集成電路封裝與測試技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院

第一章測試

集成電路封裝的目的，在于保護(hù)芯片不受或少受外界環(huán)境的影響，并為之提供一個良好的工作條件，以使集成電路具有穩(wěn)定、正常的功能。（）

A:對B:錯

答案:對

制造一塊集成電路芯片需要經(jīng)歷集成電路設(shè)計、掩模板制造、原材料制造、芯片制造、封裝、測試等工序。（）

A:錯B:對

答案:對

下列不屬于封裝材料的是（）。

A:塑料B:陶瓷C:金屬D:合金

答案:合金

下列不是集成電路封裝裝配方式的是（）。

A:表面組裝B:直插安裝C:通孔插裝D:直接安裝

答案:直插安裝

封裝工藝第三層是把集成電路芯片與封裝基板或引腳架之間進(jìn)行粘貼固定、電路電線與封裝保護(hù)的工藝。（）

A:錯B:對

答案:錯

隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，芯片尺寸越來越大，工作頻率越來越高，發(fā)熱量越來越高，引腳數(shù)越來越多。（）

A:對B:錯

答案:對

集成電路封裝的引腳形狀有長引線直插、短引線或無引線貼裝、球狀凹點(diǎn)。（）

A:錯B:對

答案:錯

封裝工藝第一層又稱之為芯片層次的封裝，是指把集成電路芯片與封裝基板引線架之間進(jìn)行粘貼固定、電路連線與封裝保護(hù)工藝。（）

A:對B:錯

答案:對

集成電路封裝主要使用合金材料，因為合金材料散熱性能好。（）

A:錯B:對

答案:錯

第二章測試

芯片互聯(lián)常用的方法有：引線鍵合、載帶自動焊、倒裝芯片焊。（）

A:錯B:對

答案:對

載帶自動焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。（）

A:錯B:對

答案:對

去飛邊毛刺工藝主要有：介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。（）

A:對B:錯

答案:對

下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。

A:干式拋光技術(shù)B:熱壓技術(shù)C:光刻技術(shù)D:切割技術(shù)

答案:干式拋光技術(shù)

封裝工序一般可以分成兩個部分：包裝前的工藝稱為裝配或稱前道工序，在成型之后的工藝步驟稱為后道工序。（）

A:錯B:對

答案:對

封裝的工藝流程為（）。

A:磨片、劃片、裝片、鍵合、塑封、電鍍、切筋、打彎、測試、包裝、倉檢、出貨B:劃片、裝片、鍵合、塑封、電鍍、包裝、倉檢、出貨、磨片、切筋、打彎、測試C:倉檢、出貨、磨片、切筋、打彎、測試、劃片、裝片、鍵合、塑封、電鍍、包裝D:電鍍、切筋、打彎、測試、包裝、倉檢、出貨、磨片、劃片、裝片、鍵合、塑封

答案:磨片、劃片、裝片、鍵合、塑封、電鍍、切筋、打彎、測試、包裝、倉檢、出貨

以下不屬于打碼目的的是（）。

A:清晰直觀，不容易擦除。B:更便于分析芯片種類。C:便于識別國家，編號等信息。D:芯片外觀更好看。

答案:芯片外觀更好看。

去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。（）

A:對B:錯

答案:錯

鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。

A:星形B:錐形C:五邊形D:楔形

答案:錐形;楔形

第三章測試

玻璃膠粘貼法是一種僅適用于陶瓷封裝的低成本芯片粘結(jié)技術(shù)。（）

A:對B:錯

答案:對

下列芯片互連常用方法，說法錯誤的是（）。

A:共晶粘結(jié)B:引線鍵合C:倒裝芯片焊D:載帶自動焊

答案:共晶粘結(jié)

芯片粘結(jié)工藝包括（）。

A:點(diǎn)銀漿B:烘烤C:銀漿固化D:芯片粘結(jié)

答案:點(diǎn)銀漿;銀漿固化;芯片粘結(jié)

高分子膠粘結(jié)法的缺點(diǎn)為熱穩(wěn)定性不良、容易在高溫時發(fā)生劣化及引發(fā)粘著劑中有機(jī)物氣體成分泄漏而降低產(chǎn)品的可靠性，因此不適用于高可靠性需求的封裝之中。（）

A:對B:錯

答案:對

一般會根據(jù)實際情況對環(huán)氧樹脂進(jìn)行改性處理，改善環(huán)氧樹脂的導(dǎo)電性能、導(dǎo)熱性能等。改性方法不合適的為（）。

