CDMA設計開發(fā)部在原理圖設計中需要注意的一些事項，目的是使設計規(guī)范化，并通過將經(jīng)驗為規(guī)范的方式，避免設計過程中錯誤的發(fā)生，最終提高產(chǎn)品質(zhì)量。CadenceConceptHDL原理圖工具為依據(jù)，但其大部分內(nèi)容不局限于該Ctrl–左鍵點擊可以到相應位置。建議在閱讀條目的同時，對詳細說明進行閱讀，理解檢查項的意變更庫中提文檔故障，選擇3G硬件平臺，解決。目第一部分檢查條 原理圖制圖規(guī) 電路設 通用要 邏輯器件應 時鐘設 保護器件應 可編程邏輯器 電源設 其他應用經(jīng) 可靠性設 信號完整性/電源完整性設 系統(tǒng)相關(guān)設 可生產(chǎn)性設 可測試性設 測試 電路可測試 系統(tǒng)可測試 第二部分詳細說 原理圖制圖規(guī) 電路設 通用要 邏輯器件應 時鐘設 保護器件應 可編程邏輯器 電源設 其他應用經(jīng) 可靠性設 信號完整性/電源完整性設 系統(tǒng)相關(guān)設 可生產(chǎn)性設 可測試性設 測試 電路可測試 系統(tǒng)可測試 附 附錄1部門相關(guān)資源列 參考文 編后 12345原理圖首頁放置ZTE_Cover_A46原理圖除首頁之外，一律采用ZTEframeA4或者ZTEframeA4plus圖框。只有在元器件符號很大，無法在圖框中擺放的情況下方可以選用ZTE789 放置一個Standard庫中的ZTE_frameA4plus圖框，以用戶變量的形式正確填頁放置2個Contents框，左側(cè) 原理圖各頁內(nèi)容依次為：封面 原理圖上所有的文字方向應該統(tǒng)一，文字的上方應該朝向原理圖的上方（放文字）或左方（側(cè)放文字電纜層（雙絞線的-采用CadencePCB原理圖打印為PDF文件時，推薦使用Arial 頁模塊電路使用Standardinport，outport和ioport1234567差分信號應考慮Failsafe8PerformanceExceeds100mAPerJESD78,ClassII91234567要且不受上電復位控制（例如單片機ISP模塊中的背板復位信號和89對使能內(nèi)部上拉的ISPMACH4000型EPLDCycloneFPGA塊電路OE/CE只放置1個上下拉電阻。若件全部放置在同一頁面，在頁面放PCI總線設計中FRAME#,TRDY#,IRDY#,DEVSEL#,STOP#,電三態(tài)、關(guān)斷電流控制10K100歐姆。背板輸入信號緩沖器輸入先下拉再經(jīng)過串阻，設計123平面。該電容缺省不焊，如果EMC測試高頻輻射，可以焊上調(diào)試4567891TVS管的最大鉗位電壓VCMAX234對于高速鏈路，需要考慮TVS5注意單向和雙向TVS6RS-232鏈路中必須采用雙向TVS管。TVS78TVS9對于需要出機框的信號線（例如勤 123456789FPGA的Done指示管腳（包括ConfDone和InitDone信號）需要被不要用特殊管腳當做普通的IO可在nConfigRC電路。RCFPGA對于采用AS模式的設計，要保證nConfig的上升沿落在3.3V電源穩(wěn)可能的話提供一定的慢速時鐘給EPLD/FPGA123LDO輸出端濾波電容選取時注意參照手冊要求的最小電容、電容的456789電源控制JTAG口單獨引出電源?？?感應端在布局時應采用開爾文方式1么必須選擇OUT2反饋、OUT12345用ADM706R器件，采用MAX706避免此問題。6MPC860的TRST*設計時接/PRESET78下拉，那么MPC860的數(shù)據(jù)總線不能使用帶總線保持功能的驅(qū)動器。