TestofFundamentalsofMaterialsScience材料科學(xué)基礎(chǔ)試題庫鄭舉功編一、填空題0001.燒結(jié)過程的重要傳質(zhì)機(jī)制有_____、_____、_____、_____，當(dāng)燒結(jié)分別進(jìn)行四種傳質(zhì)時(shí)，頸部增長(zhǎng)x/r與時(shí)間t的關(guān)系分別是_____、_____、_____、_____。0002.晶體的對(duì)稱要素中點(diǎn)對(duì)稱要素種類有_____、_____、_____、_____，具有平移操作的對(duì)稱要素種類有_____、_____。0003.晶族、晶系、對(duì)稱型、結(jié)晶學(xué)單形、幾何單形、布拉菲格子、空間群的數(shù)目分別是_____、_____、_____、_____、_____、_____。0004.晶體有兩種抱負(fù)形態(tài)，分別是_____和_____。0005.晶體是指內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的固體。0006.以NaCl晶胞中（001）面心的一個(gè)球（Cl-離子）為例，屬于這個(gè)球的八面體空隙數(shù)為，所以屬于這個(gè)球的四周體空隙數(shù)為。0007.與非晶體比較晶體具有自限性、、、、和穩(wěn)定性。0008.一個(gè)立方晶系晶胞中，一晶面在晶軸X、Y、Z上的截距分別為2a、1/2a、2/3a，其晶面的晶面指數(shù)是。0009.固體表面粗糙度直接影響液固濕潤(rùn)性，當(dāng)真實(shí)接觸角θ時(shí)，粗糙度越大，表面接觸角，就越容易濕潤(rùn)；當(dāng)θ，則粗糙度，越不利于濕潤(rùn)。0010.硼酸鹽玻璃中，隨著Na2O（R2O）含量的增長(zhǎng)，橋氧數(shù)，熱膨脹系數(shù)逐漸下降。當(dāng)Na2O含量達(dá)成15%—16%時(shí)，橋氧又開始，熱膨脹系數(shù)重新上升，這種反常現(xiàn)象就是硼反?，F(xiàn)象。0011.晶體結(jié)構(gòu)中的點(diǎn)缺陷類型共分、和三種，CaCl2中Ca2+進(jìn)入到KCl間隙中而形成點(diǎn)缺陷的反映式為。0012.固體質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散的推動(dòng)力是________。0013.本征擴(kuò)散是指__________，其擴(kuò)散系數(shù)D＝_________,其擴(kuò)散活化能由________和_________組成。0014.析晶過程分兩個(gè)階段，先______后______。0015.晶體產(chǎn)生Frankel缺陷時(shí)，晶體體積_________，晶體密度_________；而有Schtty缺陷時(shí)，晶體體積_________,晶體密度_________。一般說離子晶體中正、負(fù)離子半徑相差不大時(shí)，_________是重要的；兩種離子半徑相差大時(shí)，_________是重要的。0016.少量CaCl2在KCl中形成固溶體后，實(shí)測(cè)密度值隨Ca2+離子數(shù)/K＋離子數(shù)比值增長(zhǎng)而減少，由此可判斷其缺陷反映式為_________。0017.Tg是_________,它與玻璃形成過程的冷卻速率有關(guān)，同組分熔體快冷時(shí)Tg比慢冷時(shí)_________,淬冷玻璃比慢冷玻璃的密度_________,熱膨脹系數(shù)_________。0018.同溫度下，組成分別為：(1)0.2Na2O－0.8SiO2；(2)0.1Na2O－0.1CaO－0.8SiO2;(3)0.2CaO－0.8SiO2的三種熔體，其粘度大小的順序?yàn)開________。0019.三T圖中三個(gè)T代表_________,_________,和_________。0020.粘滯活化能越_________,粘度越_________。硅酸鹽熔體或玻璃的電導(dǎo)重要決定于_________。0021.0.2Na2O-0.8SiO2組成的熔體，若保持Na2O含量不變，用CaO置換部分SiO2后，電導(dǎo)_________。0022.在Na2O－SiO2熔體中加入Al2O3(Na2O/Al2O3<1),熔體粘度_________。0023.組成Na2O.1/2Al2O3.2SiO2的玻璃中氧多面體平均非橋氧數(shù)為_________。0024.在等大球體的最緊密堆積中，六方最緊密堆積與六方格子相相應(yīng)，立方最緊密堆積與_______相相應(yīng)。0025.在硅酸鹽晶體中，硅氧四周體之間假如相連，只能是_________方式相連。0026.離子晶體生成Schttky缺陷時(shí)，正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)隨著_________的增長(zhǎng)。0027.多種聚合物同時(shí)并存而不是一種獨(dú)存這就是熔體結(jié)構(gòu)_________的實(shí)質(zhì)。在熔體組成不變時(shí)，各級(jí)聚合物的數(shù)量還與溫度有關(guān)，溫度升高，低聚物濃度增長(zhǎng)。0028.系統(tǒng)中每一個(gè)能單獨(dú)分離出來并_________的化學(xué)均勻物質(zhì)，稱為物種或組元，即組份。例如，對(duì)于食鹽的水溶液來說，NaCl與H2O都是組元。而Na+、Cl－、H+、OH－等離子卻不能算是組元，由于它們都不能作為獨(dú)立的物質(zhì)存在。0029.在彎曲表面效應(yīng)中，附加壓力ΔP總是指向曲面的_________，當(dāng)曲面為凸面時(shí)，ΔP為正值。0030.礦化劑在硅酸鹽工業(yè)中使用普遍，其作用機(jī)理各異，例在硅磚中加入1-3％[Fe2O3＋Ca2(OH)2]做礦化劑，能使大部分a-石英不斷溶解同時(shí)不斷析出a-磷石英，從而促進(jìn)a-石英向磷石英的轉(zhuǎn)化。水泥生產(chǎn)中用_______作礦化劑，可以減少熟料中液相生成溫度和減少液相粘度，提高離子擴(kuò)散速率，加速CaO?SiO2的形成。0031.一級(jí)相變是指體系由一相變?yōu)榱硪幌鄷r(shí)，兩相的化學(xué)勢(shì)相等但化學(xué)勢(shì)的________不相等，有相變潛熱，并隨著有體積改變。0032.在固體介質(zhì)中，做無規(guī)則布朗運(yùn)動(dòng)的大量質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散系數(shù)取決于質(zhì)點(diǎn)的_________和遷移自由程r平方的乘積。0033.燒結(jié)的推動(dòng)力是_________，它可憑下列方式推動(dòng)物質(zhì)的遷移：蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)，擴(kuò)散傳質(zhì)，流動(dòng)傳質(zhì)，溶解-沉淀傳質(zhì)。0034.固體質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散的推動(dòng)力是_________。0035.固相分解反映的特點(diǎn)是：(1)_________；(2)________;(3)________。0036.在MoO3+CaCO3?CaMoO4+CO2反映中，當(dāng)CaCO3：MoO3＝15，時(shí)，由于產(chǎn)物層_______和擴(kuò)散阻力______,反映由____________控制，并隨___________減小而加速。0037.本征擴(kuò)散是指：__________，其擴(kuò)散系數(shù)D＝___________,其擴(kuò)散活化能由__________和____________組成。0038.雜質(zhì)原子在其它晶格中擴(kuò)散時(shí)的推動(dòng)力為_______，同種原子在自己晶格中自擴(kuò)散的推動(dòng)力為_____。0039.晶體中五種擴(kuò)散機(jī)制為___、____、____、____和____，其中___是離子晶體中最常見的擴(kuò)散機(jī)制，其擴(kuò)散活化能涉及__和___。0040.析晶過程分兩個(gè)階段，先______后______。在析晶作用曲線上_______速率曲線在高溫區(qū)。0041.玻璃分相的兩種機(jī)理是__________機(jī)理和__________機(jī)理。