BUSSNESS2023-2025年功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與市場(chǎng)前景分析報(bào)告目01功率半導(dǎo)體行業(yè)綜述02功率半導(dǎo)體行業(yè)環(huán)境03功率半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀04行業(yè)制約因素及發(fā)展建議錄05行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)①功率半導(dǎo)體行業(yè)綜述行業(yè)定義、行業(yè)發(fā)展歷程、行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈定義功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，其本質(zhì)是利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能，具體用途包括變壓、逆變、整流、斬波、變頻、變相等，可以提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少功率損失。功率半導(dǎo)體主要分為功率分立器件和功率IC兩大類，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等產(chǎn)品。行業(yè)發(fā)展歷程相較于發(fā)達(dá)國(guó)家，我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展起步相對(duì)較晚，其發(fā)展歷程大致可劃分為四個(gè)階段:拓荒時(shí)代、本土聯(lián)盟、結(jié)構(gòu)性變革和國(guó)產(chǎn)化。本土聯(lián)盟2011-2013年,中國(guó)功率半導(dǎo)體廠商先后開發(fā)出第四代、第五代IGBT工藝。在有了本土產(chǎn)能的保證下，2010年前后國(guó)內(nèi)市場(chǎng)崛起—批純?cè)O(shè)計(jì)商，如斯達(dá)、新潔能等。拓荒時(shí)代2000年后,中國(guó)的官方工程華潤(rùn)微、華虹轉(zhuǎn)型,原有制程較落后的產(chǎn)線﹔鎖定MOSFET等功率產(chǎn)品,此后沿著功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)路線發(fā)展。結(jié)構(gòu)性變革在中國(guó)政府的產(chǎn)業(yè)支持下,新能源汽車產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,市場(chǎng)需要大里的電控供應(yīng)。2015年前后,出現(xiàn)了匯川等新興的獨(dú)立第三方電控廠商。本土功率廠商就勢(shì)切入新能源汽車市場(chǎng)。結(jié)構(gòu)性變革在中國(guó)政府的產(chǎn)業(yè)支持下,新能源汽車產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,市場(chǎng)需要大里的電控供應(yīng)。2015年前后,出現(xiàn)了匯川等新興的獨(dú)立第三方電控廠商。本土功率廠商就勢(shì)切入新能源汽車市場(chǎng)。產(chǎn)業(yè)鏈上游分析功率半導(dǎo)體行業(yè)上游龍頭企業(yè)已開始對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)行延伸，逐漸進(jìn)軍原材料生產(chǎn)領(lǐng)域，以規(guī)避高額進(jìn)口原料的成本支出，攫取上游毛利。此外，伴隨著上游原料生產(chǎn)企業(yè)的重組進(jìn)程加快以及中國(guó)市場(chǎng)參與者技術(shù)水平的提高，功率半導(dǎo)體行業(yè)上游原材料供應(yīng)有望朝著專業(yè)化和規(guī)?；姆较蚶^續(xù)發(fā)展，逐漸搶奪外資企業(yè)在行業(yè)內(nèi)的話語權(quán)。產(chǎn)業(yè)鏈上游產(chǎn)業(yè)鏈中游分析功率半導(dǎo)體行業(yè)中游企業(yè)原材料大部分依靠進(jìn)口，主要原因是下游消費(fèi)終端為保障科研成果，對(duì)行業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定性要求較高，因此，中游科研用制備廠商更傾向于選擇儀器先進(jìn)、供應(yīng)鏈穩(wěn)定的進(jìn)口原材料供應(yīng)商。企業(yè)產(chǎn)品價(jià)格主要受市場(chǎng)供求關(guān)系的影響。由于功率半導(dǎo)體企業(yè)的產(chǎn)品毛利較高，原材料價(jià)格波動(dòng)不會(huì)對(duì)企業(yè)的盈利能力產(chǎn)生重大影響。產(chǎn)業(yè)鏈中游產(chǎn)業(yè)鏈下游分析功率半導(dǎo)體行業(yè)下游企業(yè)市場(chǎng)空間廣闊、銷售范圍廣、用戶分散、單批數(shù)量少、銷售單價(jià)高等特點(diǎn)。