9另外考慮上啟動、鎖相環(huán)時鐘配置、輸出阻抗等與MOSFET柵極并聯(lián)的電容可能會振蕩，要將其連接到柵極串阻的MOSFET并聯(lián)應用時的不平最大值對應IF40％左右），(VCC-VIL)/(CTR（min）*IF-II)RL（VCC–VIH）/(ICEO+II)態(tài)工作電流，從而降低單板或系統(tǒng)的EMI1234567面板線纜必須加入防靜電保護電路（調(diào)用部門模塊電路8用912345678912背板插座上本板沒有使用的PIN，34567891234567812口管腳低/拉高（注意內(nèi)部的上/下拉電阻34567設計中TRST*8電源控制JTAG口單獨引出9123456123123次確保切換至公司統(tǒng)一庫，以保證料單的正確性和后續(xù)的可性。A4A3A4幅面紙頁上打印后字符無法分辨，難以進行走查、評審。故規(guī)定無特殊需要一律采用A4幅面圖框進行設計。準化管理人員咨詢正確的內(nèi)容。ADRAWN為繪圖者的，采用漢語拼音標示，全部使用大寫字母，TextCustomText選項可以在封面、各頁圖框放置變量。當前頁碼和總頁數(shù)采用變量CURRENT_DESIGN_SHEET和TOTAL_DESIGN_SHEETS變量放置。原理圖必須署名。多人設計原理圖應在相應頁碼署各自的，封面署單板的。如ADRAWN1，ADRAWN2……以此類推。在分配任務先約定，在各自完成的部分分開填寫相應的用戶變量，實現(xiàn)分開署名。封面頁的署名為單板的署名。文字都向上或者向左，符合規(guī) 意將相應位號的電容擺放在需要去耦的附近。全局去耦電容主要分布在單板上沒有去耦電容的部時鐘信號為了方便信號完整性分析和布線約束制定，不引起歧義，時鐘信號必須以規(guī)定的CLK后綴例如：FPGA1_8K_CLK，F(xiàn)PGA2_33M_CLK，OIB0_52CHIP_TCLK都是符合規(guī)范名。串聯(lián)端接時鐘網(wǎng)絡名參見串聯(lián)端接網(wǎng)絡的繪制和命名注：CHIPCDMA中常用的時鐘速率，1xCHIP1.2288MHzPCB進行布線布局時，就可以對相應網(wǎng)絡進行特定的約束和檢查，確保布線滿足設絡信號名定義為PLUG-S，實際和GNDD相連，就可以使用Alias進行連接，不會發(fā)生錯誤。Alias連接的網(wǎng)絡，必須使用網(wǎng)絡標號的方式進行連接，不能使用連線(wire)進行連接，否則在參考文獻《Q/ZX04.104.2-2002CADENCE平臺的設計要求》中，說明了一種采用定義SIZE屬性放置多個相同連接關(guān)系器件的方法，例如去耦電容、MARK點等。T型的網(wǎng)絡，必須將遠見引腳引出后連接，不得直接在器件管腳連出分叉，RulesCheckerAllegroProjectManagerTools–RulesCheckerLogicRules一項中選擇net_name_checks.rle中的single_node_net和Property_checks.rle中的unconnected_instance選項（根據(jù)需要可以繼續(xù)選擇nets_shorted等選項RulesChecker。器件接口之間的電平應該匹配，尤其要注意不壓/電平類型邏輯進行接口的場合轉(zhuǎn)電平處于0.8~2.0V中間的某一個電壓，但是設計必須保障輸入電平不會處于兩個閾值之間。（VCXO范圍，長期工作可能對CDCV304的鉗位電路或VCXO的驅(qū)動電路造成損傷。Xilinx的SpartanIII器件采用2.5V的電源Vccaux作為接口電源，直接連接線會對器件造成損傷。廠家推薦的做法是采用電阻限流保護管腳中的鉗位二極管，并在Vccaux上接對地的電阻據(jù)流直流平衡的方式下使用，否則無法正常工作。Agilent公司1032/1034組的CIMT編碼、802.3交流耦合的參考電路如下圖所示：R1和R2為提供正確的直流偏置電平，并為傳輸線提供PECL信號電源電壓為5V，在和LVPECL進行接口時直流偏置工作點不滿足要求。對于數(shù)設計說明參見公司模塊化中“硬件設計指南－專題技術(shù)部分”專題中“PECL電平匹配設計持OE控制、Ioff、PU3S的器件。