前者分相時(shí)質(zhì)點(diǎn)作___擴(kuò)散，分相速率____;后者分相后具有______結(jié)構(gòu)，分相開始界面____突變。0042.將下面四個(gè)概念的序號(hào)a、b、c、d分別填入各分相特點(diǎn)前的括號(hào)內(nèi)。a.穩(wěn)定分相b.介穩(wěn)分相c.成核-長(zhǎng)大分相d.旋節(jié)分相(c)第二相組成不隨時(shí)間變化；(a)分相區(qū)在液相線上；(d)分相開始界面呈彌散狀，并逐漸明顯；(c)分相后具有液滴狀孤立結(jié)構(gòu)；(c)分相速度慢；(b)分相后的兩相均為熱力學(xué)介穩(wěn)相；(c)有分相勢(shì)壘；(d)分相時(shí)質(zhì)點(diǎn)作負(fù)擴(kuò)散；(d)(b)分相區(qū)在液相線下;0043.液－固相變中的非均勻成核是指_____________形成晶核的過程。它的成核位壘隨接觸角q的_______而減少，當(dāng)由0～900時(shí)，成核位壘DGK*與均勻成核位壘DGK的關(guān)系為___。0044.MgO具有______型結(jié)構(gòu)，其對(duì)稱型______，空間群______，屬于______晶族和______晶系，正負(fù)離子配位數(shù)為______，單個(gè)晶胞占有正負(fù)離子的數(shù)目為______。0045.KCl,AgCl和Cu2S極化限度的大小順序是___，極化結(jié)果改變配位數(shù)的是___，不極化結(jié)果改變配位數(shù)的是___。0046.下列化合物屬于什么結(jié)構(gòu)（1）藍(lán)維礦BaTi[Si3O9]______，（2）透輝石CaMg[Si2O6]______，（3）滑石Mg3[Si4O10](OH)2______，（4）石英SiO2______，（5）鎂橄欖石Mg2[SiO4]______0047.液相燒結(jié)與固相燒結(jié)相同的是其過程都由____，____，____等三個(gè)階段組成，不同點(diǎn)是____，_____，_____。0048.燒結(jié)有______，______，______，______等四種傳質(zhì)方式，產(chǎn)生的因素分別是______，______，______，______。0049.在燒結(jié)初期，若x/r與t1/3成正比，其屬于______傳質(zhì)過程，這種燒結(jié)的推動(dòng)力是______，收縮率為______。0050.一種擴(kuò)散過程：lnD與1/T的變化關(guān)系如圖所示，該擴(kuò)散屬于______擴(kuò)散過程，圖中各部分線段的斜率分別是（1）______（2）______（3）______，各部分線段所表達(dá)的擴(kuò)散類型是（1）______（2）______（3）______。0051.導(dǎo)致二次再結(jié)晶的因素重要是______，及______，另一方面是______，及______等。0052.NaCl晶胞中Cl-離子作最緊密堆積，Na＋填充面體空隙的100%，以（001）面心的一個(gè)球（Cl-離子）為例，屬于這個(gè)球的八面體空隙數(shù)為，所以屬于這個(gè)球的四周體空隙數(shù)為，正負(fù)離子配位數(shù)為_____，配位多面體之間共______連接，單個(gè)晶胞占有正負(fù)離子的數(shù)目為______。0053.晶體結(jié)構(gòu)中的點(diǎn)缺陷類型共分、和三種，CaO加入到ZrO2中形成間隙式固溶體的的缺陷反映式為，固溶式分子式：。形成置換式固溶體的的缺陷反映式為，固溶式分子式：。填空題答案0001.蒸發(fā)－冷凝，擴(kuò)散，溶解－沉淀，流動(dòng)；1/3，1/5，1/6，1/2。0002.對(duì)稱面、對(duì)稱中心、對(duì)稱軸，旋轉(zhuǎn)反伸軸；滑移面、螺旋軸；C、m。0003.3、7、32、146、47、14、230。0004.單形、聚形。0005.內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間成周期性反復(fù)排列的固體。0006.1，20007.自限性、均一性、異向性、對(duì)稱性、最小內(nèi)能。0008.（143）0009.小于90°，越??；大于90°，越大0010.增大，減少0011.間隙原子、空位、雜質(zhì)原子；CaCl2+2+2ClCl。0012.化學(xué)位梯度0013.由晶體內(nèi)自身的熱缺陷引起質(zhì)點(diǎn)遷移的擴(kuò)散，D＝D0exp(-Q/RT)，空位形成能，空位遷移能0014.成核，長(zhǎng)大0015不變，不變，變大，變小，Schtty缺陷，F(xiàn)rankel缺陷0016.0017.玻璃形成溫度高小大0018.（2）>（3）>（1）0019.時(shí)間－溫度－相轉(zhuǎn)變0020.大（小）大（?。┙Y(jié)構(gòu)參數(shù)Y0021.減少0022.減少0023.1/30024.立方面心格子。0025.共頂方式。0026.晶體體積。0027.遠(yuǎn)程無序。0028.獨(dú)立存在。0029.曲率中心。0030.螢石。0031.一級(jí)偏微商。0032.有效躍遷頻率。0033.表面能的減少。0034.化學(xué)位梯度0035.（1）屬非均相反映，參與反映的固相互相接觸是反映發(fā)生化學(xué)作用和物質(zhì)輸送的先決條件。（2）固相反映開始溫度遠(yuǎn)低于反映物的熔點(diǎn)或系統(tǒng)低共熔點(diǎn)溫度。(泰曼溫度)。(3)存在多晶轉(zhuǎn)變時(shí)，此轉(zhuǎn)變也常是反映開始變得明顯的溫度。(海德華溫度)0036.變薄，減少，MoO3的升化過程，MoO3粒徑0036.由晶體內(nèi)自身的熱缺陷引起質(zhì)點(diǎn)遷移的擴(kuò)散,D＝D0exp(-Q/RT)，空位形成能，空位遷移能0038.缺陷濃度，00039.易位，環(huán)形擴(kuò)散，空位擴(kuò)散，間隙擴(kuò)散，準(zhǔn)間隙擴(kuò)散，空位擴(kuò)散，空位形成能，空位遷移能0040.成核，生長(zhǎng)，生長(zhǎng)0041.成長(zhǎng)—成核，調(diào)幅分解，正，慢，連續(xù)非球形，不穩(wěn)定0042.略0043.，減少，DGK*=1/2DGK0044.NaCl，m3m，F(xiàn)m3m，高級(jí)，立方，6，40045.AgCl＜KCl＜Cu2S，Cu2S，AgCl0046.組群狀，鏈狀，層狀，架狀，島狀。0047.顆粒重排，氣孔填充，晶粒生長(zhǎng)；傳質(zhì)方式不同，傳質(zhì)速率不同，達(dá)成相同致密燒結(jié)體的溫度不同。0048.蒸發(fā)-凝聚，擴(kuò)散，流動(dòng)，溶解-沉淀；壓力差，空位濃度差，應(yīng)力-應(yīng)變，溶解度差。0049.蒸發(fā)-凝聚，粉末體球形顆粒凸面與顆粒接觸點(diǎn)頸部之間的蒸氣壓差，零。0050.缺氧條件下非計(jì)量化合物空位擴(kuò)散,本征擴(kuò)散,非化學(xué)計(jì)量擴(kuò)散,非本征擴(kuò)散或雜質(zhì)擴(kuò)散0051.，原始物料粒度不均勻，燒結(jié)溫度偏高，成型壓力不均勻，局部有不均勻。0052.面心立方，八，1，2，6,棱，4。0053.間隙原子、空位、雜質(zhì)原子；，，,二、判斷題0001．Na2O-SiO2系統(tǒng)中隨SiO2含量的增長(zhǎng)，熔體的粘度將減少。（）0002．?dāng)U散的推動(dòng)力是濃度梯度，所有擴(kuò)散系統(tǒng)中，物質(zhì)都是由高濃度處向低濃度處擴(kuò)散。（）0003．晶粒正常長(zhǎng)大是小晶粒吞食大晶粒，反常長(zhǎng)大是大晶粒吞食小晶粒。（）0004．固溶體是在固態(tài)條件下，一種物質(zhì)以原子尺寸溶解在另一種物質(zhì)中形成的單相均勻的固體。（）0005．在熱力學(xué)平衡條件下，二元凝聚系統(tǒng)最多可以3相平衡共存，它們是一個(gè)固相、一個(gè)液相和一個(gè)氣相。（）0006．純物質(zhì)在一定壓力下的熔點(diǎn)是定值。（）0007．純液體在一定溫度下的蒸汽壓為定值。（）0008．純物質(zhì)在一定溫度下，固、液、氣可以三相平衡共存。（）0009．粉狀物料的表面能大于多晶燒結(jié)體的晶界能，這是燒結(jié)過程的推動(dòng)力。（）0010．燒結(jié)過程中，假如晶界移動(dòng)速率等于氣孔擴(kuò)散速率，可達(dá)成燒結(jié)體致密化。（）0011.逆擴(kuò)散的推動(dòng)力是濃度梯度.（）0012.