半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)市場(chǎng)簡(jiǎn)析一、存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)：現(xiàn)代文明傳承與延續(xù)的基石存儲(chǔ)的起源：文明的傳承與延續(xù)是需求基石，推動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)的發(fā)展文明的傳承與延續(xù)是信息存儲(chǔ)的需求基石，存儲(chǔ)需求的爆發(fā)增長(zhǎng)，促進(jìn)了存儲(chǔ)介質(zhì)的創(chuàng)新和發(fā)展。從文明誕生以來(lái)，人類(lèi)就一直在尋求能夠更有效存儲(chǔ)信息的方式，從4萬(wàn)年前洞穴壁畫(huà)、6000年前泥板上楔形文字、竹簽、書(shū)本，現(xiàn)代的存儲(chǔ)模式已經(jīng)主要為光盤(pán)、U盤(pán)、硬盤(pán)等等，存儲(chǔ)器的更新?lián)Q代從未停止。1970年10月，Intel發(fā)布了第一款商用DRAM，正式宣告了磁芯存儲(chǔ)器的滅亡。1970年，Intel發(fā)布了第一款商用DRAM“Intel1103”，其在惠普9800系列電腦上大量應(yīng)用，至1972年Intel1103成為全球銷(xiāo)量最好的DRAM內(nèi)存芯片，擊敗了當(dāng)時(shí)的磁芯DRAM內(nèi)存，它的誕生正式宣告了磁芯存儲(chǔ)器的滅亡，并最終成全了個(gè)人電腦革命。2030年全球每年新增數(shù)據(jù)量將突破1YB，存儲(chǔ)需求量級(jí)爆發(fā)式增長(zhǎng)到2030年全球每年新增數(shù)據(jù)量將突破1YB量級(jí)，相當(dāng)于4萬(wàn)億臺(tái)256GB高端手機(jī)的存儲(chǔ)能力，存儲(chǔ)需求量級(jí)爆發(fā)成長(zhǎng)。華為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與機(jī)器視覺(jué)產(chǎn)品線(xiàn)總裁周躍峰在2021創(chuàng)新數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施論壇中表示，到2030年全球每年新增數(shù)據(jù)量將突破1YB量級(jí)，相當(dāng)于4萬(wàn)億256GB高端手機(jī)的存儲(chǔ)能力，存儲(chǔ)需求量級(jí)爆發(fā)成長(zhǎng)。IDC預(yù)計(jì)到2025年，中國(guó)數(shù)據(jù)圈將增至48.6ZB，占全球的27.8%，成為全球最大數(shù)據(jù)圈。據(jù)IDC預(yù)測(cè)，全球數(shù)據(jù)圈(每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制的數(shù)據(jù)集合)將從2018年的33ZB增至2025年的175ZB，增幅超5倍。其中，中國(guó)數(shù)據(jù)圈增速最為迅速。2018年，中國(guó)數(shù)據(jù)圈占全球數(shù)據(jù)圈的比例為23.4%，即7.6ZB；預(yù)計(jì)到2025年將增至48.6ZB，占全球數(shù)據(jù)圈的27.8%，中國(guó)將成為全球最大的數(shù)據(jù)圈。數(shù)字存儲(chǔ)的演進(jìn)：存儲(chǔ)器尺寸不斷縮小至芯片，容量可達(dá)TB量級(jí)隨著技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)器尺寸逐漸縮小，存儲(chǔ)容量大幅提升。根據(jù)NIMBUS數(shù)據(jù)，1960年代，磁帶平均容量?jī)H為2.3MB，1970年代軟盤(pán)開(kāi)始流行，平均容量同樣僅MB量級(jí)。伴隨著硬盤(pán)技術(shù)的發(fā)展及普及，存儲(chǔ)器尺寸不斷下降，存儲(chǔ)容量大幅提升。1990年代，硬盤(pán)存儲(chǔ)容量已達(dá)到1GB量級(jí)。21世紀(jì)開(kāi)始，DRAM、閃存進(jìn)入人們視野，成為主流存儲(chǔ)方式，平均存儲(chǔ)容量從GB量級(jí)逐漸提升至TB量級(jí)。二、機(jī)械硬盤(pán)，雄風(fēng)猶在機(jī)械硬盤(pán)雄風(fēng)猶在，企業(yè)級(jí)應(yīng)用成未來(lái)主戰(zhàn)場(chǎng)機(jī)械硬盤(pán)雄風(fēng)猶在，位列數(shù)字存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模第三，市場(chǎng)集中度逐步提升。根據(jù)日本HDD協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2022年機(jī)械硬盤(pán)市場(chǎng)規(guī)模整體約183億美元，約占數(shù)字存儲(chǔ)的11.35%，位列第三。2008年以前，機(jī)械硬盤(pán)市場(chǎng)各廠商競(jìng)爭(zhēng)激烈。伴隨著消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的流失，廠商逐漸退出，市場(chǎng)集中度提升。