這部分可以參考邏輯器件應用章節(jié)關(guān)于熱拔插要求的說明。差分信號的熱拔插要求參見“差分信號應考慮Failsafe功能”章節(jié)。XilinxFPGA應電平的場合等，這是一般必須采用串聯(lián)電阻柵極不會受到過壓損壞。計算的范例可以參考Xilinx文檔XAPP653《3.3VPCIDesignFailsafe功能。IMLVDS器件在我們系統(tǒng)應用中，在無驅(qū)動狀態(tài)下會因為干擾而輸出亂碼，低電平，造成UART接收到錯誤的碼，需要進行上拉或下拉處理。CMOS器件的閂鎖（Latch-up）CMOS工藝結(jié)構(gòu)所造成的。CMOS器件在生產(chǎn)過程中，Rectifier輸出電壓高于電源或者低于地、ESD放電等情況出現(xiàn)時，就有可能觸發(fā)閂鎖。SCR被觸發(fā)，形成從電源到地的電流直通通路，產(chǎn)生大量熱導致關(guān)于閂鎖原理的詳細介紹，可以找到很多參考文檔。TISLYA014《Latch-up,ESDand然可以工作，但是性能不能再得到上的保證。性能EMC模塊電路/參考設計一般都由相關(guān)領(lǐng)域經(jīng)驗豐富的員工開發(fā)，經(jīng)過了較多的應用驗證和嚴格的設計3.3V3.3V5V的環(huán)境下。當設計進行器件選型時，必須要求對一個代碼下UART、很多都有的復位管腳，F(xiàn)PGA在設計中一般也會設計復位管腳用來對全片進例如某接口單板，有多片F(xiàn)PGA存在。如果部分FPGA已經(jīng)并開始工作，而其他沒有正常工作時，會導致系統(tǒng)輸出一些錯誤的數(shù)據(jù)。通過讓已的FPGA處于復位狀態(tài)可以避免這個問題。如電復位信號上，如果寫FLASH過程中程序跑飛或被復位，則FLASH不能再次寫入，必須前臺斷CPU、DSP、ASIC等器件的實際應用情況并不了解，完全依賴于器件廠（Errata例如某型號DSP器件，對器件手冊的勘誤表有多次升級，說明了在當前版本中的各種問題，器件手冊和2004從網(wǎng)上的器件手冊在一些說明中存在差異。860TRST*HRESET上，后續(xù)的勘誤表要求不能這樣連接，TI公LVT1998年之前是含有總線保持功能的。1998TI將總線保持器件改名為Conversion，200但是其他很多廠商采用LVT命名總線保持器件。這些信息都需要注意，避免設計和實際。0PCB實現(xiàn)不同配置設計的可調(diào)部分，為避免風險而設計多種器件方案，最終只采用1種的情況、為了調(diào)試方便設計的一些跳線和上下拉等。來很大的。MOSFET的柵極一般是在一層非常薄的硅氧化物擊穿而損壞器件。ESD防護二極管的可以防狀態(tài)，甚至處于震蕩狀態(tài)消耗功率，減少器件。左上圖就是當器件中一個驅(qū)動器輸入電平和電流的關(guān)系（TI文檔SCBA004）可以看到，當并不大，但是需要注意的是，這個電流完全耗散在器件上，每個門的功耗大約為13mW。器件上的電壓降約為0.2V左右，每個門的功耗約為2mW。16個門同時處于中間狀CMOS/BiCMOS器件管腳進行處理，通過一個電阻TI公SCBA004《ImplicationsofSloworFloatingCMOSInputs》和劉春杰的文檔《普通邏輯器件輸上節(jié)已經(jīng)說明了CMOS器件輸入懸空的問題。另外，還有一些控制信號，我們在設計中只要ICT測試，需要通過探針對單板上的器件施加激勵并測量或使能，否則無法各個器件定位問題，如下圖所示。AA點也必須上拉或復位控制（例如單片機ISP模塊中的背板復位信號和使能信號，則必須采用電阻置初始EPLDIO在上拉電阻作用下緩慢上升。