數(shù)字三極管行業(yè)概況分析數(shù)字三極管行業(yè)概況與普通三極管相比，數(shù)字三極管是將三極管和一個(gè)或兩個(gè)偏置電阻R1和R2集成在同一款芯片上，類(lèi)同于小規(guī)模集成電路。數(shù)字三極管的R1電阻主要用來(lái)穩(wěn)定三極管的工作狀態(tài)，R2電阻主要用來(lái)吸收降低輸入端的漏電流和噪聲，電阻R1和R2有不同的阻值搭配，形成了豐富的產(chǎn)品組合。數(shù)字三極管以中小功率為主，當(dāng)前市場(chǎng)上主流數(shù)字三極管產(chǎn)品的最大輸出電流為500mA。數(shù)字三極管技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)是芯片尺寸向小型化方向發(fā)展，產(chǎn)品的輸出電流不斷增大，電阻要求更加精準(zhǔn)，同時(shí)增加R1和R2的電阻組合，以滿(mǎn)足客戶(hù)使用時(shí)不同輸入電壓和電流的要求。數(shù)字三極管使用方便，同時(shí)可以節(jié)省外圍使用電路的空間，在手機(jī)等對(duì)內(nèi)部空間要求比較嚴(yán)格的電子產(chǎn)品中應(yīng)用廣泛。手機(jī)等移動(dòng)終端對(duì)空間要求較高，為了節(jié)省空間，在電路設(shè)計(jì)時(shí)將更多選擇將電阻集成在三極管內(nèi)部，因此，隨著手機(jī)等移動(dòng)終端的發(fā)展，數(shù)字三極管的市場(chǎng)需求將越來(lái)越大。據(jù)公開(kāi)資料顯示，2019年全球包括三極管、MOSFET和IGBT在內(nèi)整個(gè)晶體管市場(chǎng)規(guī)模約為138．27億美元，2020年則為147．88億美元，同比增長(zhǎng)6．95%。從競(jìng)爭(zhēng)格局看，數(shù)字三極管?chē)?guó)內(nèi)市場(chǎng)參與者主要包括燕東微、日本Phenitec、杭州友旺電子等，市場(chǎng)格局相對(duì)固定。半導(dǎo)體行業(yè)光刻膠：半導(dǎo)體工藝核心材料，道阻且長(zhǎng)光刻膠是光刻工藝最重要的耗材。光刻膠是一種通過(guò)特定光源照射下發(fā)生局部溶解度變化的光敏材料，主要作用于光刻環(huán)節(jié)，承擔(dān)著將掩模上的圖案轉(zhuǎn)化到晶圓的重要功能。進(jìn)行光刻時(shí)，硅片上的金屬層涂抹光刻膠，掩膜上印有預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路圖案，光線透過(guò)掩膜照射光刻膠。如果曝光在紫外線下的光刻膠變?yōu)槿軇宄罅粝卵谀ど系膱D案，此為正性膠，反之為負(fù)性膠。光刻膠可以根據(jù)曝光光源波長(zhǎng)、顯示效果和化學(xué)結(jié)構(gòu)三種方式進(jìn)行分類(lèi)。根據(jù)曝光波長(zhǎng)的不同，目前市場(chǎng)上應(yīng)用較多的光刻膠可分為g線、i線、KrF、ArF和EUV5種類(lèi)型。光刻膠波長(zhǎng)越短，加工分辨率越高，不同的集成電路工藝在光刻中對(duì)應(yīng)使用不同波長(zhǎng)的光源。隨著芯片制程的不斷進(jìn)步，每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)與之相匹配。g/i線光刻膠誕生于20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)主流制程工藝在0．8-1．2μm，適用于波長(zhǎng)436nm的光刻光源。到了90年代，制程進(jìn)步到0．35-0．5μm，對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)更短的365nm光源。當(dāng)制程發(fā)展到0．35μm以下時(shí)，g/i線光刻膠已經(jīng)無(wú)法制程工藝的需求，于是出現(xiàn)了適用于248納米波長(zhǎng)光源的KrF光刻膠，和193納米波長(zhǎng)光源的ArF光刻膠，兩者均是深紫外光刻膠。EUV（極紫外光）是目前最先進(jìn)的光刻膠技術(shù)，適用波長(zhǎng)為13．5nm的紫外光，可用于10nm以下的先進(jìn)制程，目前僅有ASML集團(tuán)掌握EUV光刻膠所對(duì)應(yīng)的光刻機(jī)技術(shù)。根據(jù)顯示效果的不同，光刻膠可分為正性和負(fù)性。如果光刻膠是正性的，在特定光線照射下光刻膠會(huì)發(fā)生反應(yīng)并變成溶劑，曝光部分的光刻膠可以被清除。如果為負(fù)性光刻膠，曝光的光刻膠反應(yīng)不再是溶劑，未曝光的光刻膠被清除。光分解型光刻膠采用含有重氮醌類(lèi)化合物材料作為感光劑，光線照射后發(fā)生光分解反應(yīng)，由油性變?yōu)樗匀軇?，可制造正性光刻膠。光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯作為光敏材料，光線照射后形成一種網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的不溶物，可起到抗蝕作用，適用于制成負(fù)性光刻膠?