ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國國家標準

GB/T42837—2023

微波半導體集成電路

放大器

Microwavesemiconductorintegratedcircuits—

Amplifier

2023-08-06發(fā)布2023-12-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T42837—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術標準化研究院中國電子科技集團公司第十三研究所深圳微步信

:、、

息股份有限公司杭州電子科技大學中國電子科技集團公司第五十五研究所廣東省中紹宣標準化技

、、、

術研究院有限公司成都亞光電子股份有限公司惠州市睿鼎電子科技有限公司青島金匯源電子有限

、、、

公司中國電子科技集團公司第三十八研究所中國航天科工集團第三十五研究所

、、。

本文件主要起草人周俊霍玉柱黃建新邢浩吳維麗尹麗儀楊曉瑜朱鎮(zhèn)忠李德鵬劉芳

:、、、、、、、、、、

汪邦金趙巖

、。

Ⅰ

GB/T42837—2023

微波半導體集成電路

放大器

1范圍

本文件規(guī)定了放大器的分類技術要求測試方法和檢驗規(guī)則等

、、。

本文件適用于采用半導體集成電路工藝設計制造放大器的設計制造采購和驗收

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.110:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分外部目檢

GB/T4937.33:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

GB/T4937.44:(HAST)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分快速溫度變化雙液槽法

GB/T4937.1111:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分鹽霧

GB/T4937.1313:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分引出端強度引線牢固性

GB/T4937.1414:()

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

GB/T4937.1515:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫工作壽命

GB/T4937.2323:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分靜電放電敏感度測試

GB/T4937.2626:(ESD)

人體模型

(HBM)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分靜電放電敏感度測試

GB/T4937.2727:(ESD)

機器模型

(MM)

集成電路術語

GB/T9178

半導體器件集成電路第部分半導體集成電路分規(guī)范不包括混合電路

GB/T1275011:()

半導體器件集成電路第部分第篇半導體集成電路內部目檢不包

GB/T19403.111:1:(

括混合電路

)

半導體器件第部分微波集成電路放大器

GB/T20870.1—200716-1:

集成電路防靜電包裝管

SJ/T10147

電子產品防靜電包裝技術要求

SJ/T11587—2016

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫貯存

IEC60749-66:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分密封