當電源電壓上升到閾值時，EPLD開始工作，244OE端被EPLD150uS之后，244脫離上電三態(tài)，EPLD輸入端呈現(xiàn)出正確的低背板驅(qū)動器處于關(guān)閉狀態(tài)，故應改對OE端進行上拉或下拉處理，采用電阻設置為輸出無效狀態(tài)。ReadyDetectedSend在具有自動流控制功能的器件（TL15C55xA）中，如果使能自動流控制功能，CTSUART（TX，RX，GNDPCIPCIPCILocalBus實際已經(jīng)高于信號，器件再次發(fā)生翻轉(zhuǎn)，VCC通LPCLLP上產(chǎn)生壓降，器件件將耗散很大的功率，嚴重影響器件的，并1OEEPLD、FPGA未下載時單板上各驅(qū)動器關(guān)閉不發(fā)生，一方面是在EPLD、FPGA邏輯代碼中確保控制信號的互斥，即時驅(qū)動總線，也要避免在單板/系統(tǒng)上電過程中、單板上電后邏輯完成之前或者初始化完成之前同完成前可能出現(xiàn)的總線，一般考慮通過對各器件的OE端進行上拉或下拉處理來避免，另外就是在邏輯編寫和約束設定中，正確設置復位初始值，確保不會發(fā)生。244，就要關(guān)閉驅(qū)動器，防止發(fā)生總線沖標準總線等（TISLLD009《LVDSApplicationandDataHandbook。一般情況下，多stateinliveinsertionapplicationswithafocusonGTLP。TTL/CMOS電平的驅(qū)動推薦采3GTLP可能使單片機端口被拉死為低電平，所以在MCS-51單片機電路使用總線保持器件驅(qū)動。保持”特性》和In的MCS-51單片機手冊。LVTHMPC860不能啟動的案例，請參見參考文獻《CDMA2004年度BUSHOLDBUSHOLD特性一直有效。對于雙向器件，其兩個方向端口在輸出高阻態(tài)下輸入BusHold特性一直有效BusHold特性是對于器件輸入端而言的，當器件OE使能信號無效，輸出為高阻態(tài)時，BusHoldLVTH16245OEDIR信號為何狀態(tài)，兩個端口都有BusHold特性，這一點在應用中需要注意。電阻上的壓降不能多于3.3V-2.4V=0.9V，選擇下拉電阻時，電阻上的壓降不能多于0.4V。TTLIIHIIL較大，加之輸入低電平時電阻上允一樣，低電平的電流達到了5uA。這樣，每個管腳容許的最大下拉電阻為80K，上拉電阻180K。對不用的輸入管腳進行下拉處理時，少于8個管腳的處理都可以通過一個10K電阻實現(xiàn)。阻時的漏電流，例如LVT16244B器件，其管腳輸出漏電流為5uA。拉，那么漏電流應以5uA+4uA=9uA計算，上拉電阻取值不得大于100K。應大于40K。多個器件共用上拉或下拉電阻，參照上面的計算進行計算。EPLDFPGA內(nèi)部都可能左右的功率。在復雜的系統(tǒng)中，1001.1W的功率，還是相當可觀的。我們在設計33mA的電流也可能影響上下拉電阻還要考慮器件對上升下降沿斜率的要求。對于目前的高速器件，緩慢的上升沿會導致器件停留在不確定電平的時間增加，為系統(tǒng)帶來不好的影響（CMO/BICMOS。上下拉電阻連接在一個網(wǎng)絡上，當網(wǎng)絡上驅(qū)動器停止驅(qū)動時，開始對所有門輸入端、驅(qū)動器RC（RCCR24B11.32010K歐姆左右的電阻時，上升斜率10K（OE端、懸空管腳等；選擇1K。ISPMACH4000系列EPLD和CycloneFPGA的下拉電阻對于ISPMACH4000型EPLD，我們推薦使能全局上拉以簡化設計CycloneFPGA在未加載時，內(nèi)部弱上拉使能。內(nèi)部上拉強度隨著溫度的變化會有較大的變化，Cyclone10K的電阻下拉，確保未邏輯時輸出低電平（復位無效。在低溫試驗中，復位該主控單板會導致全框受控單板復位，經(jīng)分析確定為低溫下內(nèi)置上拉電流增大，導致10K電阻不能夠?qū)⑿盘柧€拉低。采用10K電阻下拉，在FPGA重新配置時內(nèi)置上拉電阻導致主備狀態(tài)信號輸出高電平所致。