冷坩堝法生長晶體的原理3

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某些常溫下不導電的金屬氧化物，在高溫下卻有良好的導電性能，可以用高頻電磁場進行加熱。氧化鋯在常溫下不導電，但在1200℃以上時便有良好的導電性能。冷坩堝法生長晶體的原理

為了使冷坩堝內(nèi)的氧化鋯粉末熔融，首先要讓它產(chǎn)生一個大于1200℃的高溫區(qū)，將金屬的鋯片放在“坩堝”內(nèi)的氧化鋯材料中，高頻電磁場加熱時，金屬鋯片升溫熔融為一個高溫小熔池。冷坩堝法生長晶體的原理圖片來源---百度文庫冷坩堝法生長晶體的原理

氧化鋯粉末就能在高頻電磁場下導電和熔融，并不斷擴大熔融區(qū)，直至氧化鋯粉料除熔殼外全部熔融為止，此技術稱為"引燃"技術。謝謝觀看！

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