2020年HDD市場(chǎng)主要玩家為希捷、西部數(shù)據(jù)和東芝，根據(jù)Trendfocus統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，希捷、西部數(shù)據(jù)、東芝的市場(chǎng)份額分別為42.70%、37.00%和20.30%，依次位列全球第一、全球第二、全球第三。機(jī)械硬盤(pán)是傳統(tǒng)普通硬盤(pán)，信息通過(guò)電磁鐵轉(zhuǎn)換成電流HDD(機(jī)械硬盤(pán))是傳統(tǒng)普通硬盤(pán)，主要由盤(pán)頭、磁片、盤(pán)片轉(zhuǎn)軸及控制電機(jī)、磁頭控制器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、接口和緩存等幾個(gè)部分組成。磁頭可沿盤(pán)片的半徑方向運(yùn)動(dòng)，加上盤(pán)片每分鐘幾千轉(zhuǎn)的高速旋轉(zhuǎn)，磁頭就可以定位在盤(pán)片的指定位置上進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)操作。信息通過(guò)離磁性表面很近的磁頭，由電磁流來(lái)改變極性方式被電磁流寫(xiě)到磁盤(pán)上，信息可以通過(guò)相反的方式讀取。1956~1979年：硬盤(pán)確立溫氏架構(gòu)機(jī)械硬盤(pán)誕生于1956年，“溫氏架構(gòu)”于1973年問(wèn)世?，F(xiàn)代硬盤(pán)雛形誕生于1956年，由IBM制造，存儲(chǔ)容量?jī)H為5MB。1973年，采用“溫氏架構(gòu)”的IBM3340問(wèn)世，標(biāo)志著硬盤(pán)基本架構(gòu)的確立。這種硬盤(pán)擁有幾個(gè)同軸金屬盤(pán)片，盤(pán)片上涂有磁性材料。他們與能夠移動(dòng)的磁頭共同密封在一個(gè)盒子中，磁頭從旋轉(zhuǎn)的盤(pán)片讀出磁信號(hào)的變化。1970-1979年，IBM先后發(fā)明了Merlin技術(shù)、ThinFilm磁頭，驅(qū)動(dòng)硬盤(pán)數(shù)據(jù)定位準(zhǔn)確性、硬盤(pán)密度都大幅提升。三、DRAM戰(zhàn)場(chǎng)硝煙彌漫DRAM硝煙彌漫，“百花齊放”到“三國(guó)鼎立”根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，2022年DRAM市場(chǎng)規(guī)模整體約791億美元，位列數(shù)字存儲(chǔ)市場(chǎng)第一。近年來(lái)受益于數(shù)據(jù)資料中心、智能手機(jī)、加密貨幣等市場(chǎng)需求，DRAM市場(chǎng)規(guī)?？傮w呈現(xiàn)上升趨勢(shì)，2019年由于前期擴(kuò)產(chǎn)能和去庫(kù)存等因素，市場(chǎng)規(guī)模有所下降。從“百花齊放”到“三國(guó)鼎立”，三星、鎂光、SK海力士成DRAM領(lǐng)域最終玩家，據(jù)Statista，2022年三家合計(jì)市場(chǎng)份額達(dá)94%，分別為43.10%，27.72%和24.50%。縱觀DRAM發(fā)展歷史，產(chǎn)品以成本、技術(shù)、品質(zhì)等為核心競(jìng)爭(zhēng)要素，背后需要企業(yè)在融資能力、產(chǎn)業(yè)鏈配套及人才梯隊(duì)等全方位儲(chǔ)備，考驗(yàn)企業(yè)系統(tǒng)性的資源調(diào)動(dòng)能力。DRAM搏殺慘烈，王朝幾經(jīng)更替DRAM行業(yè)早期競(jìng)爭(zhēng)激烈，歷經(jīng)美、日、韓的幾代王朝更替，最終形成三星電子、SK海力士、美光三足鼎立格局。70年代，Intel憑借1KDRAM研發(fā)成功迅速占領(lǐng)市場(chǎng)，IBM和德州儀器也開(kāi)始入局。80年代，日本廠商憑借低價(jià)的優(yōu)勢(shì)份額持續(xù)提升，韓國(guó)三星也在此時(shí)開(kāi)始布局DRAM。90年代以來(lái)，開(kāi)創(chuàng)DRAM產(chǎn)業(yè)的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM陸續(xù)退出DRAM市場(chǎng)。近10年來(lái)DRAM市場(chǎng)集中度逐漸上升，形成了三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM，基本操作機(jī)制分為讀和寫(xiě)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DynamicRandomAccessMemory)DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，通常以一個(gè)電容和晶體管為一個(gè)單元排成二維矩陣。DRAM利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷情況來(lái)代表二進(jìn)制比特是1或0。