成核--生成相變亞穩(wěn)區(qū)Ｇ"<0，斯賓那多分解的不穩(wěn)區(qū)Ｇ">0.（）0013.分開單位面積的粘附表面所需的功。粘附性越好，粘附功越小。（）0014.問：螺位錯(cuò)可以攀移。（）0015.濃度差會(huì)引起擴(kuò)散，擴(kuò)散總是從高濃度處向低濃度處進(jìn)行。（）0016.多晶轉(zhuǎn)變點(diǎn)一定不會(huì)是析晶終點(diǎn)，過渡點(diǎn)一定不會(huì)是析晶終點(diǎn)。（）0001．答：不對(duì)的。粘度增長(zhǎng)。0002．答：不對(duì)的。擴(kuò)散也可以從低濃度向高濃度進(jìn)行。0003．答：不對(duì)的。都是晶界移動(dòng)的結(jié)果。正常長(zhǎng)大是晶粒平均尺寸增長(zhǎng)，反常長(zhǎng)大是個(gè)別大晶粒尺寸異常增長(zhǎng)。0004．答：對(duì)的。0005.答：不對(duì)的。兩個(gè)固相和一個(gè)液相。0006．答：對(duì)的。根據(jù)相律F=C-P+2，C=1。熔化時(shí)P=2，F(xiàn)=1-2+2，當(dāng)壓力擬定后溫度就擬定了。0007．答：對(duì)的。0008．答：不對(duì)的。固、液、氣可以三相平衡時(shí)，自由度F=0，這是外界條件（溫度和壓力）都是擬定的特定值，不能隨意變化，因此溫度不能任意指定。0009．答：對(duì)的。0010．答：不對(duì)的。晶粒正常生長(zhǎng)時(shí)，晶界移動(dòng)受到雜質(zhì)或氣孔的牽制，為了運(yùn)用晶界作為原子移動(dòng)的快速通道，希望氣孔維持在晶界或三個(gè)晶粒的交匯點(diǎn)上，晶界移動(dòng)速率等于氣孔擴(kuò)散速率，晶界在牽制氣孔移動(dòng)的同時(shí)，氣孔作為空位源而快速向燒結(jié)體外排除。隨著燒結(jié)進(jìn)行，氣孔率逐漸減小，氣孔內(nèi)氣壓不斷提高，當(dāng)內(nèi)氣壓增至2γ/r時(shí)，即其孔內(nèi)氣壓等于燒結(jié)推動(dòng)力，燒結(jié)就停止了，繼續(xù)升高溫度，氣孔內(nèi)氣壓＞2γ/r，氣孔膨脹而出現(xiàn)反致密化過程。0011答：不對(duì)，是化學(xué)位梯度。0012.答：不對(duì)。相反。0013.答：不對(duì)。WAB=γA+γB-γAB，粘附性越好，粘附功越大。0014.答：不對(duì)的。螺型位錯(cuò)只能滑移。螺型位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)時(shí)，螺型位錯(cuò)的移動(dòng)方向與位錯(cuò)線垂直，也與柏氏矢量垂直。對(duì)于螺型位錯(cuò)，由于位錯(cuò)線與柏氏矢量平行，故它的滑移不限于單一的滑移面上。對(duì)于螺型位錯(cuò)，另一滑移面上去繼續(xù)滑移，這一過程稱為交滑移。0015.答：不對(duì)的。擴(kuò)散的基本推動(dòng)力是化學(xué)位梯度，只但是在一般情況下以濃度梯度的方式表現(xiàn)出來；擴(kuò)散是從高化學(xué)位處流向低化學(xué)位處，最終系統(tǒng)各處的化學(xué)位相等。假如低濃度處化學(xué)勢(shì)高，則可進(jìn)行負(fù)擴(kuò)散，如玻璃的分相過程。0016.答：對(duì)的。三、名詞解釋

0001晶體0002等同點(diǎn)0003空間點(diǎn)陣0004結(jié)點(diǎn)0005晶體定向0006晶體常數(shù)0007對(duì)稱0008對(duì)稱型0009晶類0010單形0011聚形0012布拉菲格子0013晶胞0014空間群015單鍵強(qiáng)0016分化和縮聚0017網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)中間體、網(wǎng)絡(luò)改性體0018凝聚系統(tǒng)0019介穩(wěn)平衡0020低共熔點(diǎn)0021雙升點(diǎn)0022雙降點(diǎn)0023馬鞍點(diǎn)0024連線規(guī)則0025切線規(guī)則0026三角形規(guī)則0027重心規(guī)則0028穩(wěn)定擴(kuò)散與不穩(wěn)定擴(kuò)散0029本征擴(kuò)散與非本征擴(kuò)散0030自擴(kuò)散與互擴(kuò)散0031擴(kuò)散系數(shù)與擴(kuò)散通量0032配位數(shù)與配位體0033同質(zhì)多晶與多晶轉(zhuǎn)變0034位移性轉(zhuǎn)變與重建性轉(zhuǎn)變0035弗倫克爾缺陷與肖特基缺陷0036刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)0037晶子學(xué)說和無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說0038晶體場(chǎng)理論0039配位場(chǎng)理論0040螢石型和反螢石型0041類質(zhì)同晶和同質(zhì)多晶0042二八面體型與三八面體型0043同晶取代與陽離子互換0044尖晶石與反尖晶石0045米勒指數(shù)0046離子晶體的晶格能0047離子極化00480049壓電效應(yīng)0050硼反?，F(xiàn)象0051熔體、玻璃體0052界核半徑0053無序擴(kuò)散0054燒結(jié)宏觀定義0055非均相成核0056礦化劑0057晶界結(jié)構(gòu)0058橋氧離子0059吸附0060表面能：0061初次再結(jié)晶0062二次再結(jié)晶0063晶粒長(zhǎng)大名詞解釋參考答案0001．晶體是內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間成周期性反復(fù)排列的固體?；蚓w是具格子構(gòu)造的固體。0002．等同點(diǎn)晶體結(jié)構(gòu)中在同一取向上幾何環(huán)境和物質(zhì)環(huán)境皆相同的點(diǎn)稱為等同點(diǎn)。0003．空間點(diǎn)陣是表達(dá)晶體結(jié)構(gòu)中各類等同點(diǎn)排列規(guī)律的幾何圖形?；蚴潜磉_(dá)晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)反復(fù)規(guī)律的幾何圖形。0004．空間點(diǎn)陣中的陣點(diǎn)，稱為結(jié)點(diǎn)。

0005．晶體定向就是在晶體中擬定坐標(biāo)軸（稱晶軸）及軸單位或軸率（軸單位之比）。0006．晶體常數(shù)：晶軸軸率或軸單位，軸角。表達(dá)晶體結(jié)構(gòu)特性的參數(shù)（a、b、c，α(b∧c)、β(a∧c)、γ(a∧b)）稱為晶胞常數(shù)，晶胞參數(shù)也即晶體常數(shù)。0007．對(duì)稱是指物體相同部分作有規(guī)律的反復(fù)。0008．對(duì)稱型晶體結(jié)構(gòu)中所有點(diǎn)對(duì)稱要素（對(duì)稱面、對(duì)稱中心、對(duì)稱軸和旋轉(zhuǎn)反伸軸）的集合稱為對(duì)稱型，也稱點(diǎn)群。0009．晶類將對(duì)稱型相同的晶體歸為一類，稱為晶類。0010．單形是由一組同形等大的晶面所組成，這些晶面可以借助其所屬對(duì)稱型的對(duì)稱要素彼此實(shí)現(xiàn)反復(fù)。也就是說，單形是由對(duì)稱要素聯(lián)系起來的一組晶面的集合。0011．聚形具有兩個(gè)或兩個(gè)以上單形的晶形稱為聚形。0012．所有晶體結(jié)構(gòu)的空間點(diǎn)陣可劃提成十四種類型的空間格子，這14種空間格子稱布拉菲格子。0013．任何晶體都相應(yīng)一種布拉菲格子，因此任何晶體都可劃分出與此種布拉菲格子平行六面體相相應(yīng)的部分，這一部分晶體就稱為晶胞。晶胞是可以反映晶體結(jié)構(gòu)特性的最小單位。0014．空間群是指一個(gè)晶體結(jié)構(gòu)中所有對(duì)稱要素集合。0015．單鍵強(qiáng)即為各種化合物分解能與該種化合物配位數(shù)的商。0016．分化過程：架狀[SiO4]斷裂稱為熔融石英的分化過程?？s聚過程：分化過程產(chǎn)生的低聚化合物互相發(fā)生作用，形成級(jí)次較高的聚合物，次過程為縮聚過程。0017．網(wǎng)絡(luò)形成體、網(wǎng)絡(luò)中間體、網(wǎng)絡(luò)改性體網(wǎng)絡(luò)形成體：正離子是網(wǎng)絡(luò)形成離子，相應(yīng)氧化物能單獨(dú)形成玻璃。