隨著全球范圍內(nèi)生物醫(yī)藥行業(yè)研究的深入及產(chǎn)業(yè)化程度的提升，中國(guó)行業(yè)產(chǎn)品種類進(jìn)一步豐富，應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)增加，個(gè)性化、高端化的產(chǎn)品將逐漸獲得更廣闊的應(yīng)用空間。產(chǎn)業(yè)鏈下游②功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展環(huán)境政治環(huán)境、經(jīng)濟(jì)環(huán)境、社會(huì)環(huán)境行業(yè)主要政策《兩部委關(guān)于印發(fā)《擴(kuò)大和升級(jí)信息消費(fèi)”蘭年行動(dòng)計(jì)劃(2018-2020年)》的通知》促進(jìn)信息技術(shù)在消費(fèi)領(lǐng)域的帶動(dòng)作用顯著增強(qiáng)，到2020年，信息消費(fèi)規(guī)模達(dá)到6萬億元，年均增長(zhǎng)11%以上。拉動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域產(chǎn)出達(dá)到15萬億元。上述應(yīng)用場(chǎng)景給分立器行業(yè)在家用電器、網(wǎng)絡(luò)通信、物聯(lián)網(wǎng)及5c基站等領(lǐng)域的發(fā)展增添新動(dòng)能?！稇?zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄(2016年版）》重點(diǎn)支持電子核心產(chǎn)業(yè)，電力電子功率器件，包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管芯片(IGBT）及模塊、快恢復(fù)二極管（FRD)、垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VDMOS)、可控硅(SCR)、5英寸以上大功率晶閘管(GTO)、集成門極換流晶閘管(IGCT)、中小功率智能模塊。國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域:半導(dǎo)體材料。將關(guān)鍵電子材料納入重點(diǎn)產(chǎn)品自錄，包括硅材料（硅單晶、拋光片、外延片、絕緣硅、諸硅)及化合物半導(dǎo)體材料，藍(lán)寶石和碳化硅等襯底材料，金屬有機(jī)源和超高純度氣體等外延用原料，高端LED封裝材料，高性能陶瓷基板等?！豆I(yè)“四基”發(fā)展目錄（2016年版）》將8英寸、12英寸集成電路硅片列為新一代信息技術(shù)領(lǐng)域關(guān)鍵基礎(chǔ)材料的首位，將功率平導(dǎo)體器件列入先進(jìn)軌道交通裝備領(lǐng)域的核心基礎(chǔ)零部件（元器件）?！蛾P(guān)于修訂印發(fā)《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》的通知》國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域:“—、電子信息”之“(六)新型電子元器件”之“大功率半導(dǎo)體器件”;“四、新材料”之“(一）金屬材料”之“6.半導(dǎo)體新材料制備與應(yīng)用技術(shù)”:大尺寸硅單晶生長(zhǎng)、晶片拋光片、sOI片及siGe/si外延片制備加工技術(shù);大尺寸砷化家襯底、拋光及外延片、GaAs/si材料制備技術(shù)。行業(yè)主要政策政策文件1政策文件2政策文件3政策文件4《工業(yè)“四基”發(fā)展目錄（2016年版）》將8英寸、12英寸集成電路硅片列為新一代信息技術(shù)領(lǐng)域關(guān)鍵基礎(chǔ)材料的首位，將功率平導(dǎo)體器件列入先進(jìn)軌道交通裝備領(lǐng)域的核心基礎(chǔ)零部件（元器件）。《兩部委關(guān)于印發(fā)《擴(kuò)大和升級(jí)信息消費(fèi)”蘭年行動(dòng)計(jì)劃(2018-2020年)》的通知》促進(jìn)信息技術(shù)在消費(fèi)領(lǐng)域的帶動(dòng)作用顯著增強(qiáng)，到2020年，信息消費(fèi)規(guī)模達(dá)到6萬億元，年均增長(zhǎng)11%以上。拉動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域產(chǎn)出達(dá)到15萬億元。上述應(yīng)用場(chǎng)景給分立器行業(yè)在家用電器、網(wǎng)絡(luò)通信、物聯(lián)網(wǎng)及5c基站等領(lǐng)域的發(fā)展增添新動(dòng)能?！稇?zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄(2016年版）》重點(diǎn)支持電子核心產(chǎn)業(yè)，電力電子功率器件，包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管芯片(IGBT）及模塊、快恢復(fù)二極管（FRD)、垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VDMOS)、可控硅(SCR)、5英寸以上大功率晶閘管(GTO)、集成門極換流晶閘管(IGCT)、中小功率智能模塊。