由于晶體管電路會(huì)有漏電電流，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確地識(shí)別。因此DRAM需要周期性地充電，因此被稱(chēng)為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。四、FLASH為新一代存儲(chǔ)主力FLASH市場(chǎng)規(guī)模約638億美元，位列數(shù)字存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模第二2022年FLASHMEMORY市場(chǎng)規(guī)模整體約638億美元，占總體存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模約40%，位列數(shù)字存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模第二。其中據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，2022年NANDFLASH市場(chǎng)規(guī)模約為601億美元，據(jù)CINNO數(shù)據(jù)，2022年NorFLASH市場(chǎng)規(guī)模約為37億美元。Flash成為兵家必爭(zhēng)之地FLASHMEMORY作為新一代存儲(chǔ)主力，近年來(lái)快速發(fā)展，已成為兵家必爭(zhēng)之地。FLASH市場(chǎng)規(guī)模近年來(lái)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)趨勢(shì)，特別是NANDFLASH已成為手機(jī)、筆記本等主力存儲(chǔ)介質(zhì)，而可穿戴設(shè)備、IOT等應(yīng)用興起驅(qū)動(dòng)NORFLASH成長(zhǎng)。內(nèi)存器件FLASH(閃存)具有非易失性閃存(Flash)是屬于內(nèi)存器件的一種，其具有非易失性(Non-Volatile)。在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán)，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類(lèi)便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。閃存是一種電壓控制型器件。其存儲(chǔ)單元類(lèi)似MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)的三端器件，有源極、漏極和柵極。而其在柵極與硅襯底之間有額外一層?xùn)艠O，用以存儲(chǔ)電荷，名稱(chēng)為“浮置柵極”其外部包裹二氧化硅絕緣層，因此電荷不會(huì)泄漏，所以閃存具有記憶能力。五、半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo)：存儲(chǔ)市場(chǎng)近況及預(yù)判半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)占半導(dǎo)體市場(chǎng)23%左右，是半導(dǎo)體行業(yè)一大分支據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)占半導(dǎo)體市場(chǎng)23%左右，是半導(dǎo)體行業(yè)一大分支。半導(dǎo)體行業(yè)可以細(xì)分為存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片、模擬芯片、傳感器、分立器件等。存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體行業(yè)的一大分支，2003年以來(lái)，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)占半導(dǎo)體市場(chǎng)的份額維持在20%-25%，其中2017年和2018年高達(dá)30.07%和33.70%。2022年，根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模占據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)的23.17%。半導(dǎo)體存儲(chǔ)分為易失性存儲(chǔ)芯片(RAM)、非易失性存儲(chǔ)芯片(ROM)和其他。常見(jiàn)的易失性存儲(chǔ)芯片有SRAM和DRAM，非易失性存儲(chǔ)芯片包括FLASH(閃存)和ROM(只讀存儲(chǔ)器)，其中FLASH分為NANDFLASH和NORFLASH兩種。存儲(chǔ)是半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo)：與半導(dǎo)體行業(yè)變化基本一致，波動(dòng)性更強(qiáng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)變化與半導(dǎo)體行業(yè)變化基本一致，但具有更強(qiáng)波動(dòng)性。存儲(chǔ)器作為半導(dǎo)體的子行業(yè)，其周期變化基本和半導(dǎo)體行業(yè)周期變化一致，但存儲(chǔ)器的波動(dòng)性更強(qiáng)。