即凡氧化物的單鍵強(qiáng)度＞335kJ/mol者稱為網(wǎng)絡(luò)形成體，這類氧化物能單獨(dú)行成玻璃。網(wǎng)絡(luò)變性體：?jiǎn)捂I強(qiáng)度＜250kJ/mol，這類氧化物不能形成玻璃，但能改變網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，從而使玻璃性質(zhì)改變，即稱為網(wǎng)絡(luò)變形體。網(wǎng)絡(luò)中間體：?jiǎn)捂I強(qiáng)度介于250～335kJ/mol，這類氧化物的作用介于網(wǎng)絡(luò)形成體和網(wǎng)絡(luò)改性體之間，稱為網(wǎng)絡(luò)中間體。0018．凝聚系統(tǒng)：不含氣相或氣相可以忽略的系統(tǒng)。0019．介穩(wěn)平衡：即熱力學(xué)非平衡態(tài)，能量處在較高狀態(tài)，經(jīng)常出現(xiàn)于硅酸鹽系統(tǒng)中。0020．低共熔點(diǎn)：是一種無變量點(diǎn)，系統(tǒng)冷卻時(shí)幾種晶相同時(shí)從熔液中析出，或加熱時(shí)同時(shí)融化。0021．雙升點(diǎn)：處在交叉位的單轉(zhuǎn)熔點(diǎn)。0022．雙降點(diǎn)：處在共軛位的雙轉(zhuǎn)熔點(diǎn)。0023．馬鞍點(diǎn)：三元相圖界線上溫度最高點(diǎn)，同時(shí)又是二元系統(tǒng)溫度的最低點(diǎn)。0024．連線規(guī)則：將一界線（或其延長(zhǎng)線）與相應(yīng)的連線（或其延長(zhǎng)線）相交，其交點(diǎn)是該界線上的溫度最高點(diǎn)。0025．切線規(guī)則：將界線上某一點(diǎn)所作的切線與相應(yīng)的連線相交，如交點(diǎn)在連線上，則表達(dá)界線上該處具有共熔性質(zhì)；如交點(diǎn)在連線的延長(zhǎng)線上，則表達(dá)界線上該處具有轉(zhuǎn)熔性質(zhì)，遠(yuǎn)離交點(diǎn)的晶相被回吸。0026．三角形規(guī)則：原始熔體組成點(diǎn)所在副三角形的三個(gè)頂點(diǎn)表達(dá)的物質(zhì)即為其結(jié)晶產(chǎn)物；與這三個(gè)物質(zhì)相應(yīng)的初初晶區(qū)所包圍的三元無變量點(diǎn)是其結(jié)晶結(jié)束點(diǎn)。0027．重心規(guī)則：如無變點(diǎn)處在其相應(yīng)副三角形的重心位，則該無變點(diǎn)為低共熔點(diǎn)：如無變點(diǎn)處在其相應(yīng)副三角形的交叉位，則該無變點(diǎn)為單轉(zhuǎn)熔點(diǎn)；如無變點(diǎn)處在其相應(yīng)副三角形的共軛位，則該無變點(diǎn)為雙轉(zhuǎn)熔點(diǎn)。0028．穩(wěn)定擴(kuò)散與不穩(wěn)定擴(kuò)散：擴(kuò)散過程中任一點(diǎn)濃度隨時(shí)間變化稱為不穩(wěn)定擴(kuò)散。0029．本征擴(kuò)散與非本征擴(kuò)散：由此點(diǎn)缺陷引起的擴(kuò)散為本征擴(kuò)散，重要出現(xiàn)了肖特基和弗蘭克爾點(diǎn)缺陷。由不等價(jià)離子導(dǎo)致晶格空位，由此引起的質(zhì)點(diǎn)遷移稱為非本征擴(kuò)散。0030．自擴(kuò)散：互擴(kuò)散：0031．?dāng)U散系數(shù)：擴(kuò)散通量：0032．配位數(shù)：晶體結(jié)構(gòu)中與一個(gè)離子直接相鄰的異號(hào)離子數(shù)。配位體：晶體結(jié)構(gòu)中與某一個(gè)陽離子直接相鄰、形成配位關(guān)系的各個(gè)陰離子中心連線所構(gòu)成的多面體。0033．同質(zhì)多晶：同一化學(xué)組成在不同外界條件下（溫度、壓力、pH值等），結(jié)晶成為兩種以上不同結(jié)構(gòu)晶體的現(xiàn)象。多晶轉(zhuǎn)變：當(dāng)外界條件改變到一定限度時(shí)，各種變體之間發(fā)生結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，從一種變體轉(zhuǎn)變成為另一種變體的現(xiàn)象。

0034．位移性轉(zhuǎn)變：不打開任何鍵，也不改變?cè)幼钹徑呐湮粩?shù)，僅僅使結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變，原子從本來位置發(fā)生少許位移，使次級(jí)配位有所改變的一種多晶轉(zhuǎn)變形式。重建性轉(zhuǎn)變：破壞原有原子間化學(xué)鍵，改變?cè)幼钹徑湮粩?shù)，使晶體結(jié)構(gòu)完全改變?cè)瓨拥囊环N多晶轉(zhuǎn)變形式。0035．當(dāng)晶體熱振動(dòng)時(shí)，一些能量足夠大的原子離開平衡位置而擠到晶格點(diǎn)的間隙中，形成間隙原子，而本來位置上形成空位，這種缺陷稱為弗倫克爾缺陷。假如正常格點(diǎn)上原子，熱起伏后獲得能量離開平衡位置，躍遷到晶體的表面，在原正常格點(diǎn)上留下空位，這種缺陷稱為肖特基缺陷。0036．滑移方向與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為刃型位錯(cuò)。位錯(cuò)線與滑移方向互相平行的位錯(cuò)稱為螺型位錯(cuò)。0037．晶子學(xué)說：玻璃內(nèi)部是由無數(shù)“晶子”組成，微晶子是帶有晶格變形的有序區(qū)域。它們分散在無定形介中質(zhì)，晶子向無定形部分過渡是逐漸完畢時(shí)，兩者沒有明顯界線。無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說：凡是成為玻璃態(tài)的物質(zhì)和相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)同樣，也是由一個(gè)三度空間網(wǎng)絡(luò)所構(gòu)成。這種網(wǎng)絡(luò)是由離子多面體（三角體或四周體）構(gòu)筑起來的。晶體結(jié)構(gòu)網(wǎng)是由多面體無數(shù)次有規(guī)律反復(fù)構(gòu)成，而玻璃中結(jié)構(gòu)多面體的反復(fù)沒有規(guī)律性。0038．晶體場(chǎng)理論：認(rèn)為在晶體結(jié)構(gòu)中，中心陽離子與配位體之間是離子鍵，不存在電子軌道的重迭，并將配位體作為點(diǎn)電荷來解決的理論。0039．配位場(chǎng)理論：除了考慮到由配位體所引起的純靜電效應(yīng)以外，還考慮了共價(jià)成鍵的效應(yīng)的理論。0040．螢石型：CaF2型結(jié)構(gòu)中，Ca2+按面心立方緊密排列，F(xiàn)-占據(jù)晶胞中所有四周體空隙。反螢石型：陽離子和陰離子的位置與CaF2型結(jié)構(gòu)完全相反，即堿金屬離子占據(jù)F-的位置，O2-占據(jù)Ca2+的位置。0041．類質(zhì)同象：物質(zhì)結(jié)晶時(shí)，其晶體結(jié)構(gòu)中部分原有的離子或原子位置被性質(zhì)相似的其它離子或原子所占有，共同組成均勻的、呈單一相的晶體，不引起鍵性和晶體結(jié)構(gòu)變化的現(xiàn)象。同質(zhì)多晶：同一化學(xué)組成在不同熱力學(xué)條件下形成結(jié)構(gòu)不同的晶體的現(xiàn)象。0042．二八面體型：在層狀硅酸鹽礦物中，若有三分之二的八面體空隙被陽離子所填充稱為二八面體型結(jié)構(gòu)。三八面體型：在層狀硅酸鹽礦物中，若所有的八面體空隙被陽離子所填充稱為三八面體型結(jié)構(gòu)。0043．同晶取代：雜質(zhì)離子取代晶體結(jié)構(gòu)中某一結(jié)點(diǎn)上的離子而不改變晶體結(jié)構(gòu)類型的現(xiàn)象。陽離子互換：在粘土礦物中，當(dāng)結(jié)構(gòu)中的同晶取代重要發(fā)生在鋁氧層時(shí)，一些電價(jià)低、半徑大的陽離子（如K+、Na+等）將進(jìn)入晶體結(jié)構(gòu)來平衡多余的負(fù)電荷，它們與晶體的結(jié)合不很牢固，在一定條件下可以被其它陽離子互換。0044．正尖晶石：在AB2O4尖晶石型晶體結(jié)構(gòu)中，若A2+分布在四周體空隙、而B3+分布于八面體空隙，稱為正尖晶石；反尖晶石：若A2+分布在八面體空隙、而B3+一半分布于四周體空隙另一半分布于八面體空隙，通式為B(AB)O4，稱為反尖晶石。0045．米勒指數(shù)0046．離子晶體的晶格能0047．離子極化：指正、負(fù)離子在電場(chǎng)作用下，使正，負(fù)電荷重心不重合，并產(chǎn)生偶極距的現(xiàn)象。