xué)性能的要求,并且提供了有關(guān)樣品準(zhǔn)備、測(cè)試條件等方面的指導(dǎo)信息。

在檢測(cè)過程中,除了上述提到的基本物理化學(xué)性質(zhì)外,《YB 1601-1983》還特別強(qiáng)調(diào)了雜質(zhì)元素含量分析的重要性,因?yàn)檫@些微量雜質(zhì)的存在會(huì)直接影響到最終產(chǎn)品的性能表現(xiàn)。因此,標(biāo)準(zhǔn)中給出了使用光譜法或其他適當(dāng)手段進(jìn)行定量測(cè)定的具體操作步驟。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1983-08-18 頒布
  • 1984-10-01 實(shí)施
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YB 1601-1983硅多晶_第1頁
YB 1601-1983硅多晶_第2頁
YB 1601-1983硅多晶_第3頁
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YB中華人民共和國(guó)治金工業(yè)部部標(biāo)準(zhǔn)YB1601-83硅務(wù)1983-08-18發(fā)布1984-10-01實(shí)施中華人民共和國(guó)治金工業(yè)部批準(zhǔn)

中華人民共和國(guó)治金工業(yè)部標(biāo)多YB1601-83中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼:100X45htp://電話:(01051299090、685220061984年11月第一版書號(hào),1151692-5584版權(quán)專有浸權(quán)必究舉報(bào)電話:(010)68522006

中華人民共和國(guó)治金工業(yè)部部標(biāo)準(zhǔn)YB1601-83硅品本標(biāo)準(zhǔn)適用于三氯氫硅、四氯化硅氫還原法和硅燒熱分解法制取的棒狀高純硅多品技術(shù)要求1.1硅多晶技術(shù)參數(shù)指標(biāo)應(yīng)符合下表規(guī)定。一級(jí)特級(jí)品二級(jí)品級(jí)品三級(jí)品二結(jié)晶致密,表面較平整,,斷面無夾層表面及斷面狀態(tài)結(jié)晶致密,裘面較平整,無氧化夾層直徑,m加二25二25二25二25直徑允許偏差,%+5+5士5全5基硼電阻率,R·m二4500二2600二1500二1000N型電阻宰,9·mn二450>150二300二60N型少數(shù)軟流子壽命,s二500二300>150二100含碳量,個(gè)原子/cm°<2×100<5×1010<5×1010含氧量,個(gè)原子/cm°<1×1010<5×10!<5×101注:○基硼電阻率和殯、氧含最為保證值。生產(chǎn)廠應(yīng)經(jīng)常進(jìn)行基硼電阻率的檢測(cè)。每年定期進(jìn)行碳、氧含量的分新。QN型少數(shù)載流子壽命值系指氫氣下檢驗(yàn)工藝測(cè)試的壽命值。“需方如有特珠要求,供需雙方可另行協(xié)議。2試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)購2.1試驗(yàn)方法2.1.1導(dǎo)電類型測(cè)試按GB1550一79*硅單品導(dǎo)電類型測(cè)定方法》進(jìn)行。2.1.2N型少數(shù)載流子壽命測(cè)試按GB1553—7《高頻光電導(dǎo)衰誠(chéng)方法》進(jìn)行,取其縱向中間部位所測(cè)得的壽命值。2.1.3P型、N型電阻率測(cè)試按GB1552-79《硅單晶電阻率直流器探針測(cè)量方法》進(jìn)行。2.1.4含氧量、含碳量的測(cè)試分別按GB1557—83“硅單品中間隙氧含量的紅外吸收方法》及GB1558一83《硅單品中代位碳含量的紅外吸收方法》進(jìn)行。2.1.5裘面狀態(tài)用肉眼檢查。2.1.6斷面狀態(tài)檢驗(yàn)按GB4061一83《硅多品的斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法》進(jìn)行.2.1.7直徑用游標(biāo)卡尺測(cè)量.直徑及其偏差測(cè)量位置(系指同一支多品棒)如下圖所示。直徑允許偏登的規(guī)定僅適用于區(qū)熔法用的硅多品。2.2檢驗(yàn)規(guī)則2.2.1產(chǎn)品應(yīng)由供方技術(shù)監(jiān)督部門進(jìn)行驗(yàn)收,保證產(chǎn)品符合本標(biāo)準(zhǔn)要求,并填寫產(chǎn)品質(zhì)量證明書。2.2.2需方可對(duì)收到的產(chǎn)品進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn),如檢驗(yàn)結(jié)果與本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定不符時(shí),可在收到產(chǎn)品之

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