；瘜W(xué)放大型光刻膠使用光致酸劑作為光引發(fā)劑，光線照射后，曝光區(qū)域的光致酸劑會(huì)產(chǎn)生一種酸，并在后熱烘培工序期間作為催化劑移除樹(shù)脂的保護(hù)基團(tuán)，使樹(shù)脂變得可溶?；瘜W(xué)放大光刻膠對(duì)深紫外光源具有良好的光敏性，具有高對(duì)比度、分辨率等優(yōu)點(diǎn)。半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)增速穩(wěn)定。伴隨芯片制程工藝的升級(jí)，光刻膠市場(chǎng)需求量也隨之增加。根據(jù)TECHECT數(shù)據(jù)，2021年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約為19億美元，同比增長(zhǎng)11%，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到21．34億美元，同比增長(zhǎng)12．32%。具體來(lái)看，在7nm制程的EUV技術(shù)成熟之前，ArFi光刻膠仍是市場(chǎng)主流，占比高達(dá)36．8%，KrF和g/i光刻膠分別占比為35．8%和14．7%。半導(dǎo)體材料景氣持續(xù)，市場(chǎng)空間廣闊半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。無(wú)論從科技或經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體都至關(guān)重要。2010年以來(lái)，全球半導(dǎo)體行業(yè)從PC時(shí)代進(jìn)入智能手機(jī)時(shí)代，成為全球創(chuàng)新最為活躍的領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類(lèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信和汽車(chē)電子等核心領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要由集成電路、光電子、分立器件和傳感器組成，據(jù)WSTS世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)測(cè)，到2022年全球集成電路占比84．22%，光電子器件、分立器件、傳感器占比分別為7．41%、5．10%和3．26%。半導(dǎo)體工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘極高。芯片生產(chǎn)大體可分為硅片制造、芯片制造和封裝測(cè)試三個(gè)流程。其中硅片制造包括提純、拉單晶、磨外圓、切片、倒角、磨削、CMP、外延生長(zhǎng)等工藝，芯片制造包括清洗、沉積、氧化、光刻、刻蝕、摻雜、CMP、金屬化等工藝，封裝測(cè)試包括減薄、切割、貼片、引線鍵合、模塑、電鍍、切筋成型、終測(cè)等工藝。整體而言，硅片制造和芯片制造兩個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘極高。硅提純：目前多晶硅廠商多采用三氯氫硅改良西門(mén)子法進(jìn)行多晶硅生產(chǎn)。具體工藝是將氯化氫和工業(yè)硅粉在沸騰爐內(nèi)合成三氯氫硅，通過(guò)精餾進(jìn)一步提純高純?nèi)葰涔瑁笤?100℃左右用高純氫還原高純?nèi)葰涔瑁啥嗑Ч璩练e在硅芯上，進(jìn)而得到電子級(jí)多晶硅。拉單晶：目前8寸和12寸硅片大多通過(guò)直拉法制備，部分6寸和8寸硅片則通過(guò)區(qū)熔法制得。直拉法是將高純多晶硅放入石英坩堝內(nèi)，通過(guò)外圍的石墨加熱器加熱至1400℃，隨后坩堝帶著多晶硅融化物旋轉(zhuǎn)，將一顆籽晶浸入其中后，由控制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)慢慢地、垂直地由硅融化物中向上拉出，并在拉出后和冷卻后生長(zhǎng)成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。區(qū)熔法利用高頻線圈在多晶硅棒靠近籽晶一端形成熔化區(qū)，移動(dòng)硅棒或線圈使熔化區(qū)超晶體生長(zhǎng)方向不斷移動(dòng)，向下拉出得到單晶硅棒。切片：?jiǎn)尉Ч璋粞心コ上嗤睆?，然后根?jù)客戶(hù)要求的電阻率，多采用線切割將晶棒切成約1mm厚的晶圓薄片。倒角：用具備特定形狀的砂輪磨去硅片邊緣鋒利的崩邊、棱角和裂縫等，可防止晶圓邊緣碎裂，增加外延層和光刻膠層在晶圓邊緣的平坦度。磨削：在研磨機(jī)上用磨料將切片拋光到所需的厚度，同時(shí)提高表面平整度。其目的在于去除切片工序中硅片表面因切割產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力損傷層和各種金屬離子等雜質(zhì)污染。清洗：為了解決硅片表面的沾污問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)工藝潔凈表面，多采用強(qiáng)氧化劑、強(qiáng)酸和去離子水進(jìn)行清洗。薄膜沉積：即通過(guò)晶核形成、聚集成束、形成連續(xù)的膜沉積在硅片沉底上。薄膜沉積按照原理可分為物理工藝（PVD）和化學(xué)工藝（CVD）。