0048．鐵電效應(yīng)0049．壓電效應(yīng)0050．當(dāng)數(shù)量不多的堿金屬氧化物同B2O3一起熔融時(shí)，堿金屬所提供的氧不像熔融SiO2玻璃中作為非橋氧出現(xiàn)在結(jié)構(gòu)中，而是使硼轉(zhuǎn)變?yōu)橛蓸蜓踅M成的硼氧四周體。致使B2O3玻璃從本來二度空間層狀結(jié)構(gòu)部分轉(zhuǎn)變?yōu)槿瓤臻g的架狀結(jié)構(gòu)，從而加強(qiáng)了網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，并使玻璃的各種物理性能變好。0051．熔體特指加熱到較高溫度才干液化的物質(zhì)的液體，即較高熔點(diǎn)物質(zhì)的液體。熔體快速冷卻則變成玻璃體玻璃體。0052．聚集的原子群超過一定尺寸可以穩(wěn)定存在的最小的晶體顆粒半徑。0053．無化學(xué)位梯度、濃度梯度、無外場(chǎng)推動(dòng)力，由熱起伏引起的擴(kuò)散。質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散是無序的、隨機(jī)的。0054．粉體在一定溫度作用下，發(fā)生團(tuán)結(jié)，使氣孔率下降，致密度提高，強(qiáng)度增大，晶粒增長(zhǎng)，這種現(xiàn)象即為燒結(jié)。0055．母液中存在某界面（空位、雜質(zhì)、位錯(cuò)），成核會(huì)優(yōu)先在界面上進(jìn)行，這種成核系統(tǒng)為非均相成核。0056．在固相反映中加入少量非反映物，反映過程中不與反映物起化學(xué)反映只起加速反映作用的物質(zhì)。0057．晶界結(jié)構(gòu)是指晶界在多晶體中的形狀、結(jié)構(gòu)和分布。0058．橋氧離子：指一個(gè)氧離子與兩個(gè)硅離子的連結(jié)起來，此氧離子稱為橋氧離子。0059．固體和液體表面存在大量不飽和鍵的原子和離子，它們都能吸引外來的原子、離子、分子的這一現(xiàn)象。0060．當(dāng)T，P及組成不變的條件下，增長(zhǎng)單位表面積對(duì)系統(tǒng)所做的功。0061．初次再結(jié)晶是指從塑性變形的、具有應(yīng)變的基質(zhì)中，生長(zhǎng)出新的無應(yīng)變晶粒的成核和長(zhǎng)大過程。0062．當(dāng)坯體中有若于大晶粒存在時(shí)，這些大晶粒邊數(shù)較多，晶界曲率較大，能量較高，使晶界可以越過雜質(zhì)或氣孔而繼續(xù)移向鄰近小晶粒的曲率中心。晶粒的進(jìn)一步生長(zhǎng)，增大了晶界的曲率使生長(zhǎng)過程不斷加速，直到大晶粒的邊界互相接觸為止。這個(gè)過程稱為二次再結(jié)晶或異常的晶粒長(zhǎng)大。0063．在燒結(jié)中、后期，細(xì)小晶粒逐漸長(zhǎng)大，而一些晶粒的長(zhǎng)大過程也是另一部分晶粒的縮小或消失過程，其結(jié)果是平均晶粒尺寸增長(zhǎng)。這一過程并不依賴于初次再結(jié)晶過程；晶粒長(zhǎng)大不是小晶粒的互相粘接，而是晶界移動(dòng)的結(jié)果。其含義的核心是晶粒平均尺寸增長(zhǎng)。三、選擇題0001.材料科學(xué)的核心內(nèi)容是：A.成分B.理論C.工藝設(shè)計(jì)D.結(jié)構(gòu)與性能0002.“材料科學(xué)”的概念是什么時(shí)候明確提出的：A.20世紀(jì)50年代B.19世紀(jì)80年代C.21世紀(jì)D.20世紀(jì)40年代00003.材料是人類文明進(jìn)步的里程碑，按照材料的使用，人類文明階段的順序?yàn)椋篈.青銅器時(shí)代，石器時(shí)代，陶器時(shí)代，鐵器時(shí)代。B.石器時(shí)代，青銅器時(shí)代，陶器時(shí)代，鐵器時(shí)代。C.石器時(shí)代，陶器時(shí)代，青銅器時(shí)代，鐵器時(shí)代。D.陶器時(shí)代，青銅器時(shí)代，石器時(shí)代，鐵器時(shí)代。0004.面角守恒定律中的守恒指：A.能量守恒B.晶面夾角相等C.晶面指數(shù)相同D.晶格常數(shù)相同0005.晶面通常被面網(wǎng)密度大的晶面所包圍，這稱為A.布拉維法則B.晶面法則C.能量最低法則D.平衡法則0006.晶體中不也許存在的對(duì)稱軸是：A.一次對(duì)稱軸B.三次對(duì)稱軸C.四次對(duì)稱軸D.五次對(duì)稱軸0007.晶體學(xué)中，3L4表達(dá)：A.三個(gè)四次軸B.四個(gè)三次軸C.三個(gè)反映面D.三個(gè)對(duì)稱軸0008.在晶體結(jié)構(gòu)中，種類、性質(zhì)及其周邊環(huán)境完全相同的質(zhì)點(diǎn)位置稱為：A.格點(diǎn)B.點(diǎn)缺陷C.等同點(diǎn)D.陣點(diǎn)0009.晶體的本質(zhì)特性是：A.內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間周期排列B.具有規(guī)則的幾何外形C.具有對(duì)稱性D.具有各向異性0010.假如某晶體具有9個(gè)對(duì)稱面，應(yīng)表達(dá)為：A.P9B.9PC.P9D.P90011.與Li2的對(duì)稱操作等效的對(duì)稱操作為：A.CB.2PC.PD.P+C0012.空間格子是一種________。A.幾何圖形B.有限圖形C.無限圖形D.等同點(diǎn)的周期排列0013.布拉維法則認(rèn)為，晶體通常被________的晶面所包圍。A.面網(wǎng)密度大B.面網(wǎng)密度小C.面網(wǎng)密度居中0014.晶體的基本性質(zhì)重要涉及________種。A.3B.4C.5D.60015.晶體的宏觀對(duì)稱要素中，對(duì)稱面的對(duì)稱操作是________。A.旋轉(zhuǎn)B.反伸C.反映D.旋轉(zhuǎn)＋反映0016.晶體的宏觀對(duì)稱要素中，對(duì)稱軸的對(duì)稱操作是________。A.旋轉(zhuǎn)B.反伸C.旋轉(zhuǎn)＋反伸D.旋轉(zhuǎn)＋反映0017.晶體的對(duì)稱軸除一次軸L1外，允許存在的其它軸次有________種。A.3B.4C.5D.60018.旋轉(zhuǎn)反伸軸Li2可以等效表達(dá)為：A.CB.PC.L2＋CD.P＋C0019.旋轉(zhuǎn)反伸軸Li3可以等效表達(dá)為：A.CB.PC.L3＋CD.L3＋P0020.旋轉(zhuǎn)反映軸Ls2可以等效表達(dá)為：A.CB.Li1C.L2＋CD.L2＋P0021.對(duì)晶體進(jìn)行宏觀對(duì)稱要素組合分析，可得到________種點(diǎn)群。A.23B.32C.230D.340022.晶體的宏觀對(duì)稱要素中，對(duì)稱中心的對(duì)稱操作是。A.旋轉(zhuǎn)B.反伸C.反映D.旋轉(zhuǎn)＋反伸0023.晶體的宏觀對(duì)稱要素中，倒轉(zhuǎn)軸的對(duì)稱操作是。A.旋轉(zhuǎn)B.反伸C.旋轉(zhuǎn)＋反伸D.旋轉(zhuǎn)＋反映0024.晶體的宏觀對(duì)稱要素中，映轉(zhuǎn)軸的對(duì)稱操作是。A.旋轉(zhuǎn)B.反映C.旋轉(zhuǎn)＋反伸D.旋轉(zhuǎn)＋反映0025.晶體上可以存在________對(duì)稱面。A.1個(gè)B.任意多個(gè)C.最多9個(gè)D.0個(gè)0026.晶體上可以有________對(duì)稱中心。A.1個(gè)B.多個(gè)C.最多9個(gè)D.0個(gè)0027.旋轉(zhuǎn)反伸軸Li6可以等效表達(dá)為：A.L6＋CB.P＋CC.L3＋CD.L3＋P0028.旋轉(zhuǎn)反映軸Ls3可以等效表達(dá)為：A.CB.Li6C.L3＋CD.L3＋P0029.旋轉(zhuǎn)反映軸Ls6可以等效表達(dá)為：A.Li6B.Li3C.L3＋CD.L3＋P0030.對(duì)稱型（點(diǎn)群）可以劃分出________個(gè)晶族。A.5B.3C.4D.60031.四方晶系的晶體常數(shù)特性為：A.a≠b≠c，α=β=γ=90°B.a=b≠c，α=β=γ=90°C.a=b=c，α=β=γ=90°D.a≠b≠c，α≠β≠γ≠90°0032.斜方晶系的晶體常數(shù)特性為：A.a≠b≠c，α=β=γ=90°B.a=b≠c，α=β=γ=90°C.a=b=c，α=β=γ=90°D.a≠b≠c，α≠β≠γ≠90°0033.下面的晶面指數(shù)是:A.（hkl）B.[uvw]C.