以信號完整性優(yōu)先33歐姆電阻導致信號上升沿緩慢，系5~103G系統(tǒng)基帶射頻接33歐姆串阻放在了背板上，在射頻接口板中驅(qū)動器電路33歐姆串阻之后取（上左圖的電路。因為輸出驅(qū)動器進行源端端接之后，輸出后串阻DigitalDesign–AHandbookofBlackMagic》第六章“端接。阻的大小為100歐姆，下拉電阻的大小為10K。101K的下拉電阻對于驅(qū)動端不會當背板信號線為懸空時，輸入‘1’，當背板接地時，輸入‘0’。系統(tǒng)，進而可能導致整個單板的EMI指標。電容，0.1uF陶瓷電容和1000pF陶瓷電容提供較寬頻段內(nèi)的低阻抗。會有所增強，部分頻率（500MHz以上）諧波成分減少。對電源的沖擊是否有改善尚待驗證。0.7WPP2S1.4WEMI測試的角度來看，實際上是對一段時間內(nèi)的EMI進試，低頻信號切換頻率低，相應的輻射也會較小。該方法主要針對500MHz以上的分量，故低頻時鐘不需要考慮。阻的放置應該緊靠器件放置，并且就近通過過孔連接平面。如果引線長了有可能會使問題。同時功耗較小。實際根據(jù)EMI情況可進行調(diào)整。EMI等多種問題，實際應用中可能焊接也可能不時鐘信號在系統(tǒng)中至關(guān)重要，時鐘網(wǎng)絡往往是EMI的主要，所以時鐘信號的網(wǎng)絡必須恰當?shù)囊?guī)劃拓撲并進行恰當?shù)亩私?，確保信號質(zhì)量，減少EMI。T型源端端接方式。該端接方式會使得接收端的波形變緩，在對時鐘邊沿上升時間最小值有要求的場合（例如器件要求Tr>3nS，可以使用該電路延緩上升沿。EMI問題?？赡軙a(chǎn)生不衰減振蕩。所以這個拓撲不推薦使用。其環(huán)路濾波器、VCO和鑒相器幾個部分的傳遞函數(shù)都可能存在零極點。此時整個鎖相環(huán)的傳遞函數(shù)中可能存在諧振點，即對某些頻率分量的增益大于1，該頻率分量上的相噪將被放大。關(guān)于這方面更詳細的說明，請參考《PerfectTimingBookBounceVCXOTVSTransientVoltageSuppressor，是專門設計用來吸收信號線或者電源上出現(xiàn)的瞬態(tài)過壓VBR：指器件在發(fā)生擊穿的區(qū)域內(nèi)，在規(guī)定的試驗電流條件下所測得的器件兩端的值。通常?。篤RWM=(0.8～0.9)VBR，在這個電壓下，器件的功率消耗很小。TVS管或者鉗位二極管陣列。當電壓高于擊穿電壓時或者正向?qū)NDPGNDD之間存在較大的電位差時，DS108SGNDP上面的過壓瀉放到信號線上，導致被保護器件損壞。在這里，DS108SGNDPGNDDPTC與TVS配合使用時，PTC要動作，對TVS進行過流保護，同時，PTC本身也要試驗驗證，采用了RUSB120/RUSB185型PTC配合TPN3021型TVS管進行第一級保護。RUSB120/RUSB185是為USB保護設計的PTC，耐壓為6V，設計未考慮電源搭接等異常情況。TVS即已經(jīng)失效。對于失效模式呈短路態(tài)的電路，miniSMD075PTC在承受過壓一段時間后燒毀E1/T1模塊電路不能防止電源搭接（包括-48V搭接和）等異常情況，如果需要避免這種情況的發(fā)生，需要重新考慮選取PTC。如果不需要考慮此種異常（認為在工程現(xiàn)場可以排除此類異常出現(xiàn)的可能PTC器件。DSP100%50%80%則FPGA的輸入必須要有一個本地時鐘，保證在熱插拔、系統(tǒng)故障的時候，邏輯還有時鐘可以工作。IOIO進行上拉或下拉處理空時，編譯器會將管腳處理成恒‘0’、恒‘1’、高阻等狀況。3G1PCB對應多種料單，實現(xiàn)不同功能對于邏輯的O態(tài)的輸出緩沖器和一個輸入緩沖器構(gòu)成。當定義為高阻態(tài)時，輸入緩沖器仍然連接在管腳上。