集成電路制造中使用最廣泛的PVD技術(shù)是濺射鍍膜，其基本原理是在反應(yīng)腔高真空度背景下帶正電的氬離子在電場(chǎng)作用下，轟擊到靶材的表面，撞擊出靶材的原子或分子，沉積在硅片表面?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。氧化：清潔完成后將晶圓置于800-1200℃的高溫環(huán)境下，通過(guò)氧氣或蒸氣在晶圓表面形成二氧化硅層，以保護(hù)晶圓不受化學(xué)雜質(zhì)影響、避免漏電流進(jìn)入電路、預(yù)防離子植入過(guò)程中的擴(kuò)散以及防止晶圓在刻蝕時(shí)滑落。光刻：光刻技術(shù)用于電路圖形生成和復(fù)制，是半導(dǎo)體制造最為關(guān)鍵的技術(shù)，耗時(shí)占IC制造50%，成本占IC制造1/3。其主要流程包括清洗、涂膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等，在光刻過(guò)程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠發(fā)生變化，顯影后被曝光的光刻膠可以被去除，電路圖形由掩模版轉(zhuǎn)移到光刻膠上，在經(jīng)過(guò)刻蝕后電路圖形即由掩模版轉(zhuǎn)移到硅片上。刻蝕：是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵步驟，對(duì)于器件的電學(xué)性能十分重要。利用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料，目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模版圖形。按照刻蝕工藝劃分，刻蝕主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕，目前干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占比約90%，而干法刻蝕又可分為化學(xué)去除、物理去除及化學(xué)物理混合去除三種方式，性能各有優(yōu)劣。摻雜：在半導(dǎo)體晶圓制造中，由于純凈硅的導(dǎo)電性能很差，需要加入少量雜質(zhì)使其結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)率發(fā)生變化，從而變成一種有用的半導(dǎo)體，即為摻雜。目前可通過(guò)高溫?zé)釘U(kuò)散法和離子注入法進(jìn)行摻雜，其中離子注入法具備精確控制能量和劑量、摻雜均勻性好、純度高、低溫?fù)诫s等優(yōu)點(diǎn)，目前已成為0．25微米特征尺寸以下和大直徑硅片制造的標(biāo)準(zhǔn)工藝。CMP：是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝，其主要工作原理是在一定壓力及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對(duì)拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，借助納米磨料的機(jī)械研磨作用與各類(lèi)化學(xué)試劑的化學(xué)作用之間的高度有機(jī)結(jié)合，使被拋光的晶圓表面達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。金屬化：在制備好的元器件表面沉積金屬薄膜，并進(jìn)行微細(xì)加工，利用光刻和刻蝕工藝刻出金屬互連線，然后把硅片上的各個(gè)元器件連接起來(lái)形成一個(gè)完整的電路系統(tǒng)，并提供與外電路連接點(diǎn)的工藝過(guò)程。半導(dǎo)體制程升級(jí)，銅鉭靶材有望成為主流根據(jù)靶材制造工藝的不同，可分為粉末冶金法和熔融鑄造法。粉末冶金法主要有熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結(jié)法三種方法，通過(guò)將各種原料粉混合再燒結(jié)成形的方式得到靶材，該方法優(yōu)點(diǎn)是靶材成分較為均勻、機(jī)械性能好、生產(chǎn)效率高、節(jié)約原材料成本，缺點(diǎn)是含氧量量高、密度低。熔融鑄造法主要有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉、真空電子束熔煉等方法，通過(guò)機(jī)械加工將熔煉后的鑄錠制備成靶材，該制造方法的優(yōu)點(diǎn)是靶材雜質(zhì)含量低、密度高、可大型化，缺點(diǎn)是對(duì)兩種合金密度相似度要求高、較難做到成分均勻化。根據(jù)化學(xué)成分的不同，靶材可分為單質(zhì)金屬靶材、合金靶材和陶瓷化合物靶材三種。單質(zhì)金屬靶材包括純金屬鋁、鈦、銅等；合金靶材包括鎳鉻合金和鎳鈷合金等；陶瓷化合物靶材包括氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等。在半導(dǎo)體晶圓制造中，8英寸及以下晶圓通常以鋁制程為主，多數(shù)使用的靶材為鋁、鈦靶材。12英寸晶圓制造，多使用先進(jìn)的銅互連技術(shù)，以銅、鉭靶材為主。