｛hkl｝D.（hk·l）0034.下面的晶帶符號(hào)是:A.（hkl）B.[uvw]C.｛hkl｝D.[uv·w]0035.三斜晶系的布拉維格子有________種。A.1B.2C.3D.40036.斜方晶系的布拉維格子有________種。A.1B.2C.3D.40037.六方晶系的布拉維格子有________種。A.1B.2C.3D.40038.晶體的微觀對(duì)稱要素是________。A.對(duì)稱面B.滑移面C.螺旋軸D.對(duì)稱軸0039.螺旋軸按基轉(zhuǎn)角不同可分為________種。A.2B.3C.4D.50040.對(duì)晶體所有對(duì)稱要素進(jìn)行組合分析，可得到________種空間群。A.240B.220C.230D.2100041.若有n個(gè)等大球體作最緊密堆積，將有________個(gè)八面體空隙存在。A.2nB.2n＋1C.n＋1D.n0042.對(duì)稱型（點(diǎn)群）可以劃分出________個(gè)晶系。A.5B.6C.7D.80043.立方晶系的晶體常數(shù)特性為：A.a≠b≠c，α=β=γ=90°B.a=b≠c，α=β=γ=90°C.a=b=c，α=β=γ=90°D.a≠b≠c，α≠β≠γ≠90°0044.三斜晶系的晶體常數(shù)特性為：A.a≠b≠c，α=β=γ=90°B.a=b≠c，α=β=γ=90°C.a=b=c，α=β=γ=90°D.a≠b≠c，α≠β≠γ≠90°0045.下面的晶向指數(shù)是：A.（hkl）B.[uvw]C.｛hkl｝D.[uv·w]0046.單斜晶系的布拉維格子有________種。A.1B.2C.3D.40047.滑移面按平移方向和平移距離可分為________種。A.3B.4C.5D.60048.螺旋軸共有________種。A.10B.11C.12D.130049.屬于等大球體最緊密堆積的方式是：A.體心立方堆積B.面心立方堆積C.體心四方堆積D.六方堆積0050.四方晶系的布拉維格子有________種。A.1B.2C.3D.40051.若有n個(gè)等大球體作最緊密堆積，將有________個(gè)四周體空隙存在。A.2nB.2n＋1C.n＋1D.n0052.物質(zhì)的結(jié)合鍵可分為________大類。A.1B.2C.3D.40053.物質(zhì)的結(jié)合鍵具體鍵型共有________種。A.3B.4C.5D.60054.范德華力來源于________種效應(yīng)。A.1B.2C.3D.40055.范德華力與距離的________次方成反比。A.4B.6C.7D.80056.對(duì)于穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)，也許存在的配位數(shù)有________個(gè)。A.4B.6C.7D.80057.當(dāng)配位多面體為四周體時(shí)，正負(fù)離子半徑比為：A.0-0.155B.0.155-0.225C.0.225-0.414D.0.732-10058.當(dāng)配位多面體為八面體時(shí)，正負(fù)離子半徑比為________。A.0.732-1B.0.414-0.732C.0.225-0.414D.0.155-0.2250059.金剛石屬于________晶系。A.立方B.六方C.四方D.斜方0060.金剛石晶胞中有________套等同點(diǎn)。A.1B.2C.3D.40061.ZnO屬于________晶系。A.正交B.六方C.立方D.單斜0062.金剛石晶胞具有________個(gè)原子。A.2B.4C.6D.80063.石墨屬于________晶系。A.四方B.六方C.單斜D.斜方0064.氧化鎂晶胞中具有________個(gè)分子。A.2B.3C.4D.60065.β-SiC晶胞中有________套等同點(diǎn)。A.2B.3C.4D.60066.ZnO晶胞中具有________個(gè)分子。A.2B.3C.4D.60067.ZrO2（高溫型）屬于________晶系。A.正交B.單斜C.立方D.四方0068.TiO2（金紅石）晶胞中有________套等同點(diǎn)。A.2B.3C.4D.60069.α-Al2O3晶體中Al離子填充在________八面體空隙中。A.1/2B.1/3C.2/3D.3/40070.CaTiO3在高溫時(shí)為________晶系。A.三斜B.六方C.四方D.立方0071.CaTiO3從高溫冷卻過程中晶胞會(huì)發(fā)生畸變有________種也許的方式。A.2B.3C.4D.50072.金剛石晶體具有________特性。A.高硬B.低密度C.低鍵強(qiáng)D.高熱導(dǎo)0073.石墨晶胞具有________個(gè)分子。A.3B.4C.5D.60074.氧化鎂屬于________晶系。A.正交B.六方C.四方D.立方0075.β-SiC屬于________晶系。A.正交B.六方C.立方D.四方0076.ZnO晶胞中有________套等同點(diǎn)。A.2B.3C.4D.60077.ZrO2（高溫型）晶胞中具有________個(gè)分子。A.2B.3C.4D.60078.TiO2（金紅石）屬于________晶系。A.正交B.六方C.三方D.四方0079.a-Al2O3晶體是以O(shè)和Al原子層通過________層反復(fù)而得到。A.10B.12C.1D.160080.CaTiO3晶胞中具有________個(gè)分子。A.1B.2C.3D.40081.尖晶石為________晶系。A.三斜B.六方C.立方D.正交0082.石墨晶體具有________特性。A.低硬度B.耐氧化C.導(dǎo)電D.易加工0083.氧化鎂晶胞中有________套等同點(diǎn)。A.2B.3C.4D.60084.β-SiC晶胞中具有________個(gè)分子。A.2B.3C.4D.60085.ZrO2（高溫型）晶胞中有________套等同點(diǎn)。A.2B.3C.4D.60086.TiO2（金紅石）晶胞中具有________個(gè)分子。A.2B.3C.4D.60087.a-Al2O3屬于________晶系。A.正交B.三方C.六方D.四方0088.a-Al2O3晶體具有________特性。A.低膨脹B.硬度高C.熔點(diǎn)高D.不耐磨0089.CaTiO3晶胞中有________套等同點(diǎn)。A.2B.3C.4D.50090.硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中重要存在有________種多面體形式。A.1B.2C.3D.40091.SiO2晶體共有________種變體。A.6B.7C.8D.100092.硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)類型重要有________種。A.3B.4C.5D.80093.玻璃態(tài)物質(zhì)具有________大通性。A.2B.3C.4D.60094.單鍵強(qiáng)>335kJ/mol，這類氧化物屬于。A.玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體B.網(wǎng)絡(luò)變性體C.中間體D.不知道0095.單鍵強(qiáng)<250kJ/mol，這類氧化物屬于。A.中間體B.玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體C.網(wǎng)絡(luò)變性體D.不知道0096.________鍵型物質(zhì)容易形成玻璃。A.純離子鍵B.金屬鍵向共價(jià)鍵過渡C.純金屬鍵D.離子鍵向共價(jià)鍵過渡0097.根據(jù)無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說，氧多面體中正離子配位數(shù)一般為________。A.2B.3C.4D.60098.在硅酸鹽玻璃中，每個(gè)氧離子最多和________個(gè)正離子連接。A.1B.2C.3D.40099.在計(jì)算硅酸鹽玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)時(shí)，Z=________。A.2B.3C.4D.60100.根據(jù)無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說，氧多面體至少有________個(gè)頂角和相鄰氧多面體共有。A.2B.3C.4D.60101.在計(jì)算硼酸鹽玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)時(shí)，Z=________。