所以以上各種情況，必須確保這些管腳在實際應用AlCyclone系列每個管腳的可以編程為上拉或者懸空；有一些邏輯器件具有全局可編程的設置，例如Lattice公司的ISP全溫度范圍確保穩(wěn)定的低電平輸入？ISPMACH4000系列只有全局可編程的上拉或下拉，一旦編程則LatticeISPMach400010K1K設計我們的系統(tǒng)中大量應用LatticeISPMach4000系列EPLD。如上一節(jié)所屬，LatticeISPMach4000系列器件只有全局可編程的上下拉熔絲。我們推薦使用全局ISPLever軟件中缺省設置中一般內(nèi)部上拉為使能狀態(tài)，推薦使用全局內(nèi)部上拉設置可以避免IO高阻態(tài)，內(nèi)部上拉；XilinxSpartanIIIFPGA，可以通過一個管腳設置未配置IOEPLD相連時，EPLD統(tǒng)一采用上拉設置通過FPGA的Done管腳，可以知道FPGA是否正常完成。Conf_Done跳高表示邏輯已經(jīng)配置完成，而Init_Done跳高表示邏輯內(nèi)部配置完成，進入用戶模式，可以開始工作。應該這兩個SectionVIConfiguration）都要保留，作為。GCLK0～3，這些管腳是連接到全局時鐘緩沖器上，如果不用時鐘，可以作為普通的輸?shù)南到y(tǒng)，不需要外部閾值電壓?？梢宰鳛槠胀↖/O。LDO采用線性電源（包括LDO）可以得到較低的噪聲，而且因為使用簡單，成本低，所以在單板上應后控制推動管上的電壓降變化保證Voutput的穩(wěn)定。，保證系統(tǒng)的工作正常。（對于線性電源的原理參見參考文檔《TheArtofElectronics2ndEditionMicrel公司的參考文檔《DesigningWithLow-DropoutVoltageRegulators）LDO輸出電容為負載的變化提供瞬態(tài)電流，同時因為輸出電容處于電壓反饋調(diào)節(jié)回路之中，在部ESRESL，提高電ESR太低，也可能會誘發(fā)環(huán)路穩(wěn)定裕量下在某試驗板中，采用MIC39300-2.5BU型該試驗板產(chǎn)生了高速SERDES在光纖較磁珠和電感的主要區(qū)別是，電感的Q值較高，而磁珠在高頻情況下呈阻性，不易發(fā)生諧振等現(xiàn)象。能夠滿足后級電路工作的要求。例如在某單板鎖相環(huán)路設計中采用了一階RC濾波器，濾波電阻選擇12VCXO30mA300mV3.3VSD（光檢測）信號上升緩慢，不能正確反映實際情況的問題。經(jīng)過檢查發(fā)現(xiàn)濾波電感的直流在該型號光模塊上會出現(xiàn)SD上升緩慢的故障。濾波電路設計部分。在某單板上，采用了磁珠和0.1u電容為時鐘驅(qū)動提供濾波。經(jīng)過測試，時鐘驅(qū)動管腳上的紋波高達1V以上。采用多電容并聯(lián)的方式可以有效地為時鐘提供去耦。電容具有低的ESL和良好的頻率特性，其諧振點一般能夠到達數(shù)十至數(shù)百MHz（參見參考文獻兩端，電能轉(zhuǎn)化為磁場在L中，此時D1截LLD1向C0充電并向負載供電，得到一個高于輸入電壓的LD1LD1LD1電TMS320C6414TDSP，20055ErrataDVDDCVDDPCI/HPI數(shù)據(jù)錯的問題。對于QDR、DDR內(nèi)存，其上電順序也有要求，否則可能導致閂鎖，造成器件燒毀的。情況，如上右圖所示，所以必須進試驗證。從電路最近處引給電路，以確確性。請參見《EPCOS0.1u100VMLCC電容（ PFI上拉。參見參考文獻《CDMA2004年度可靠性經(jīng)驗案例集》。（CCM單板調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)當使用熱拔插電電時，MPC860多數(shù)情況不能正常啟動（有的單板100次，MPC860都能正常啟動。