全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)漲幅穩(wěn)定，中國(guó)市場(chǎng)增速更為顯著。根據(jù)華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模突破10億美元，同比上漲4%，2021年預(yù)計(jì)達(dá)10．4億美元。近年來(lái)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)展，半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。自2019年起，受新冠疫情影響，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)芯片緊缺，上游半導(dǎo)體靶材行業(yè)迎來(lái)高速成長(zhǎng)期，2020年中國(guó)半導(dǎo)體靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至17億元，同比上升12．88%，漲勢(shì)明顯。2022年市場(chǎng)缺芯現(xiàn)象仍將持續(xù)，有望進(jìn)一步促進(jìn)半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)需求量的上升。超高純金屬提純技術(shù)是核心壁壘。先進(jìn)半導(dǎo)體等高端制造行業(yè)所需金屬純度在6N及以上，一般的金屬提純技術(shù)無(wú)法滿(mǎn)足此要求。目前超高純銅、超高純鋁等多項(xiàng)核心專(zhuān)利技術(shù)掌握在如美國(guó)霍尼韋爾、日本日礦等外資巨頭手中。我國(guó)企業(yè)已在純化研究上取得一定突破，如有研億金的超純銅靶材已達(dá)到7N水平，并實(shí)現(xiàn)100噸/年的量產(chǎn)，有望在未來(lái)逐漸完成。美國(guó)企業(yè)為全球靶材市場(chǎng)主要廠商。亦如大多數(shù)半導(dǎo)體材料行業(yè)的細(xì)分市場(chǎng)，全球靶材市場(chǎng)主要由日本和美國(guó)企業(yè)占據(jù)。日本日礦金屬、美國(guó)霍尼韋爾、日本東曹和美國(guó)普萊克斯四家占據(jù)全球80%的市場(chǎng)份額。其中，日本日礦金屬所占市場(chǎng)份額最多，達(dá)30%。中國(guó)靶材市場(chǎng)呈外資壟斷格局。海外靶材公司憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)和數(shù)十年技術(shù)研發(fā)的沉淀，在國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)中占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)份額達(dá)70%。國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)包括江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華科技等，市場(chǎng)份額在1%-3%左右。目前我國(guó)靶材行業(yè)相關(guān)聯(lián)企業(yè)數(shù)量較少，江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華科技靶材業(yè)務(wù)占比較高。美國(guó)、日本等高純金屬制造商主要集中在技術(shù)壁壘較高的高端靶材產(chǎn)品領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商競(jìng)爭(zhēng)集中在中低端產(chǎn)品領(lǐng)域。半導(dǎo)體材料為芯片之基，覆蓋工藝全流程半導(dǎo)體材料包括晶圓制造材料和封裝材料。其中晶圓制造材料包括硅片、掩模版、電子氣體、光刻膠、CMP拋光材料、濕電子化學(xué)品、靶材等，封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié)材料和其他封裝材料。具體來(lái)說(shuō)，在芯片制造過(guò)程中，硅晶圓環(huán)節(jié)會(huì)用到硅片；清洗環(huán)節(jié)會(huì)用到高純特氣和高純?cè)噭?；沉積環(huán)節(jié)會(huì)用到靶材；涂膠環(huán)節(jié)會(huì)用到光刻膠；曝光環(huán)節(jié)會(huì)用到掩模板；顯影、刻蝕、去膠環(huán)節(jié)均會(huì)用到高純?cè)噭?，刻蝕環(huán)節(jié)還會(huì)用到高純特氣；薄膜生長(zhǎng)環(huán)節(jié)會(huì)用到前驅(qū)體和靶材；研磨拋光環(huán)節(jié)會(huì)用到拋光液和拋光墊。在芯片封裝過(guò)程中，貼片環(huán)節(jié)會(huì)用到封裝基板和引線框架；引線鍵合環(huán)節(jié)會(huì)用到鍵合絲；模塑環(huán)節(jié)會(huì)用到硅微粉和塑封料；電鍍環(huán)節(jié)會(huì)用到錫球。中國(guó)為全球最大半導(dǎo)體市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)化提升大勢(shì)所趨復(fù)盤(pán)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷史，共經(jīng)歷三次轉(zhuǎn)移。