A.2B.3C.4D.60102.高分子晶體的基本結(jié)構(gòu)單元是________。A.原子B.分子C.離子D.分子鏈鏈段0103.由C－C單鍵內(nèi)旋轉(zhuǎn)而形成的構(gòu)像有________種。A.6B.7C.8D.90104.晶體中高分子的構(gòu)像決定于________和________兩種因素。A.分子鏈自身B.晶體缺陷C.分子鏈間互相作用D.方向性0105.高分子結(jié)晶形態(tài)重要有________：A.單晶B.球晶C.面心立方D.六方0106.液晶高分子是________鍵合而成。A.高分子鏈段B.分子C.小分子液晶基元D.離子0107.液晶的結(jié)構(gòu)類型有________：A.向列型B.膽甾型C.近晶型D.溶液型0108.高分子鏈的旋光異構(gòu)體有________：A.同規(guī)立構(gòu)B.全同立構(gòu)C.間同立構(gòu)D.無規(guī)立構(gòu)0109.高分子共聚物有________：A.無規(guī)共聚物B.交替共聚物C.嵌段共聚物D.接枝共聚物0110.非晶高聚物的力學(xué)狀態(tài)有________：A.玻璃態(tài)B.高彈態(tài)C.液態(tài)D.粘流態(tài)0111.高聚物的熱轉(zhuǎn)變有________。A.玻璃化轉(zhuǎn)變B.黏性流動(dòng)C.熔化D.汽化0112.晶體結(jié)構(gòu)中的缺陷在溫度為________時(shí)才干生成。A.0KB.>298KC.>0KD.>0℃0113.晶體結(jié)構(gòu)缺陷按照其尺度范圍（即按照偏離抱負(fù)結(jié)構(gòu)的周期性有規(guī)律排列的區(qū)域大?。﹣矸诸?，可分為________類。A.2B.3C.4D.60114.點(diǎn)缺陷根據(jù)成分可以分為________類。A.1B.2C.3D.40115.熱缺陷可以分為________類。A.1B.2C.3D.40116.在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí)，上標(biāo)''表達(dá)帶________個(gè)電荷。A.-1B.+2C.-2D.+10117.對(duì)于離子化合物，晶體中總共有________種點(diǎn)缺陷基本形式。A.5B.6C.8D.100118.溫度越高，熱缺陷生成能________。A.越高B.不變C.越低0119.生成固溶體時(shí)，在固溶限度以內(nèi)固溶體是________相。A.2B.3C.1D.40120.對(duì)于二元體系生成固溶體時(shí)，當(dāng)超過固溶限度時(shí)，固溶體是________。A.單相B.2相C.3相D.4相0121.固溶體按溶質(zhì)質(zhì)點(diǎn)在溶劑晶格中的位置來劃分，可以分為________類。A.1B.2C.3D.40122.點(diǎn)缺陷根據(jù)位置可以分為________類。A.1B.2C.3D.40123.在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí)，上標(biāo)···表達(dá)帶________個(gè)電荷。A.+1B.2C.-2D.+30124.固溶體有________種分類方法。A.2B.3C.4D.60125.對(duì)于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1<15%時(shí)，生成________。A.化合物B.連續(xù)型固溶體C.有限型固溶體D.不生成固溶體0126.對(duì)于無機(jī)化合物，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1<15%，晶體結(jié)構(gòu)類型相同、電價(jià)不等，則生成________。A.化合物B.連續(xù)型固溶體C.有限型固溶體D.不生成固溶體0127.置換型固溶體中的“組分缺陷”有________種。A.3B.4C.5D.60128.對(duì)于金屬材料，設(shè)D為實(shí)驗(yàn)測(cè)定密度值，D0為計(jì)算的理論密度，若D<D0，則固溶體為________。A.缺位型B.置換型C.間隙型D.不生成0129.非化學(xué)計(jì)量化合物有________種類型。A.3B.4C.5D.60130.TiO2-x當(dāng)環(huán)境中氧氣氛壓力減小或者在還原性氣氛中，則其電導(dǎo)率與氧分壓的________次方成反比。A.1/3B.1/4C.1/5D.1/60131.Fe1-xO當(dāng)環(huán)境氧分壓升高時(shí)，則其電導(dǎo)率與氧分壓的________次方成正比。A.1/3B.1/4C.1/5D.1/60132.點(diǎn)缺陷根據(jù)產(chǎn)生因素可以分為________類。A.1B.2C.3D.40133.在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí)，上標(biāo)不寫表達(dá)帶________個(gè)電荷。A.0B.-1C.+2D.+30134.在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí)，上標(biāo)為?表達(dá)帶________個(gè)電荷。A.+2B.+3C.-1D.+10135.固溶體按溶質(zhì)在溶劑中的溶解度分類，可以分為________類。A.1B.2C.30136.對(duì)于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1>30%時(shí)，生成________。A.化合物B.連續(xù)型固溶體C.有限型固溶體D.不生成固溶體0137.間隙型固溶體中共有________種缺陷形式。A.2B.3C.4D.50138.對(duì)于無機(jī)化合物，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1<15%、晶體結(jié)構(gòu)類型相同、電價(jià)相等，則生成________。A.化合物B.連續(xù)型固溶體C.有限型固溶體D.不生成固溶體0139.對(duì)于金屬材料，設(shè)D為實(shí)驗(yàn)測(cè)定密度值，D0為計(jì)算的理論密度，若D=D0，則固溶體為________。A.缺位型B.置換型C.間隙型D.不生成0140.對(duì)于無機(jī)化合物，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1=15-30%、晶體結(jié)構(gòu)類型相同、電價(jià)相等、電負(fù)性差值>0.4，則生成________。A.化合物B.連續(xù)型固溶體C.有限型固溶體D.不生成固溶體0141.對(duì)于金屬材料，設(shè)D為實(shí)驗(yàn)測(cè)定密度值，D0為計(jì)算的理論密度，若D>D0，則固溶體為________。A.缺位型B.置換型C.間隙型D.不生成0142.一般情況下，液體的表面張力隨溫度的升高會(huì)________。A.增大B.減小C.不變D.先增大再減小0143.一般情況下，固體的表面能隨溫度的升高會(huì)________。A.增大B.減小C.不變D.先增大再減小0144.彎曲表面的附加壓力△P總是________曲面的曲率中心。A.指向B.背向C.平行D.垂直0145.凸形曲面上的蒸氣壓會(huì)________凹形曲面上的蒸氣壓。A.小于B.等于C.大于D.大于等于0146.相同環(huán)境條件下，相同物質(zhì)小晶粒的溶解度會(huì)________大顆粒的溶解度。A.等于B.大于C.小于D.大于等于0147.潤(rùn)濕的過程是體系吉布斯自由能________的過程。A.升高B.減少C.不變D.變化無規(guī)律0148.小角度晶界模型中的傾轉(zhuǎn)晶界是由________組成的。A.刃型位錯(cuò)B.螺旋位錯(cuò)C.混合位錯(cuò)D.位錯(cuò)中心重疊0149.小角度晶界模型中的扭轉(zhuǎn)晶界是由________組成的。A.刃型位錯(cuò)B.螺旋位錯(cuò)C.混合位錯(cuò)D.位錯(cuò)中心重疊0150.離子晶體中晶界電荷的產(chǎn)生是由________引起的。A.陰、陽離子的空位形成能不同B.陰、陽離子的填隙形成能不同C.溶質(zhì)D.兩種溶質(zhì)0151.在穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散中，任一點(diǎn)的________不隨時(shí)間變化。A.溫度B.濃度梯度C.密度D.