該案例參見參考文獻《CDMA2004年度可靠性MPC860MPC860硬件復位配置字用到的部分數(shù)據(jù)線通過硬件復MPC860MPC860的數(shù)據(jù)總線2004年度可靠性經(jīng)驗案例集》和“原則上不推薦采用總線保持器件或者啟動可編程器件的總線I=(VCC–VAK)/一般驅(qū)動器的低電平驅(qū)動能力較強，另一方面，相當部分器件內(nèi)置上拉電阻，例如FPGA未MCU只允許采用低電平方式點燈，否則必須經(jīng)過驅(qū)動。MOSFET10有時系統(tǒng)設計中會采用時分復用的方式讓多個單板或器件共根/一組信號線。當一個設備需要C0G且阻值會隨著溫度變化，溫度系數(shù)約為數(shù)十ppm/℃。是因為部分內(nèi)容實施有一些。低的器件相對于電壓擺幅較高的器件，較少EMI的問題。差分信號較之單端信號，較少EMI性和EMI問題。點到點的傳送比起總線、分叉等復雜的拓撲，較少信號完整性問題。高速接口場合。LVDS、PECLTTLBLVDS而言，限制擺率的MLVDS速率較低，但是信號完整性的問題相對好一些，被ATCA架構(gòu)采用。162443316244FPGA上，接收信號呈現(xiàn)很和下沖下降到3.906V和-0.934V，明顯下降并且低于FPGA的電壓容限。同時無明顯振鈴。EPLD/FPGA都有管腳擺率（SlewRate）設置。CycloneFPGA還可以對驅(qū)和EMI問題。Cyclone總線讀寫信號一般都是單方向信號（DMA的系統(tǒng)例外，經(jīng)常變化，對于某些器件，對其沿某些接收端還會出現(xiàn)信號沿不單調(diào)的情況，導致系統(tǒng)工作異常。（參考文獻馬峰超《3G統(tǒng)一平臺單板PSN4VWE＃信號情況分析》）ESLMHzMHzKHzKHzMHz范圍上，需用示波器對的電源進行紋波測試時，使用PI測試點，配上的電源測試探頭，可以避免地回路第1腳接GND，第2腳接需要測試的電源網(wǎng)絡。PI測試點在PCB上放在被測附近，I/O電源測試點分別放在的對邊。工具計算（SynaptCADTimingDiagrammerProForteTimingDesigner等TCO參數(shù)測試方法，當負載不同時，TCO和手冊上可能有差異，當時序裕量很小時，可能帶來時序問題。Xilinx的文檔《ForSynchronousSignals,TimingisEverytingPhilipNowe的短文《Timing(ysis)isEverything3GTTL時代的慣例，低電平表示信號有效（TTL器件當管腳懸空時認為是高電平。在上，一般采用上拉處背板信號在上電前應處于高阻態(tài)，避免總線或者輸出錯誤的狀態(tài)。對于TTL/CMOS器件，這PU3SOE端的上下拉電阻確保在單板上電，OE控制信號有效板上，我們一般都會很注意的規(guī)劃拓撲，注意PCB走線延遲的控制，確保各個接口的建立保持時出去的數(shù)據(jù)。實際應用中，AA’可能配備任何一個，也可能同時配備；B可以參照《High-speedDigitalDesign–AHandbookofBlackMagic》中源端端接的分析。作為補救，發(fā)送數(shù)據(jù)的串阻被移到了背板上，AA’共用串阻，并對整個鏈路的電纜、子卡等進BTSMLVDS信號傳遞背板時鐘，總線方式，總線兩端在背板上端接。系統(tǒng)中可能BTS中，基帶框的時序裕量未按照最大最小值分析，并且沒有對每塊單板接口的建立保持時間進一步使得系統(tǒng)時序裕量減小，理論上為負值。經(jīng)過全面和反復實驗才能解決。負責基帶時鐘分發(fā)。當主備切換時，如果系統(tǒng)時鐘發(fā)生擾動，5000信道板將復位導致掉話。為避免此情況發(fā)生，RIM0采用了主備同時打開驅(qū)動器的方法避免時鐘擾動。對于系統(tǒng)時異常倒換時，不論GCM是否互鎖，都會發(fā)生系統(tǒng)時鐘擾動，所以不在考慮范圍之內(nèi)。