第一次轉(zhuǎn)移：1973年爆發(fā)石油危機(jī)，歐美經(jīng)濟(jì)停滯，日本趁機(jī)大力發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，實(shí)施超大規(guī)模集成電路計(jì)劃。1986年，日本半導(dǎo)體產(chǎn)品已經(jīng)超越美國(guó)，成為全球第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)大國(guó)；第二次轉(zhuǎn)移：20世紀(jì)90年度，日本經(jīng)濟(jì)泡沫破滅，韓國(guó)通過(guò)技術(shù)引進(jìn)實(shí)現(xiàn)DRAM量產(chǎn)。與此同時(shí)，半導(dǎo)體廠商從IDM模式向設(shè)計(jì)+制造+封裝模式轉(zhuǎn)變，催生代工廠商大量興起，以臺(tái)積電為首的中國(guó)臺(tái)灣廠商抓住了半導(dǎo)體行業(yè)垂直分工轉(zhuǎn)型機(jī)遇；第三次轉(zhuǎn)移：2010年后，伴隨國(guó)內(nèi)手機(jī)廠商崛起、貿(mào)易摩擦背景下國(guó)家將集成電路的發(fā)展上升至國(guó)家戰(zhàn)略，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈逐漸向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移。中國(guó)為全球最大半導(dǎo)體市場(chǎng)，占比約1/3。隨著中國(guó)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，在手機(jī)、PC、可穿戴設(shè)備等消費(fèi)電子，以及新能源、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域的快速推動(dòng)下，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。據(jù)WSTS數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售達(dá)到5559億美元，而中國(guó)仍然為全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，2021年銷(xiāo)售額為1925億美元，占比34．6%。國(guó)產(chǎn)化率極低，提升自主能力日益緊迫。近年來(lái)，隨著產(chǎn)業(yè)分工更加精細(xì)化，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以市場(chǎng)為導(dǎo)向的發(fā)展態(tài)勢(shì)愈發(fā)明顯。從生產(chǎn)環(huán)節(jié)來(lái)看，制造基地逐步靠近需求市場(chǎng)，以減少運(yùn)輸成本；從產(chǎn)品研發(fā)來(lái)看，廠商可以及時(shí)響應(yīng)用戶(hù)需求，加快技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品迭代。我國(guó)作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，半導(dǎo)體封測(cè)經(jīng)過(guò)多年發(fā)展在國(guó)際市場(chǎng)已經(jīng)具備較強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，而在集成電路設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)與全球領(lǐng)先廠商仍有較大差距，特別是半導(dǎo)體設(shè)備和材料。SIA數(shù)據(jù)顯示，2020年國(guó)內(nèi)廠商在封測(cè)、設(shè)計(jì)、晶圓制造、材料、設(shè)備的全球市占率分別為38%、16%、16%、13%、2%，半導(dǎo)體材料與設(shè)備的重要性日益凸顯。半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，本土廠商進(jìn)展順利進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，5G、人工智能、自動(dòng)駕駛等新應(yīng)用的興起，對(duì)芯片性能提出了更高的要求，同時(shí)也推動(dòng)了半導(dǎo)體制造工藝和新材料不斷創(chuàng)新，國(guó)內(nèi)外晶圓廠加緊對(duì)于半導(dǎo)體新制程的研發(fā)，臺(tái)積電已于2020年開(kāi)啟了5nm工藝的量產(chǎn)，并于2021年年底實(shí)現(xiàn)3nm制程的試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2022年開(kāi)啟量產(chǎn)。