國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域:半導(dǎo)體材料。將關(guān)鍵電子材料納入重點(diǎn)產(chǎn)品自錄，包括硅材料（硅單晶、拋光片、外延片、絕緣硅、諸硅)及化合物半導(dǎo)體材料，藍(lán)寶石和碳化硅等襯底材料，金屬有機(jī)源和超高純度氣體等外延用原料，高端LED封裝材料，高性能陶瓷基板等?！蛾P(guān)于修訂印發(fā)《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》的通知》國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域:“—、電子信息”之“(六)新型電子元器件”之“大功率半導(dǎo)體器件”;“四、新材料”之“(一）金屬材料”之“6.半導(dǎo)體新材料制備與應(yīng)用技術(shù)”:大尺寸硅單晶生長(zhǎng)、晶片拋光片、sOI片及siGe/si外延片制備加工技術(shù);大尺寸砷化家襯底、拋光及外延片、GaAs/si材料制備技術(shù)。行業(yè)經(jīng)濟(jì)環(huán)境88%從2017-2022年以來，我國(guó)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值呈現(xiàn)上漲的趨勢(shì)，同比增速處于持續(xù)正增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，其中2021年國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值為1143670億元，同比2020年增長(zhǎng)了184%。2022年1-9月我國(guó)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值為870269億元，同比增長(zhǎng)了6.2%。在疫情得到有效控制的情形下，我國(guó)經(jīng)濟(jì)開始逐漸復(fù)蘇，之前受疫情影響而停滯的各個(gè)行業(yè)，也開始恢復(fù)運(yùn)行，常態(tài)化增長(zhǎng)趨勢(shì)基本形成，未來中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展必然有很大的上升空間。經(jīng)濟(jì)環(huán)境行業(yè)社會(huì)環(huán)境96%88%中國(guó)當(dāng)前的環(huán)境下，挑戰(zhàn)與危機(jī)并存，中國(guó)正面臨著最好的發(fā)展機(jī)遇期，在風(fēng)險(xiǎn)中尋求機(jī)遇，抓住機(jī)遇，不斷壯大自己。自改革開放以來，政治體系日趨完善、法治化進(jìn)程也逐步趨近完美，市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)體系也在不斷蓬勃發(fā)展；雖在一些方面上弊端漏洞仍存，但在整體上，我國(guó)總體發(fā)展穩(wěn)中向好，宏觀環(huán)境穩(wěn)定繁榮，二十一世紀(jì)的華夏繁榮美好，對(duì)于青年人來說，也是機(jī)遇無限的時(shí)代。社會(huì)環(huán)境1改革開放以來，我國(guó)經(jīng)濟(jì)不斷發(fā)展，幾度趕超世界各國(guó)，一躍而上，成為GDP總量?jī)H次于美國(guó)的唯一一個(gè)發(fā)展中國(guó)家。但同時(shí)我們也應(yīng)看到其中的不足之處，最基本的問題便是就業(yè)問題，我國(guó)人口基數(shù)大，在改革開放后，人才的競(jìng)爭(zhēng)更顯得尤為激烈，大學(xué)生面對(duì)畢業(yè)后的就業(yè)情況、失業(yè)人士一直困擾著我國(guó)發(fā)展過程中，對(duì)于國(guó)家來說，促進(jìn)社會(huì)就業(yè)公平問題需持續(xù)關(guān)注并及時(shí)解決；對(duì)于個(gè)人來說提前做好職業(yè)規(guī)劃、人生規(guī)劃也是人生發(fā)展的重中之重。社會(huì)環(huán)境2行業(yè)社會(huì)環(huán)境行業(yè)發(fā)展社會(huì)環(huán)境傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)門檻低、缺乏統(tǒng)一行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，服務(wù)過程沒有專業(yè)的監(jiān)督等問題影響行業(yè)發(fā)展。互聯(lián)網(wǎng)與電烙鐵的結(jié)合，縮減中間環(huán)節(jié),為用戶提供高性價(jià)比的服務(wù)。90后、00后等各類人群，逐步成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的消費(fèi)主力。在此處添加內(nèi)容關(guān)鍵詞在此處添加內(nèi)容③行業(yè)現(xiàn)狀分析行業(yè)現(xiàn)狀分析功率半導(dǎo)體的應(yīng)用十分廣闊，近年來數(shù)字經(jīng)濟(jì)、人工智能、光伏能源、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，均為功率半導(dǎo)體帶來了新的需求增長(zhǎng)點(diǎn)，其市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)。