總復(fù)習(xí)1.倒易矢（倒格矢）和它所代表的平行晶面的關(guān)系

2.晶帶定理和零層倒易面

3.會畫出立方晶系和正方晶系的以簡單的晶向指數(shù)為晶帶軸的零層倒易面

主要公式：晶帶定理：Hu+Kv+Lw=0倒格基矢和正格基矢的關(guān)系：正交晶系:a*=1/a,b*=1/b,c*=1/c；*=*=*=90

方向和各對應(yīng)的正格矢的方向相同，立方和正方包含在正交晶系，是其特殊情況第一章第二章1.X射線的本質(zhì)是什么，其主要的發(fā)展歷史？2.連續(xù)X射線是如何產(chǎn)生的？什么是短波限？3.特征X射線是如何產(chǎn)生的？得到單一波長的X射線的方法？4.特征X射線和元素的關(guān)系由什么定律來聯(lián)系？5.電子被激發(fā)和電子躍遷的能級示意圖？6.什么是K系激發(fā)和K系躍遷，7.靶和濾波片的關(guān)系，靶和樣品的關(guān)系主要公式:莫塞來定律X射線短波限λ0

V的單位用kV倒易球反射球2θO1/λ2/λ1/dHKL極限球衍射產(chǎn)生的充分必要條件：衍射必要條件(衍射矢量方程或其它等效形式)加F2≠0。原子散射因子：衍射方向和衍射強(qiáng)度四種基本類型點(diǎn)陣的系統(tǒng)消光規(guī)律布拉菲點(diǎn)陣出現(xiàn)的反射消失的反射簡單點(diǎn)陣全部沒有底心h+k偶數(shù)h+k奇數(shù)體心(h+k+l)偶數(shù)(h+k+l)奇數(shù)面心h,k,l全奇或全偶h,k,l有奇有偶1.X射線衍射儀

基本組成：X射線發(fā)生器、X射線測角儀、輻射探測器、輻射探測電路、控制操作和運(yùn)行軟件等。成像原理：厄瓦爾德圖解衍射花樣：強(qiáng)度(I)對位置(2)的分布(I－2曲線)衍射特點(diǎn)：a）X射線有一定發(fā)散度,且光源不動,樣品臺和計(jì)數(shù)管以1:2的角速度繞中心軸轉(zhuǎn)動b)SOF在同一聚焦圓上，c）參與散射的晶面平行于平板樣品的表面d)聚焦圓半徑隨布拉格角θ的變化而變化e)θ的角度從0到90度變化時(shí),d的大小從大變小,所能測得的最小的間距為λ/2第四章計(jì)算題：利用布拉格方程計(jì)算晶面間距，晶格常數(shù)，根據(jù)消光規(guī)律做指數(shù)標(biāo)定三級放大成像MT

=MOMIMP2.透射電鏡的放大倍數(shù)1.電子束與固體作用時(shí)激發(fā)的信號？第五章第六章立方晶系多晶電子衍射關(guān)系式：

對X射線衍射3.連比規(guī)律(立方晶系)（a）明場像(b)暗場像(c)中心暗場像成像操作光路圖直射束成像衍射束成像衍射束成像明場像與暗場像的襯度相反5.成像的基本模式6.ＴＥＭ主要的透鏡和位置及其作用樣品上面聚光鏡樣品下面物鏡物鏡下面中間鏡投影鏡中間鏡下面7.ＴＥＭ主要的光欄和位置及其作用聚光鏡光欄第二聚光鏡下面物鏡光欄物鏡背焦面處中間鏡光欄（選區(qū)光欄）物鏡像平面處（1）不引起材料組織的變化（2）足夠薄，否則將引起薄膜內(nèi)不同層次圖象的重迭，干擾分析（3）薄膜應(yīng)具有一定的強(qiáng)度，具有較大面積的透明區(qū)域（4）制備過程應(yīng)易于控制，有一定的重復(fù)性，可靠性8.透射電鏡薄膜試樣的要求和制備方法1.放大倍數(shù)Ac→熒光屏上掃描幅度，AS→樣品上掃描幅度數(shù)倍—80萬倍SEM的主要性能：第八章2.分辨率

二次電子SE5～10nm背散射電子BE50～200nm特征X射線100～1000nm俄歇電子AE5～10nm掃描電鏡的襯度原理

二次電子成像襯度

背散射電子成像襯度一、成分襯度背散射系數(shù)η隨原子序數(shù)Z增大而增大二次電子不明顯二、形貌襯度二次電子成像的主要襯度來源背散射電子由于不好控制，而且作用體積比較大所以形貌分析效果不及二次電子電子探針儀能譜儀波譜儀按光子能量展譜，Si(Li)探測器按光子波長展譜，分光晶體電子探針的工作方式：分析某種元素沿一條線的分布，固定檢測這種元素的特征X射線點(diǎn)分析線分析面分析全譜分析，分析微小區(qū)域的元素組成分析某種元素沿一個(gè)面的分布，固定檢測這種元素的特征X射線Si(Li)能譜儀的特點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn)：(1)定性分析速度快

可在幾分鐘內(nèi)分析和確定樣品中含有的幾乎所有元素。

鈹窗口：11Na~92U，新型材料窗口：4Be~92U

(2)靈敏度高X射線收集立體角大，空間分辨率高。

(3)譜線重復(fù)性好

適合于比較粗糙表面的分析工作。缺點(diǎn)：(1)能量分辨率低，峰背比低。能譜儀的能量分辨率(130eV)比波譜儀的能量分辨率(5eV)低。(2)工作條件要求嚴(yán)格。Si(Li)探頭必須始終保持在液氦冷卻的低溫狀態(tài)。(3)定量分析精度不如波譜儀。DTA、TG和DSC熱分析的概念原理和分析方法。簡述幾個(gè)簡單礦物的失重過程的原因和具體的反應(yīng)。發(fā)射分子光譜原子光譜