第六章、PIC單片機的高可靠性和低功耗本章為提高部分了解系統(tǒng)的外圍設(shè)計第一節(jié)、系統(tǒng)振蕩方式及其選擇用戶可以通過定義“系統(tǒng)定義字”的第一位和第零位來選擇振蕩方式仿真工具如PICMATE（仿真器）和PICPROG（燒寫器）等可以讓用戶選擇所需要的振蕩方式進(jìn)行仿真和燒寫振蕩方式PIC12CXXPIC16CXXPIC17CXXLP低頻低功耗晶體振蕩LP低頻低功耗晶體振蕩LF低功耗晶體振蕩XT標(biāo)準(zhǔn)晶體/陶瓷振蕩XT標(biāo)準(zhǔn)晶體/陶瓷振蕩XT標(biāo)準(zhǔn)晶體/陶瓷振蕩INTRC內(nèi)部4MHZRC振蕩HS高速晶體/陶瓷振蕩EC外部時鐘輸入EXTRC外部RC振蕩RC低成本阻容振蕩RC低成本阻容振蕩1、晶體/陶瓷振蕩這種振蕩包括XT，HS，LP，其電路是在OSC1和OSC2兩端加一晶體/陶瓷只有HS和XT摸式才可能需要RS。2、RC振蕩 這種振蕩成本最低，但頻率穩(wěn)定度差，用于時序精確度要求不高的場合。 RC振蕩是在OSC1端接一個串聯(lián)電阻電容。阻值應(yīng)取5K-100K之間。電容應(yīng)取20PF以上。3外部振蕩各種PIC單片機當(dāng)工作在LP，XT，HS振蕩方式時，可以接受外部振蕩源，外部振蕩信號從OSC1端輸入，OSC2端開路。3、內(nèi)部上電復(fù)位上電延遲器（PWRT）:提供上電時延,使VDD有足夠時間上升 到合適的電壓振蕩起振定時器（OST）:上電需求上電復(fù)位延時時序:4、外部復(fù)位電路若需要延長復(fù)位時間以建立穩(wěn)定的振蕩，可以在MCLR端外接復(fù)位電路。5內(nèi)部掉電鎖定復(fù)位復(fù)位所定電路：在一些應(yīng)用中，要對供電電壓VDD隨時檢測，一旦VDD下降到某一閾值，就復(fù)位以免系統(tǒng)失控。而且這個復(fù)位狀態(tài)要一直保持到VDD上升到閾值以上才可以脫離。當(dāng)PCON寄存器的/BOR為1時表示已發(fā)生掉電復(fù)位鎖定。掉電復(fù)位鎖定不會改變寄存器的值。6、外部掉電復(fù)位鎖定低檔PIC單片機和某些高檔機不帶內(nèi)部掉電復(fù)位鎖定，需要外接復(fù)位鎖定電路。第三節(jié)、利用看門狗提高系統(tǒng)可靠性看門狗計時器(watchdogtimer),既WDT是一個片內(nèi)自振試RC振蕩計時器,無需任何的外接元件,即使芯片OSC1/OSC2上振蕩停止了(例如執(zhí)行了SLEEP后),WDT照樣保持計時.在芯片內(nèi)”系統(tǒng)定義字”(configurationEPROM)中的一個位是用于控制WDT的,可以將其置”0”來控制WDT使之永遠(yuǎn)不起作用.1、WDT周期WDT有一個基本的溢出周期18ms(當(dāng)無預(yù)分頻系數(shù)時),如果需要更長的WDT周期,可以把預(yù)分頻倍數(shù)分配給WDT,最大分頻比可達(dá)1:128,這時的WDT溢出周期和環(huán)境溫度.Vdd等參數(shù)有關(guān)系.“CLRWDT”和”SLEEP”指令將清除WDT計時器以及預(yù)分頻器(當(dāng)預(yù)分頻器分配個WDT時)2、WDT編程注意事項使用WDT,一定要在程序中放一條”CLRWDT”指令,以保證在WDT溢出前被清零.在噪聲工作環(huán)境下,OPTION寄存器可能會因受干擾而改變,從而改變預(yù)分頻器的分配狀態(tài),所以最好每隔一段時間就將其重新設(shè)置一下.

第四節(jié)、SLEEP方式及其喚醒一.進(jìn)入睡眠執(zhí)行一條”SLEEP”指令之后,PIC單片機即進(jìn)入睡眠狀態(tài),晶振停止,單片機的功耗大大減小,Ipd的典型值僅為幾個微安.二.喚醒睡眠下列事件可以將處于睡眠狀態(tài)的單片機喚醒.(1)在復(fù)位輸入端MCLR施加低電平使系統(tǒng)復(fù)位.(2)在看門狗WDT超時溢出,一般使喚醒后的芯片接著SLEEP指令繼續(xù)執(zhí)行,但是有的單片機如PIC16C5X的WDT溢出使系統(tǒng)復(fù)位.(3)外部中斷INT(4)RB口電平變化中斷(5)工作在同步計數(shù)方式下的TMR1中斷(6)SSP檢測到起始位/停止位產(chǎn)生的中斷.(7)CCP捕捉模式中斷.(8)并行口讀寫操作中斷.第六節(jié)、PIC單片機應(yīng)用系統(tǒng)

低功耗設(shè)計技術(shù)一、SLEEP模