2020年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為452億美元，2023年將超過500億美元。目前全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍主要被歐、美、日等國(guó)外品牌主導(dǎo)，其憑借雄厚的資金技術(shù)積累、豐富的產(chǎn)品矩陣、全球化供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)占據(jù)了主力市場(chǎng)份額。從細(xì)分市場(chǎng)來看，功率IC以53%的市場(chǎng)份額成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的第一大細(xì)分市場(chǎng)，MOSFET、功率二極管和IGBT的市場(chǎng)份額依次為16.4%、18%、14%。2017-2021年，我國(guó)功率半導(dǎo)體制造進(jìn)出口金額呈波動(dòng)上升趨勢(shì)，2021年實(shí)現(xiàn)進(jìn)口金額185億美元，同比增長(zhǎng)27.4%；出口金額為125.9億美元，同比增長(zhǎng)28.6%。行業(yè)現(xiàn)狀分析行業(yè)市場(chǎng)分析伴隨著我國(guó)5G技術(shù)的發(fā)展，基站搭建數(shù)的增加，以及北斗導(dǎo)航系統(tǒng)終端的普及應(yīng)用，無線功率器件的需求進(jìn)一步擴(kuò)大。數(shù)據(jù)顯示，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)自2016年起穩(wěn)步增長(zhǎng)，到2020年已達(dá)393億美元，隨著下游新能源汽車、5G等需求持續(xù)增長(zhǎng)，到2021年全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)409億美元。我國(guó)是全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)之一，IHS數(shù)據(jù)顯示,2019年中國(guó)的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)38%的份額，達(dá)到148億美元，同比2018年增長(zhǎng)3%，2020年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到148億美元。行業(yè)市場(chǎng)分析這些信息用以識(shí)別和界定市場(chǎng)營(yíng)銷機(jī)會(huì)和問題，產(chǎn)生、改進(jìn)和評(píng)價(jià)營(yíng)銷活動(dòng)，監(jiān)控營(yíng)銷績(jī)效，增進(jìn)對(duì)營(yíng)銷過程的理解。市場(chǎng)與企業(yè)之間的“共諧”。行業(yè)現(xiàn)狀分析功率半導(dǎo)體是電子電力核心，主要用于電能轉(zhuǎn)換和控制:功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，其本質(zhì)是利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能，具體用途包括變壓、逆變、整流、斬波、變頻、變相等，可以提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少功率損失。功率半導(dǎo)體主要分為功率分立器件和功率IC兩大類，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等產(chǎn)品。2019年占比最高的為功率IC(53%)，隨著市場(chǎng)持續(xù)發(fā)展，未來MOSFET和IGBT有望成為半導(dǎo)體功率器件增長(zhǎng)主體部分。行業(yè)現(xiàn)狀分析行業(yè)現(xiàn)狀分析新能源與5G通信推動(dòng)第三代半導(dǎo)體興起第三代材料在高功率、高頻率應(yīng)用場(chǎng)景具有取代硅材潛力，行業(yè)整體處于產(chǎn)業(yè)化起步階段。受下游新能源車、5G、快充等新興市場(chǎng)需求以及潛在的硅材替換市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，目前深入研究和產(chǎn)業(yè)化方向以SiC和GaN為主，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空間巨大。第三代半導(dǎo)體核心難點(diǎn)在材料制備，其他環(huán)節(jié)可實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化程度非常高。新能源、5G等新興應(yīng)用加速第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化需求，我國(guó)市場(chǎng)空間巨大且有望在該領(lǐng)域快速縮短和海外龍頭差距。