ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T41652—2022

刻蝕機(jī)用硅電極及硅環(huán)

Siliconelectrodeandsiliconringforplasmaetchingmachine

2022-07-11發(fā)布2023-02-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T41652—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導(dǎo)體硅材料股份公司山東有研半導(dǎo)體材料有限公司新美光蘇州半導(dǎo)

:、、()

體科技有限公司浙江海納半導(dǎo)體有限公司

、。

本文件主要起草人庫(kù)黎明孫燕閆志瑞張果虎夏秋良潘金平

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T41652—2022

刻蝕機(jī)用硅電極及硅環(huán)

1范圍

本文件規(guī)定了刻蝕機(jī)用硅電極及硅環(huán)的技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存和隨

、、、、、、

行文件以及訂貨單內(nèi)容

。

本文件適用于直拉硅單晶加工成的刻蝕機(jī)用直徑的硅電極及硅環(huán)

p<100>200mm~450mm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率的測(cè)定直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)?/p>

GB/T1551

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T11073

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法

GB/T29505

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

平面度f(wàn)latness

硅電極或硅環(huán)厚度的最大值與最小值之間的差值

。

4技術(shù)要求

41電學(xué)參數(shù)

.

硅電