此外臺(tái)積電表示已于2021年攻克2nm制程的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝技術(shù)難題，并預(yù)計(jì)于2023年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2024年逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。隨著芯片工藝升級(jí)，晶圓廠商對(duì)半導(dǎo)體材料要求越來(lái)越高。目前部分終端需求仍然強(qiáng)勁，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率維持歷史高位，預(yù)計(jì)全年來(lái)看結(jié)構(gòu)性缺貨狀態(tài)依舊嚴(yán)峻。據(jù)SEMI于2022年3月23日發(fā)布的最新一季全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告，全球用于前道設(shè)施的晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng)18%，并在2022年達(dá)到1070億美元的歷史新高。由于半導(dǎo)體材料與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，本土材料廠商將直接受益于中國(guó)大陸晶圓制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。成熟制程供需持續(xù)緊張，國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模維持高位。受益于成熟制程旺盛需求及大陸地區(qū)穩(wěn)定的供應(yīng)鏈，大陸晶圓廠快速擴(kuò)產(chǎn)。根據(jù)SEMI報(bào)告，2022年全球有75個(gè)正在進(jìn)行的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，計(jì)劃在2023年建設(shè)62個(gè)。2022年有28個(gè)新的量產(chǎn)晶圓廠開(kāi)始建設(shè)，其中包括23個(gè)12英寸晶圓廠和5個(gè)8英寸及以下晶圓廠。分區(qū)域來(lái)看，中國(guó)晶圓產(chǎn)能增速全球最快，預(yù)計(jì)22年8寸及以下晶圓產(chǎn)能增加9%，12寸晶圓產(chǎn)能增加17%。隨著下游電子設(shè)備硅含量增長(zhǎng)，半導(dǎo)體需求快速增長(zhǎng)。在半導(dǎo)體工藝升級(jí)+積極擴(kuò)產(chǎn)催化下，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。據(jù)SEMI報(bào)告數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)收入達(dá)到643億美元，超過(guò)了此前2020年555億美元的市場(chǎng)規(guī)模最高點(diǎn)，同比增長(zhǎng)15．9%。晶圓制造材料和封裝材料收入總額分別為404億美元和239億美元，同比增長(zhǎng)15．5%和16．5%。此外，受益于產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移趨勢(shì)，2021年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售額高達(dá)119．3億美元，同比增長(zhǎng)22%，增速遠(yuǎn)高于其他國(guó)家和地區(qū)。半導(dǎo)體材料種類(lèi)繁多，包括硅片、電子特氣、掩模版、光刻膠、濕電子化學(xué)品、拋光液、拋光墊、靶材等。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，硅片為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域規(guī)模最大的品類(lèi)之一，市場(chǎng)份額占比達(dá)32．9%，排名第一，其次為氣體，占比約14．1%，光掩模排名第三，占比為12．6%。此外，拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、濺射靶材的占比分別為7．2%、6．9%、6．1%、4%和3%。半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局高度集中，國(guó)內(nèi)廠商加速追趕CMP拋光液市場(chǎng)，美國(guó)Carbot是國(guó)際龍頭，安集科技為國(guó)內(nèi)龍頭。目前全球拋光液市場(chǎng)主要由美日廠商壟斷，美國(guó)Cabot、美國(guó)Versum、日本日立、日本Fujimi和美國(guó)陶氏杜邦五家美日廠商占據(jù)全球拋光液近八成的市場(chǎng)份額，安集科技僅占約3%。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中，美國(guó)Cabot占約64%，安集科技市占率為22%。安集科技為國(guó)產(chǎn)CMP拋光液龍頭，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)