整體趨向集成化、模塊化功率半導(dǎo)體整體進(jìn)步靠制程工藝、封裝設(shè)計(jì)和新材料迭代設(shè)計(jì)環(huán)節(jié):功率半導(dǎo)體電路較簡(jiǎn)單，不需要像數(shù)字邏輯芯片在架構(gòu)、IP、指令集、設(shè)計(jì)流程、軟件工具等投入大量資本。制造環(huán)節(jié):因不需要追趕摩爾定律，產(chǎn)線對(duì)先進(jìn)設(shè)備依賴度不高，整體資本支出較小。封裝環(huán)節(jié):可分為分立器件封裝和模塊封裝，由于功率器件對(duì)可靠性要求非常高，需采用特殊設(shè)計(jì)和材料，后道加工價(jià)值量占比達(dá)35%以上，遠(yuǎn)高于普通數(shù)字邏輯芯片的10%。行業(yè)現(xiàn)狀分析國(guó)家政策大力支持，功率半導(dǎo)體發(fā)展有望駛?cè)肟燔嚨?。隨著“智能制造”和“新基建”等國(guó)家政策的深入推進(jìn)，以及“碳達(dá)峰、碳中和”雙碳戰(zhàn)略的落實(shí)，功率半導(dǎo)體作為實(shí)現(xiàn)電氣化系統(tǒng)自主可控以及節(jié)能環(huán)保的核心零部件，未來將在智能電網(wǎng)、新能源汽車、云計(jì)算和大數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有著大量且迫切的需求。隨著人類對(duì)環(huán)境的重視，發(fā)展新能源逐漸成為各國(guó)共識(shí)。太陽能、風(fēng)能等新能源發(fā)電過程中產(chǎn)生的不穩(wěn)定的直流電，需要先經(jīng)過晶閘管、MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體器件的變換，之后才能入網(wǎng)傳輸。在進(jìn)入家庭之前，需要將高壓電降至家用電壓，這個(gè)過程中功率半導(dǎo)體是不可或缺的關(guān)鍵器件。智能電網(wǎng)具備可靠、自愈、經(jīng)濟(jì)、兼容、集成和安全等特點(diǎn)，目前尚處于起步階段，未來發(fā)展空間巨大。大功率半導(dǎo)體器件作為智能電網(wǎng)的核心部件，可以增強(qiáng)電網(wǎng)的靈活性與可靠性，使得智能電網(wǎng)實(shí)現(xiàn)電力高效節(jié)能的傳輸。未來新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展和智能電網(wǎng)建設(shè)的推進(jìn)將催生出對(duì)功率半導(dǎo)體需求的穩(wěn)步增長(zhǎng)。從基站總量來看，5G相比起4G頻率更高，電磁波穿透力減弱，所以5G基站覆蓋密度需要提高，基站數(shù)量會(huì)增加，2020年我國(guó)5G基站已達(dá)78萬個(gè)，到2021年可達(dá)153網(wǎng)二。從基站內(nèi)部使用量來看，5G基站功耗增加，AAU最大功耗為1000W，BBU最大功耗為2000W，滿負(fù)荷時(shí)耗電量為4G時(shí)的2倍以上，更高的耗電量需要更多的功率器件。汽車是功率半導(dǎo)體下游最主要的需求，其中新能源是主要的市場(chǎng)增長(zhǎng)動(dòng)力。從量上看，我國(guó)新能源汽車銷量從2016年的57萬輛增至2020年的130萬輛（2019受補(bǔ)貼大幅度滑坡等影響，銷量有所下降），CAGR為25.9%，隨著新能源車滲透率不斷提升，新能源汽車銷量未來會(huì)持續(xù)上行。從價(jià)上看，從傳統(tǒng)燃油車到新能源汽車，增加的電動(dòng)化需求更多的功率半導(dǎo)體。據(jù)統(tǒng)計(jì)，功率半導(dǎo)體ASP將從輕型混動(dòng)的80美元大幅提升至全插混/純電汽車的300美元，增長(zhǎng)近4倍。政策支持新能源和智能電網(wǎng)推動(dòng)5G基站新能源汽車快速增長(zhǎng)④行業(yè)制約因素及發(fā)展建議行業(yè)制約因素功率半導(dǎo)體行業(yè)屬于領(lǐng)域中發(fā)展最快的細(xì)分領(lǐng)域之一，隨著功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)環(huán)境日趨成熟，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，行業(yè)存在一下下痛點(diǎn)：功率半導(dǎo)體行業(yè)缺乏完備的質(zhì)量控制和質(zhì)量保證體系，生產(chǎn)商缺乏統(tǒng)一的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品質(zhì)量良莠不齊，導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠性難以保證，喪失產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力質(zhì)量參差不齊政府秉承創(chuàng)新開放的態(tài)度，支持和鼓勵(lì)科學(xué)研究創(chuàng)新，對(duì)科學(xué)研究試驗(yàn)不設(shè)置嚴(yán)格限制，因此，功率半導(dǎo)體行業(yè)不存在統(tǒng)一的監(jiān)督管理規(guī)范，產(chǎn)品質(zhì)量主要依靠生產(chǎn)企業(yè)自主檢測(cè)，功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量的監(jiān)管難度加大行業(yè)監(jiān)管難度大高端產(chǎn)品發(fā)展落后在中低端產(chǎn)品領(lǐng)域，仍然有較大比例的產(chǎn)品依賴于進(jìn)口渠道。