化合物半導(dǎo)體供不應(yīng)求，5G機(jī)遇下企業(yè)加快布局

半導(dǎo)體材料的種類(lèi)繁多，根據(jù)化學(xué)式可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)：?jiǎn)钨|(zhì)半導(dǎo)體包括硅（Si）、鍺（Ge）等，化合物半導(dǎo)體包括砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等。其中，化合物半導(dǎo)體又可以細(xì)分為以GaAs與InP為代表的第二代半導(dǎo)體材料以及以GaN、Sic與ZnO為代表的第三代化合物半導(dǎo)體。

當(dāng)前，全球領(lǐng)先企業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)都聚焦在了第三代半導(dǎo)體材料上，主要是其禁帶寬度大，電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好，具有前幾代材料所不可比擬的特質(zhì)。不同半導(dǎo)體材料的特性

化合物半導(dǎo)體具有高頻率和大功率等優(yōu)異性能，是未來(lái)5G通信不可替代的核心技術(shù)。中國(guó)是全球最大的移動(dòng)通信市場(chǎng)，最快將在2019年實(shí)現(xiàn)5G通信商用，有望依托市場(chǎng)新機(jī)遇提升化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。但目前，我國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還處于起步階段，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)能規(guī)模較小，需求從國(guó)外進(jìn)口大量的化合物半導(dǎo)體。2014-2017年中國(guó)化合物半導(dǎo)體行業(yè)供需情況

2017年我國(guó)化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約381.3億元，同比2016年的330.4億元增長(zhǎng)了15.41%，近幾年我國(guó)化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模情況如下圖所示：2014-2017年中國(guó)化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模

目前，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體主要細(xì)分為砷化鎵半導(dǎo)體和氮化鎵、碳化硅及其他半導(dǎo)體。2017年我國(guó)化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約381.3億元，其中，砷化鎵半導(dǎo)體368.8億元，氮化鎵、碳化硅及其他半導(dǎo)體12.5億元。如下圖所示：2014-2017年中國(guó)化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)細(xì)分規(guī)模情況

化合物半導(dǎo)體的前景吸引著世界半導(dǎo)體領(lǐng)域企業(yè)都在加緊布局，主要廠商有Skyworks、Qorvo、Avago，其中晶圓制造廠商主要有GCS、穩(wěn)懋、宏捷科技、三安光電等。其中市場(chǎng)前景廣闊的氮化鎵，受到全球領(lǐng)先產(chǎn)商有被英飛凌收購(gòu)的Cree與日本住友的青睞。近幾年國(guó)內(nèi)領(lǐng)先廠商注重研發(fā)投入的持續(xù)性，提前布局適用于5G時(shí)代的新材料應(yīng)用，未來(lái)有望伴隨下游市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)創(chuàng)造出國(guó)產(chǎn)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)有利競(jìng)爭(zhēng)地位。

化合物半導(dǎo)體最早應(yīng)用于消費(fèi)應(yīng)用市場(chǎng)，包括3G和4G手機(jī)的功率放大器（PA）和LED照明。近年來(lái)，化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)品和方案開(kāi)始陸