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3.4晶體管的反向特性及基極電阻反向截止電流：增加器件的空載功耗，對(duì)放大無(wú)貢獻(xiàn)，越小越好擊穿電壓：反映晶體管耐壓能力，越高越好基極電阻：增加器件功耗，越小越好3.4晶體管的反向特性及基極電阻3.4.1晶體管反向電流一、定義

晶體管某二個(gè)電極間加反向電壓，另一電極開路時(shí)流過(guò)管中的電流稱其反向電流。1、IEBO：集電極極開路，發(fā)射極與基極間反偏，流過(guò)發(fā)射結(jié)的電流。2、ICBO：發(fā)射極開路，集電極和基極間反偏，流過(guò)集電結(jié)的電流。3、ICEO：基極開路，發(fā)射極和集電極間反偏，流過(guò)發(fā)射極和集電極的電流。IVIeboIVIcboIVIceo3.4晶體管的反向特性及基極電阻反向電流由工藝與材料決定，與工作溫度相關(guān)BVebo，一般情況下eb結(jié)正偏，20V以內(nèi)。BVcbo，由集電區(qū)的摻雜濃度決定,一般要求高。BVce0，與BVcbo有聯(lián)系。BVce0小于BVcb0；IVBVeboIVBVcboIVBVceo3.4晶體管的反向特性及基極電阻3.4.3基極電阻EB發(fā)射極基區(qū)發(fā)射區(qū)基極發(fā)射極發(fā)射區(qū)基極基區(qū)集電區(qū)集電極3.4晶體管的反向特性及基極電阻3.4.3基極電阻Sb/2SebSelerB3rB2rB1rconxjcr=rb1+rb2+rb3+rbc。rb1發(fā)射區(qū)下面的基區(qū)電阻，rb2發(fā)射極和基極之間的電阻，rb3基極電極下面的電阻，rbc基極電極與半導(dǎo)體表面的接觸電阻。

3.4晶體管的反向特性及基極電阻rb1

dx薄層電阻dx薄層內(nèi)消耗的功率:Sb/2SebSelerB3rB2rB1rconxjc3.5.BJT交流小信號(hào)特性輸入電壓

集電極輸出電流：

電壓、電流隨時(shí)間變化，使晶體管的pn結(jié)勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容充放電。發(fā)射極交流電流：基極電流：交流情況下，同樣大小的發(fā)射極電流，由于基極電流增大，會(huì)使得輸出電流減小，電流放大系數(shù)降低。

3.5.BJT交流小信號(hào)特性放大系數(shù)的分貝表示：6

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