此外，功率半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)缺乏創(chuàng)新研發(fā)能力以及仿制能力，加重下游消費(fèi)端對(duì)進(jìn)口科研用檢測(cè)試劑的依賴，不利于功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展行業(yè)發(fā)展策略多元化融資渠道可持續(xù)公司債等創(chuàng)新產(chǎn)品，擴(kuò)大非公開定向債務(wù)融資工具（PPN）、公司債等額度獲取，形成了公司債、PPN、中期票據(jù)、短融、超短融資等多產(chǎn)品、多市場(chǎng)交替發(fā)行的新局面；企業(yè)獲取各業(yè)態(tài)銀行如國(guó)有銀行、政策性銀行、外資銀行以及其他中資行的授信額度，確保了銀行貸款資金來源的穩(wěn)定性。功率半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)在保證間接融資渠道通暢的同時(shí)，能夠綜合運(yùn)用發(fā)債和資產(chǎn)證券化等方式促進(jìn)自身融資渠道的多元化，降低對(duì)單一產(chǎn)品和市場(chǎng)的依賴程度，實(shí)現(xiàn)融資地域的分散化，從而降低資金成本，提升企業(yè)負(fù)債端的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。以遠(yuǎn)東宏信為例，公司依據(jù)自身戰(zhàn)略發(fā)展需求，堅(jiān)持“資源全球化”戰(zhàn)略，結(jié)合實(shí)時(shí)國(guó)內(nèi)外金融環(huán)境，有效調(diào)整公司直接融資和間接融資的分布結(jié)構(gòu)，在融資成本方面與同業(yè)相比優(yōu)勢(shì)突出。全面增值服務(wù)單一的資金提供方角色僅能為功率半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)提供“凈利差”的盈利模式，功率半導(dǎo)體行業(yè)同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)日趨嚴(yán)重，利潤(rùn)空間不斷被壓縮，企業(yè)業(yè)務(wù)收入因此受影響，商業(yè)模式亟待轉(zhuǎn)型除傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體行業(yè)需求外，設(shè)備管理、服務(wù)解決方案、貸款解決方案、結(jié)構(gòu)化融資方案、專業(yè)咨詢服務(wù)等方面多方位綜合性的增值服務(wù)需求也逐步增強(qiáng)。中國(guó)本土功率半導(dǎo)體行業(yè)龍頭企業(yè)開始在定制型服務(wù)領(lǐng)域發(fā)力，鞏固行業(yè)地位可再生能源發(fā)電光伏發(fā)電是將太陽能轉(zhuǎn)化成電能并導(dǎo)入電網(wǎng)的過程，系統(tǒng)由太陽能電池組件、蓄電池、控制器組成，由于光伏發(fā)電過程中產(chǎn)生的是直流電，所以還需要配置光伏逆變器將直流電轉(zhuǎn)換成符合電網(wǎng)要求的交流電后才能并網(wǎng)使用。光伏逆變器是整個(gè)太陽能發(fā)電系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，其中IGBT是光伏逆變器的核心器件。隨著能源電力化趨勢(shì)的逐步加速，以光伏發(fā)電成本逐漸降低、儲(chǔ)能儲(chǔ)能快速導(dǎo)入，光伏發(fā)電在新增裝機(jī)中具備成本優(yōu)勢(shì)，光伏發(fā)電增量占全球總發(fā)電量增量中的比例逐步提高，光伏發(fā)電未來將持續(xù)增長(zhǎng)。光伏發(fā)電行業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)將帶動(dòng)上游功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)。5行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及發(fā)展趨勢(shì)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局1我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)整體市場(chǎng)集中度在不斷提高，CR5從2020年為205%提升至2021年的29.58%，國(guó)內(nèi)頭部代表企業(yè)規(guī)模在不斷擴(kuò)大，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)愈發(fā)明顯。