因此，當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)處于景氣周期時(shí)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn)更佳，以2017年為例，半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模同比增長(zhǎng)21.62%，存儲(chǔ)規(guī)模同比增長(zhǎng)高達(dá)61.49%。而當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)處于不景氣狀態(tài)時(shí)，存儲(chǔ)市場(chǎng)亦會(huì)表現(xiàn)更不理想，以2019年為例，半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模同比下降12.05%，但存儲(chǔ)市場(chǎng)下降高達(dá)32.62%。DRAM和NANDFLASH是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模中最大的存儲(chǔ)器，2022年DRAM和NANDFlash占比分別達(dá)55%和42%。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)，2022年，DRAM占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)的55%，NANDFLASH占42%。此外，NORFLASH隨著新興市場(chǎng)的崛起，市場(chǎng)空間將逐步恢復(fù)。六、中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)整裝待發(fā)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司兆易創(chuàng)新：NorFlash領(lǐng)先企業(yè)。公司2022年?duì)I業(yè)收入為81.30億元，同比下降4%，歸母凈利潤(rùn)為20.53億元，同比下降12%。2022年存儲(chǔ)業(yè)務(wù)占比59.36%，其中NORFlash產(chǎn)品占絕大比例，MCU占比已達(dá)34.80%。并購(gòu)思立微后拓展的傳感器業(yè)務(wù)占比5.35%。聚辰股份：SPD+車(chē)規(guī)級(jí)EEPROM動(dòng)能強(qiáng)勁。公司目前擁有EEPROM等非易失性存儲(chǔ)芯片、音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片和智能卡芯片三條主要產(chǎn)品線(xiàn)，2022年?duì)I收占比分別為87.12%、5.83%和7.04%。據(jù)web-feet統(tǒng)計(jì)，2019年聚辰EEPROM市占率國(guó)內(nèi)第一、全球第三。2022年公司營(yíng)收9.8億元，同比增長(zhǎng)80%；歸母凈利潤(rùn)3.54億元，同比增長(zhǎng)227%。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)涉及設(shè)備類(lèi)公司中微公司：國(guó)產(chǎn)ICP&CCP刻蝕龍頭。2022年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收47.40億元，同比+53%，歸母凈利潤(rùn)11.70億元，同比+16%。2022年公司的ICP刻蝕設(shè)備在超過(guò)20個(gè)客戶(hù)的邏輯、DRAM和3DNAND等器件的生產(chǎn)線(xiàn)上進(jìn)行超過(guò)100多個(gè)ICP刻蝕工藝的量產(chǎn)，并持續(xù)擴(kuò)展到更多刻蝕應(yīng)用的驗(yàn)證。北方華創(chuàng)：半導(dǎo)體設(shè)備平臺(tái)型龍頭。2022年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收146.88億元，同比+52%，歸母凈利潤(rùn)23.53億元，同比+118%。2022年公司在刻蝕裝備方面，面向12吋邏輯、存儲(chǔ)、功率、先進(jìn)封裝等客戶(hù)，已完成數(shù)百道工藝的量產(chǎn)驗(yàn)證，ICP刻蝕產(chǎn)品出貨累計(jì)超過(guò)2000腔。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)涉及封測(cè)端公司長(zhǎng)電科技：國(guó)內(nèi)先進(jìn)封測(cè)龍頭。2022年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收337.6億元，同比+11%，歸母凈利潤(rùn)32.3億元，同比+9%。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，公司封測(cè)服務(wù)覆蓋DRAM，F(xiàn)lash等各種存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，擁有20多