濃度0152.固體材料中原子擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力是________。A.濃度梯度B.溫度梯度C.化學(xué)勢(shì)梯度D.活度0153.在間隙固溶體中，溶質(zhì)原子的擴(kuò)散方式一般為________。A.間隙機(jī)制B.原子互換機(jī)制C.空位機(jī)制D.置換機(jī)制0154.在柯肯達(dá)爾效應(yīng)中，惰性標(biāo)記移動(dòng)的重要因素是________。A.兩組元的原子半徑不同B.兩組元的擴(kuò)散速度不同C.僅一組元擴(kuò)散D.兩組元中的空位濃度不同0155.通常情況下，間隙擴(kuò)散的激活能要比空位擴(kuò)散的激活能________。A.同樣B.相等C.小D.大0156.Fick第一定律中的負(fù)號(hào)表達(dá)擴(kuò)散方向與濃度減少方向________。A.垂直B.一致C.相反D.可逆0159.形成臨界晶核時(shí)體積自由能的減少只能補(bǔ)償表面能的________。A.1/3B.2/3C.3/4D.1/20160.一級(jí)相變的特點(diǎn)是，相變發(fā)生時(shí)，兩平衡相的________相等，但其一階偏微分不相等。A.熵B.體積C.化學(xué)勢(shì)D.熱容0161.馬氏體轉(zhuǎn)變是________。A.擴(kuò)散型相變B.二級(jí)相變C.液-固相變D.無擴(kuò)散型相變0162.根據(jù)相變過程的溫度條件，若相變過程是放熱過程，則該過程必須________。A.過熱B.過冷卻C.吸熱D.平衡0163.晶體的表面能與所顯露的那個(gè)晶面有關(guān)，密排的晶面表面能________。A、最低B、最高C、適中D.不擬定0001.D0002.A00003.C0004.B0005.A0006.D0007.A0008.C0009.A0010.B0011.C0012.ACD0013.A0014.C0015.C0016.A0017.B0018.B0019.C0020.AB0021.B0022.B0023.C0024.D0025.ACD0026.AD0027.D0028.BD0029.BC0030.B0031.B0032.A0033.AD0034.BD0035.A0036.D0037.A0038.BC0039.C0040.C0041.D0042.C0043.C0044.D0045.BD0046.B0047.C0048.B0049.BD0050.B0051.A0052.B0053.C0054.C0055.C0056.B0057.C0058.B0059.A0060B0061.B0062.D0063.B0064.C0065.A0066.A0067C0068.D0069.C0070.D0071.B0072.ABD0073.B0074.D0075.C0076.C0077.C0078.D0079.B0080.A0081.C0082.ACD0083.A0084.C0085.B0086.A0087.B0088.BC0089.D0090.B0091.B0092.C0093.C0094.A0095.C0096.BD0097.BC0098.B0099.C0100.B0101.B0102.D0103.C0104.AC0105.AB0106.C0107.ABC0108.BCD0109.ABCD0110.ABD0111.AB0112.A0113.C0114.B0115.B0116.C0117.A0118.C0119.C0120.B0121.B0122.B0123.D0124.C0125.B0126.C0127.B0128.A0129.B0130.D0131.D0132.C0133.A0134.D0135.B0136.D0137.B0138.B0139.B0140.A0141.C0142.B0143.B0144.A0145.C0146.B0147.B0148.A0149.B0150.ABC0151.D0152.C0153.A0154.B0155.C0156.B0157.D0158.C0159.A0160.C0161.D0162.B0163.A四、簡(jiǎn)答題

0001.試述玻璃和晶體的差別。解：晶體的內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間作有規(guī)律的反復(fù)排列，兼具短程有序和長(zhǎng)程有序的結(jié)構(gòu)。而玻璃的內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)則呈近程有序而遠(yuǎn)程無序的無規(guī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)或微晶子結(jié)構(gòu)。與非晶體比較晶體具有自限性、均一性、異向性、對(duì)稱性、最小內(nèi)能和穩(wěn)定性。0002.晶胞與空間格子是何種關(guān)系？解：晶胞是指可以充足反映整個(gè)晶體結(jié)構(gòu)特性的最小結(jié)構(gòu)單位，晶體可當(dāng)作晶胞的無間隙堆垛而成。晶胞的形狀大小與相應(yīng)的單位平行六面體完全一致，并可用與平行六面體相同的參數(shù)來表征晶胞的幾何特性。其區(qū)別是單位平行六面體是不具任何物理、化學(xué)特性的幾何點(diǎn)（等同點(diǎn)）構(gòu)成的。而晶胞則是實(shí)在的具體質(zhì)點(diǎn)構(gòu)成。0003.以NaCl晶胞為例，試說明面心立方緊密堆積中的八面體和四周體空隙的位置和數(shù)量。解：以NaCl晶胞中（001）面心的一個(gè)球（Cl-離子）為例，它的正下方有1個(gè)八面體空隙（體心位置），與其對(duì)稱，正上方也有1個(gè)八面體空隙；前后左右各有1個(gè)八面體空隙（棱心位置）。所以共有6個(gè)八面體空隙與其直接相鄰，由于每個(gè)八面體空隙由6個(gè)球構(gòu)成，所以屬于這個(gè)球的八面體空隙數(shù)為6×1/6=1。在這個(gè)晶胞中，這個(gè)球還與此外2個(gè)面心、1個(gè)頂角上的球構(gòu)成4個(gè)四周體空隙（即1/8小立方體的體心位置）；由于對(duì)稱性，在上面的晶胞中，也有4個(gè)四周體空隙由這個(gè)參與構(gòu)成。所以共有8個(gè)四周體空隙與其直接相鄰，由于每個(gè)四周體空隙由4個(gè)球構(gòu)成，所以屬于這個(gè)球的四周體空隙數(shù)為8×1/4=2。0004.試述晶體結(jié)構(gòu)中點(diǎn)缺陷的類型。以通用的表達(dá)法寫出晶體中各種點(diǎn)缺陷的表達(dá)符號(hào)。試舉例寫出CaCl2中Ca2+置換KCl中K+或進(jìn)入到KCl間隙中去的兩種點(diǎn)缺陷反映表達(dá)式。解：晶體結(jié)構(gòu)中的點(diǎn)缺陷類型共分：間隙原子、空位和雜質(zhì)原子等三種。在MX晶體中，間隙原子的表達(dá)符號(hào)為Mi或Xi；空位缺陷的表達(dá)符號(hào)為：VM或VX。假如進(jìn)入MX晶體的雜質(zhì)原子是A，則其表達(dá)符號(hào)可寫成：AM或AX（取代式）以及Ai（間隙式）。當(dāng)CaCl2中Ca2+置換KCl中K+而出現(xiàn)點(diǎn)缺陷，其缺陷反映式如下：CaCl2++2ClCl

CaCl2中Ca2+進(jìn)入到KCl間隙中而形成點(diǎn)缺陷的反映式為：CaCl2+2+2ClCl0005.在缺陷反映方程式中，所謂位置平衡、電中性、質(zhì)量平衡是指什么？解：位置平衡是指在化合物MaXb中，M格點(diǎn)數(shù)與X格點(diǎn)數(shù)保持對(duì)的的比例關(guān)系，即M：X=a：b。電中性是指在方程式兩邊應(yīng)具有相同的有效電荷。質(zhì)量平衡是指方程式兩邊應(yīng)保持物質(zhì)質(zhì)量的守恒。0006.試比較刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的異同點(diǎn)。解：刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的異同點(diǎn)見下表所示。刃型位錯(cuò)螺型位錯(cuò)與柏格斯矢量的位置關(guān)系柏格斯矢量與刃性位錯(cuò)線垂直柏格斯矢量與螺型位錯(cuò)線平行位錯(cuò)分類刃性位錯(cuò)有正負(fù)之分螺形位錯(cuò)分為左旋和右旋位錯(cuò)是否引起晶體畸變和形成應(yīng)力場(chǎng)引起晶體畸變和形成應(yīng)力場(chǎng)，且離位錯(cuò)線越遠(yuǎn)，晶格畸變?cè)叫∫鹁w畸變和形成應(yīng)力場(chǎng)，且離位錯(cuò)線