為插裝器件焊接帶來不便。雙面回流工藝的單板，一般對其B面（放置小器件面）先進行回流焊接，B12x10x5mm8個的器件（05員工培訓可生產(chǎn)性部分。一般認為，B面的器件應滿足單位面積上所承受的重量不超過一平方毫米上不得超過0.3克。在PCB布局時，請咨詢公司工藝技術(shù)人員保證單板的可加工性ESDESDESD防護設計的依據(jù)。射頻器件ESD特敏感，一般必須專線生產(chǎn)。ED，盡量使用對靜電不敏感的器件以及對所使用的靜電放電敏感)免D的S工藝是集成電路制造的主導技術(shù),化體為本S105pFS器件的輸入級中均設置了電阻-二極管防護網(wǎng)絡，串聯(lián)電阻能夠限制尖峰電流,二極管則能限制瞬間的尖峰電壓。器（RDD次itkn)區(qū)內(nèi)工作，不會受到D損傷，一旦外加電壓或電流過量(Overstress次(SecondryBrekdown元到損對的S器件最易受損的管腳處（cI/O管腳或如S器件、光耦等。ESD對器件的IIIIII無>,11111E/D11111級/2級11級/2級1ECL1級/2級111級/2級1級/2級/3級3光學定位點（MARK點）的放置（來源于參考文獻《Q/ZX04.104.2-2002電路原理圖設計規(guī)原理圖的末頁放適量的mark（光學定位點）符號。markK2*（管腳中心距≤0.5mm（20mil）QFP+中心距≤0.8mm（31mil）的BGA個數(shù)器件）K3；雙面貼裝器件時，K6雙面回流：1243168472548246時間（6小時2003213WEEE《關(guān)于報廢電子電氣設備指令》(2002/96/EC)、RoHS《關(guān)實際上現(xiàn)在很多采用有鉛、無鉛器件，用有鉛焊膏混合使用的情況和試驗也在進行。對于無鉛的BGACSP封裝的器件，不得使用有鉛焊料進行焊接。BGA、CSP封裝的器件，XilinxSpartanIII器件使用了2.5V的VccAux為JTAG和部分供電。當采用3.3V電源的信號接該在信號線上串聯(lián)電阻以避免鉗位二極管過應力。手冊要求限制每個管腳的電流不要超過10mA。負載電流很小，且電源不具備電流回灌的能力，則2.5V電源會被拉高，可能對器件造成損傷。為了避8pin6PIN的情況。這種情況下，應該將測如果提供了不安裝的插裝器件，將來PCB設計時就可以避免測試點打在插裝器件的管腿上。響信號的信號完整性。例如某單板在高溫下FPGA失敗，分析為加測試點導致信號線分岔，影響ICT測試點進行建模分析，確保電路工作正常。CDMA設計開發(fā)部《SchematicChecklistV1.0CDMA設計開發(fā)部《SchematicChecklistV1.0CDMA設計開發(fā)部可靠性 CadenceAllegroSPB15.2參考文PaulHorowitzWinfield 《TheArtOfElectronics》2nd 《ElectricalCharacteristicsofLowVoltageDifferentialSignalingLVDS)InterfaceCircuits》TexasInstrumentSLLD009《LVDSApplicationandDataHandbookNationalSemiconductor資料《LVDSOwner’sManualTexasInstrument資料（TIA/EIA889標準）ElectricalCharacteristicsofMultipoint-Low-VoltageDifferentialSignaling(M-LVDS)InterfaceCircuitsforMultipointDataInterchange》TexasInstrumentSpecification,SISimulations,DesignandImplementationofanM_LVDSDemonstrationChassiswithBackneandLogicCards》