全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)長(zhǎng)期由海外龍頭主導(dǎo)，競(jìng)爭(zhēng)格局較為集中。歐美日廠商憑借著原有技術(shù)開發(fā)優(yōu)勢(shì)、完善的制造生產(chǎn)與品質(zhì)管理能力，在全球市場(chǎng)具備較大話語權(quán)，占據(jù)全球功率器件供應(yīng)TOP廠商的多數(shù)席位。根據(jù)Omida統(tǒng)計(jì)，2019年全球前十大功率器件供應(yīng)商中，除被聞泰科技收購的安世半導(dǎo)體外，均為歐（2）美（2）日（5）廠商，其中英飛凌（德）以19%的市占率穩(wěn)坐頭把交椅，TOP5合計(jì)占據(jù)43%市場(chǎng)份額。競(jìng)爭(zhēng)格局1市場(chǎng)格局行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局2在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，國(guó)外企業(yè)包括安森美（ONSemiconductor）和意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）等；國(guó)內(nèi)企業(yè)主要有捷捷微電、揚(yáng)杰科技、芯微電子和安芯電子等。目前功率半導(dǎo)體行業(yè)可以分為三個(gè)競(jìng)爭(zhēng)層次，呈現(xiàn)出金字塔式的層次結(jié)構(gòu)。第一梯隊(duì)為國(guó)際大型半導(dǎo)體公司，憑借先進(jìn)技術(shù)占據(jù)優(yōu)勢(shì)地位，代表企業(yè)有美國(guó)的德州儀器、歐洲的英飛凌、日本的東芝等；第二梯隊(duì)為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備IDM經(jīng)營(yíng)能力的領(lǐng)先企業(yè)，；代表企業(yè)包括銀河微電、士蘭微、聞泰科技等；第三梯隊(duì)是從事特定環(huán)節(jié)生產(chǎn)制造的企業(yè)，如某種芯片設(shè)計(jì)制造或幾種規(guī)格封裝測(cè)試。競(jìng)爭(zhēng)格局2競(jìng)爭(zhēng)格局是指市場(chǎng)經(jīng)營(yíng)主體進(jìn)入市場(chǎng)的一種狀態(tài)，主要表現(xiàn)為市場(chǎng)經(jīng)營(yíng)主體全部到位和所有市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)經(jīng)營(yíng)主體之間公平競(jìng)爭(zhēng)。競(jìng)爭(zhēng)格局行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)04030201功率半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)逐漸加強(qiáng)現(xiàn)階段中國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口量和進(jìn)口占比仍然較大，尤其是用于工業(yè)控制領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品及用于高可靠領(lǐng)域的產(chǎn)品，國(guó)產(chǎn)化空間較大。中國(guó)模擬芯片仍高度依賴進(jìn)口，2020年國(guó)產(chǎn)化率僅為12%左右。近年來，國(guó)產(chǎn)化需求隨著中美貿(mào)易摩擦而更加迫切。從工藝技術(shù)來看，功率半導(dǎo)體不依賴于先進(jìn)制程，國(guó)產(chǎn)化具備較高的可實(shí)現(xiàn)性；從市場(chǎng)角度來看，中國(guó)作為電子制造業(yè)大國(guó)，消費(fèi)電子、工業(yè)控制傳統(tǒng)領(lǐng)域以及新能源、物聯(lián)網(wǎng)等新經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域高速增長(zhǎng)的需求也為國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商的發(fā)展提供了良好的土壤；從政策支持角度來看，政府頒布了《國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》《中國(guó)制造2025》《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》等政策，為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控提供了政策支持。未來，在眾多利好條件扶持之下，功率半導(dǎo)體行業(yè)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程將進(jìn)一步加速。功率器件集成化、模塊化趨勢(shì)加快隨著終端應(yīng)用中縮小體積、降低功耗等需要，將功率IC與多個(gè)功率器件共同封裝的功率模組逐漸受到終端廠商的青睞。功率模組可根據(jù)封裝的元器件的不同，實(shí)現(xiàn)