A:添加填充劑B:添加助燃劑C:添加特種熱固性或熱塑性樹脂D:選擇固化劑

答案:添加助燃劑

固晶設(shè)備中銀漿在封裝中的作用是（）。

A:導(dǎo)電作用B:散熱作用C:將裸片固定在引線架上D:保護(hù)芯片作用

答案:導(dǎo)電作用;散熱作用;將裸片固定在引線架上

玻璃膠粘貼法可以得到無孔洞，熱穩(wěn)定性優(yōu)良，低殘余應(yīng)力與低濕氣含量的結(jié)合。（）

A:錯B:對

答案:對

固晶機(jī)銀漿臂取完銀漿應(yīng)將銀漿點(diǎn)到引線架銅板的（）。

A:左上角B:右下角C:正中心D:右上角

答案:正中心

固晶設(shè)備在自動固晶的過程中操作者可以在設(shè)備運(yùn)行范圍指指點(diǎn)點(diǎn)。（）

A:錯B:對

答案:錯

自動固晶機(jī)是高精度的精密設(shè)備。（）

A:對B:錯

答案:對

第四章測試

引線鍵合的常用技術(shù)有（）。

A:激光焊B:超聲焊C:熱壓焊D:熱聲焊

答案:超聲焊;熱壓焊;熱聲焊

下列對焊接可靠性無影響的是（）。

A:超聲波B:焊接溫度C:燈光亮度D:焊接壓力

答案:燈光亮度

楔形鍵合是一種單一方向焊接工藝(即第二焊點(diǎn)必須對準(zhǔn)第一焊點(diǎn)的方向)。（）

A:錯B:對

答案:對

根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。

A:載帶自動鍵合B:楔形鍵合C:倒裝鍵合D:球形鍵合

答案:載帶自動鍵合;倒裝鍵合

鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。

A:球太小導(dǎo)致堅硬的鍵合頭接觸了焊盤B:鍵合頭運(yùn)動到焊盤的速度太大，易造成GaAs器件出坑C:過高的超聲能導(dǎo)致Si晶格點(diǎn)陣的破壞積累D:在Al的超聲鍵合中，絲線太硬容易導(dǎo)致彈坑的產(chǎn)生

答案:球太小導(dǎo)致堅硬的鍵合頭接觸了焊盤;鍵合頭運(yùn)動到焊盤的速度太大，易造成GaAs器件出坑;過高的超聲能導(dǎo)致Si晶格點(diǎn)陣的破壞積累;在Al的超聲鍵合中，絲線太硬容易導(dǎo)致彈坑的產(chǎn)生

鍵合工藝失效,，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。

A:楔通孔中部分堵塞B:引線表面骯臟C:金屬絲拉伸錯誤D:金屬絲傳送角度不對

答案:楔通孔中部分堵塞;引線表面骯臟;金屬絲拉伸錯誤;金屬絲傳送角度不對

引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。

A:鍵合壓力B:鍵合溫度C:超聲溫度D:鍵合時間

答案:鍵合壓力;鍵合溫度;鍵合時間

鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋。原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。（）

A:錯B:對

答案:對

引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。（）

A:錯B:對

答案:對

第五章測試

凸點(diǎn)倒裝與倒裝工藝相比其優(yōu)點(diǎn)更多。（）

A:錯B:對

答案:對

倒裝芯片的連接方式有（）。

A:直接芯片連接B:膠粘劑連接倒裝芯片C:502膠水連接D:控制塌陷芯片連接

答案:直接芯片連接;膠粘劑連接倒裝芯片;控制塌陷芯片連接

塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。

A:彎曲強(qiáng)度B:腐蝕模量C:伸長率D:剪切模量

答案:彎曲強(qiáng)度;伸長率;剪切模量

測試滲透技術(shù)分為稱重池和隔離池。（）

A:對B:錯

答案:對

為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。（）

A:錯B:對

答案:對

膠粘劑連接倒裝芯片是用膠黏劑來代替焊料。（）

A:對B:錯

答案:對

UBM的形成可以采用（）方法。

A:電鍍B:化學(xué)鍍C:濺射D:蒸發(fā)

答案:電鍍;化學(xué)鍍;濺射;蒸發(fā)

凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。

A:印刷凸點(diǎn)B:電鍍凸點(diǎn)C:擠壓凸點(diǎn)D:噴射凸點(diǎn)

答案:印刷凸點(diǎn);電鍍凸點(diǎn);噴射凸點(diǎn)

凸點(diǎn)主要分類有（）

A:鋁凸點(diǎn)B:焊料凸點(diǎn)C:聚合物凸點(diǎn)D:金凸點(diǎn)

答案:焊料凸點(diǎn);聚合物凸點(diǎn);金凸點(diǎn)

第六章測試

常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個工序，而倒裝芯片則合二為一。（）

A:對B:錯

答案:對

凸點(diǎn)越小，距離越短，對位越困難。（）

A:對B:錯

答案:對

在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，__再次來到大眾視線（）。

A:FC技術(shù)B:FE技術(shù)C:HE技術(shù)D:FF技術(shù)

答案:FC技術(shù)

為使封裝效率提高，可以部分硅片同時加工。（）

A:對B:錯

答案:錯

通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。

A:銅片B:金片C:鋁片D:鐵片

答案:銅片

WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。（）

A:對B:錯

答案:錯

濕熱機(jī)械性能包含（）。

A:熱到率B:伸長率C:吸濕膨脹D:粘附強(qiáng)度

答案:熱到率;伸長率;吸濕膨脹;粘附強(qiáng)度

制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）

A:固化溫度B:聚合時間C:固化時間D:聚合速率

答案:固化溫度;固化時間;聚合速率

直接芯片連接技術(shù)和C4技術(shù)相同。（）

A:對B:錯

答案:對

第七章測試

下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是（）。

A:PCLPB:CerquadC:BQFPD:QIP

答案:PCLP

下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說法錯誤的是（）

A:制造商可以利用現(xiàn)成的技術(shù)和材料B:確保整個封裝器件具有較低的價格C:與QFP相比，會有機(jī)械損傷現(xiàn)象D:裝配到PCB上可以具有非常高的質(zhì)量

答案:與QFP相比，會有機(jī)械損傷現(xiàn)象

下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說法錯誤的是（）。

A:不需要很精密的安放設(shè)備D、封裝面積縮小B:提高成品率B、球形觸點(diǎn)有助于散熱

答案:不需要很精密的安放設(shè)備D、封裝面積縮小

下列屬于BGAA形式的是（）。

A:陶瓷圓柱柵格陣列B:塑料球柵陣列C:載帶球柵陣列D:陶瓷球柵陣列

答案:陶瓷圓柱柵格陣列;塑料球柵陣列;載帶球柵陣列;陶瓷球柵陣列

下列關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說法正確的是（）。

A:BGA適合MCM的封裝需要，有利于實現(xiàn)MCM的高密度、高性能。B:明顯改善共面問題C:BGA引腳牢靠，不易變形D:BGA引腳短，使信號路徑短，減小了引線電感和電容，增強(qiáng)了節(jié)點(diǎn)性能。

答案:BGA適合MCM的封裝需要，有利于實現(xiàn)MCM的高密度、高性能。;明顯改善共面問題;BGA引腳牢靠，不易變形;BGA引腳短，使信號路徑短，減小了引線電感和電容，增強(qiáng)了節(jié)點(diǎn)性能。

下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說法正確的是（）。

A:I/O間距要求不太嚴(yán)格B:可高效地進(jìn)行功率分配和信號屏蔽C:性能得到提高D:互聯(lián)所占面板大

答案:I/O間距要求不太嚴(yán)格;可高效地進(jìn)行功率分配和信號屏蔽;性能得到提高

封裝是把芯片裝配為最終產(chǎn)品的過程。簡單說，就是把鑄造廠生產(chǎn)出來的集成電路裸片放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來，然后固定包裝成為一個整體。（）

A:錯B:對

答案:對

收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。（）

A:錯B:對

答案:錯

因為QFP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。（）

A:對B:錯

答案:對

QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F)，對設(shè)定的電性能無法調(diào)整，而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。（）

A:錯B:對

答案:對

第八章測試

關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯誤的是（）。

A:電絕緣性能好B:化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定C:力學(xué)性能高D:信號傳遞快

答案:信號傳遞快

按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯誤的是（）。

A:4DB、2DC、2.5DD、3D

答案:4DB、2DC、2.5DD、3D

電子封裝技術(shù)專業(yè)要求同學(xué)們要掌握（）。

A:電子封裝材料B:電子器件的設(shè)計與制造C:微細(xì)加工技術(shù)D:電子封裝與組裝技術(shù)

答案:電子封裝材料;電子器件的設(shè)計與制造;微細(xì)加工技術(shù);電子封裝與組裝技術(shù)

使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。（）

A:錯B:對

答案:對

電子封裝是指對電路芯片進(jìn)行包裝，進(jìn)而保護(hù)電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。（）

A:錯B:對

答案: