模擬電子技術(shù)（中南大學）智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下中南大學中南大學

第一章測試

BJT管的輸入電阻比MOSFET的輸入電阻高。

A:錯B:對

答案:錯

穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用是利用了PN結(jié)的反向截止特性。

A:對B:錯

答案:錯

要實現(xiàn)BJT的放大作用，對發(fā)射結(jié)與集電結(jié)的要求是（

）。

A:發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏B:發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏C:發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏D:發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏

答案:發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏

工作在放大區(qū)的某晶體三極管，如果當IB從12μA增大到22μA時，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的β

約為（

）。

A:83B:50C:90D:100

答案:100

在放大電路中，測得BJT管三個管腳電位分別為6V、6.7V、12V，則這三個管腳分別是（

）。

A:E、C、BB:C、B、EC:C、E、BD:E、B、C

答案:E、B、C

A:8.7B:73C:4.3

D:5.7

答案:5.7

設(shè)某增強型N溝道MOS管UGS（th）=3V，試問當它的柵源電壓uGS=2.5V時，該管處于（

）區(qū)。

A:擊穿B:可變電阻

C:截止D:放大

答案:截止

A:dB:bC:cD:a

答案:c;a

A:cB:bC:dD:a

答案:c;a

A:dB:aC:bD:c

答案:d;b

第二章測試

阻容耦合兩級放大電路各級的Q點相互獨立，所以可以各級獨自計算各自的Q點。

A:對B:錯

答案:對

耗盡型NMOS管的多子與少子都參與導電。（

）

A:錯B:對

答案:錯

A:0.5B:12C:6D:0.7

答案:12

設(shè)某增強型N溝道MOS管UGS（th）=3V，試問當它的柵源電壓uGS=2.5V時，該管處于（

）狀態(tài)。

A:截止B:放大C:飽和D:擊穿

答案:截止

A:4.03B:5.7C:4.24D:6

答案:4.03

A:>1200B:=-1200C:=1200D:<1200

答案:<1200

A:40B:10C:100

答案:100

現(xiàn)有直接耦合基本放大電路如下,有電流放大作用的電路是（

）。

A:共射電路B:共基電路C:共源電路D:共集電路E:共漏電路

答案:共射電路;共源電路;共集電路;共漏電路

A:B:

C:D:

答案:;

;

在多級放大電路下列三種三種耦合方式中，（

）耦合不能放大直流信號。

A:變壓器B:直接C:阻容

答案:變壓器;阻容

第三章測試

當OCL電路的最大輸出功率為1W時，功放單管的集電極最大耗散功率應(yīng)位0.75W。

A:對B:錯

答案:錯

只利用兩只場效應(yīng)管不能復合組成復合管。

A:對B:錯

答案:對

差動放大電路的共模抑制比KCMR越大，表明電路（

）。

A:輸入信號中差模成分越大B:對共模信號的抑制能力越強C:放大倍數(shù)越穩(wěn)定D:交流放大倍數(shù)越大

答案:對共模信號的抑制能力越強

用恒流源取代電阻長尾差動放大電路中的RE，將會提高電路的（

）。

A:共模電壓增益B:輸出電阻C:共摸抑制比D:差模電壓增益

答案:共摸抑制比

功率放大電路與電壓放大電路的共同點是（

）。

A:都使輸出電流大于輸入電流B:都能用

h

參數(shù)小信號模型進行性能分析C:都使輸出電壓大于輸入電壓D:都使輸出功率大于信號源提供的輸入功率

答案:都使輸出功率大于信號源提供的輸入功率

A:≈28WB:＝9WC:＝18W

答案:＝9W

集成運放制造工藝使得同類半導體管的（

）。

A:參數(shù)不受溫度影響B(tài):參數(shù)一致性好C:指標參數(shù)準確

答案:參數(shù)一致性好

理想差動放大電路的=

∞

的工作模式是（

）。

A:單入-雙出B:單入-單出C:雙入-單出D:雙入-雙出

答案:單入-雙出;雙入-雙出

以下有可能組成復合管的有（

）。

A:PNP+PNPB:NPN+PNPC:FET+FETD:NPN+NPN

答案:PNP+PNP;NPN+PNP;NPN+NPN

A:共模輸入電壓uIc=16mVB:共模輸入電壓uIc=8mVC:差模輸入電壓uId=2mVD:差模輸入電壓uId=4mV

答案:共模輸入電壓uIc=8mV;差模輸入電壓uId=4mV

第四章測試

若放大電路的電壓放大倍數(shù)為正，則引入的反饋一定是正反饋。

A:錯B:對

答案:錯

阻容耦合放大電路的耦合電容、旁路電容越多，引入負反饋后，越容易產(chǎn)生低頻振蕩。

A:對B:錯

答案:對

所謂閉環(huán)是指（

）。

A:接入了電源B:考慮信號源內(nèi)阻C:存在反饋通路D:接入了負載

答案:存在反饋通路

A:電流串聯(lián)B:電流并聯(lián)C:電壓并聯(lián)D:電壓串聯(lián)

答案:電壓串聯(lián)

A:自激振蕩B:負反饋C:深度負反饋D:正反饋

答案:負反饋

在負反饋放大電路中，如果令uo=0，反饋消失了，則引入的是（

）負反饋。

A:電流B:電壓C:串聯(lián)D:并聯(lián)

答案:電壓

在輸入量不變的情況下，若引入反饋后（

），則說明引入的反饋是負反饋。

A:凈輸入量增大B:輸入電阻增大C:輸出量增大D:凈輸入量減小

答案:凈輸入量減小

關(guān)于交流反饋與直流反饋，正確的描述有（

）。

A:直流負反饋的作用就是穩(wěn)定靜態(tài)工作點B:交流負反饋能夠展寬通頻帶C:交流負反饋能夠抑制環(huán)內(nèi)的一切噪聲與干擾D:凡是在交流通路中的存在負反饋稱為交流負反饋

答案:直流負反饋的作用就是穩(wěn)定靜態(tài)工作點;交流負反饋能夠展寬通頻帶;交流負反饋能夠抑制環(huán)內(nèi)的一切噪聲與干擾;凡是在交流通路中的存在負反饋稱為交流負反饋

A:不存在反饋B:引入了交流負反饋C:引入了交流電壓串聯(lián)負反饋D:引入了直流負反饋

答案:引入了交流負反饋;引入了交流電壓串聯(lián)負反饋

A:閉環(huán)電壓放大倍數(shù)Auf=11B:閉環(huán)放大倍數(shù)與閉環(huán)電壓放大倍數(shù)相等C:反饋組態(tài)是電壓串聯(lián)D:閉環(huán)電壓放大倍數(shù)Auf=10

答案:閉環(huán)電壓放大倍數(shù)Auf=11;閉環(huán)放大倍數(shù)與閉環(huán)電壓放大倍數(shù)相等;反饋組態(tài)是電壓串聯(lián)

第五章測試

在各種運算電路中，集成運放的反相輸入端均為虛地。

A:對B:錯

答案:錯

無論是有源濾波電路，還是無源濾波電路，其通帶放大倍數(shù)的數(shù)值均可以大于1。

A:錯B:對

答案:錯

對集成運放KCMR要求最高的運算電路是（

）電路。

A:反相比例B:積分C:微分D:同相比例

答案:同相比例

A:-12VB:+15VC:+12VD:-15V

答案:-12V

A:-4V

B:-14VC:-8V

答案:-8V

二階BPF可以由（

）組成。

A:一階BPF與反相器串聯(lián)B:一階LPF和一階HPF串聯(lián)C:一階LPF和一階HPF并聯(lián)

答案:一階LPF和一階HPF串聯(lián)

由運放組成的對數(shù)和反對數(shù)運算電路，下列說法正確的是（

）。

A:輸入與輸出函數(shù)呈線性關(guān)系B:都屬于線性運算電路C:都屬于非線性運算電路

答案:都屬于線性運算電路

關(guān)于同相比例電路，正確的描述有（

）。

A:比例系數(shù)可以大于或等于1

B:輸入電阻高C:可以實現(xiàn)電壓跟隨器D:輸入電阻低

答案:比例系數(shù)可以大于或等于1

;輸入電阻高;可以實現(xiàn)電壓跟隨器;輸入電阻低

關(guān)于反相積分運算電路，正確的描述有（

）。

A:可以實現(xiàn)將方波轉(zhuǎn)換為三角波B:可以將正弦波轉(zhuǎn)換成方波C:可以采用“虛短”與“虛斷”求解輸出與輸入的關(guān)系

D:輸入電阻低

答案:可以實現(xiàn)將方波轉(zhuǎn)換為三角波;可以采用“虛短”與“虛斷”求解輸出與輸入的關(guān)系

;輸入電阻低

關(guān)于乘法器正確的描述有（

）。

A:與電容組合可以實現(xiàn)倍頻電路B:能夠?qū)崿F(xiàn)函數(shù)Y＝aX2

C:與電容組合可以實現(xiàn)分頻電路D:與集成運放組合可以實現(xiàn)除法運算

答案:與電容組合可以實現(xiàn)倍頻電路;能夠?qū)崿F(xiàn)函數(shù)Y＝aX2

;與集成運放組合可以實現(xiàn)除法運算

第六章測試

在輸入電壓從足夠低逐漸增大到足夠高的過程中，單限比較器和滯回比較器的輸出電壓均只躍變一次。

A:錯B:對

答案:錯

當集成運放工作在非線性區(qū)時，輸出電壓不是高電平，就是低電平。

A:對B:錯

答案:對

相對來說，（

）比較器的抗干擾能力強。

A:單限B:過零C:滯回

答案:滯回

制作頻率非常穩(wěn)定的測試用信號源，應(yīng)選用（

）振蕩電路。

A:石英晶體正弦波B:RC橋式正弦波C:LC正弦波

答案:石英晶體正弦波

A:A1構(gòu)成滯回比較器，A2構(gòu)成微分運算電路B:A1構(gòu)成同相比例運算電路，A2構(gòu)成積分運算電路

C:A1構(gòu)成滯回比較器，A2構(gòu)成積分運算電路D:A1構(gòu)成同相比例運算電路，A2構(gòu)成微分運算電路

答案:A1構(gòu)成滯回比較器，A2構(gòu)成積分運算電路

自激振蕩是電路在（

）的情況下，產(chǎn)生了有規(guī)則的、持續(xù)存在的輸出波形的現(xiàn)象。

A:沒有反饋信號B:沒有電源電壓C:沒有輸入信號D:外加輸入激勵

答案:沒有輸入信號

A:9B:C:6D:

答案:

A:Rf

短路B:R1斷路C:R1短路D:Rf

斷路

答案:Rf

短路;R1斷路

關(guān)于比較器，正確的描述有（

）。

A:單限比較器工作在開環(huán)狀態(tài)B:窗口比較器工作在正反饋狀態(tài)C:滯回比較器工作在正反饋狀態(tài)D:窗口比較器是由兩個單限比較器構(gòu)成的

答案:單限比較器工作在開環(huán)狀態(tài);滯回比較器工作在正反饋狀態(tài);窗口比較器是由兩個單限比較器構(gòu)成的

A:（b）B:（a）C:（d）D:（c）

答案:（b）;（c）

第七章測試

在單相橋式整流電容濾波電路中，若有一只整流管斷開，輸出電壓平均值變?yōu)樵瓉淼囊话搿?/p>

A:錯B:對

答案:錯

線性直流電源中的調(diào)整管工作在放大狀態(tài)，開關(guān)型直流電源中的調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài)。

A:錯B:對

答案:對

串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對象是（

）。

A:取樣電壓B:基準電壓C:基準電壓與取樣電壓之差D:輸出電壓

答案:基準電壓與取樣電壓之差

若要組成輸出電壓可調(diào)、最大輸出電流為3A的直流穩(wěn)壓電源，則應(yīng)采用（

）。

A:電容濾波穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路B:電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路C:電感濾波穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路D:電容濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路

答案:電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路

在單相橋式整流電路中，若有一只整流管虛焊，則（

）。

A:整流管將因電流過大而燒壞B:變?yōu)榘氩ㄕ?/p>

C:輸出電壓約為2UD

答案:變?yōu)榘氩ㄕ?/p>

在單相橋式整流電路中，若有一只整流管接反，則（

）。

A:輸出電壓約為2UDB:變?yōu)榘氩ㄖ绷鰿:整流管及變壓器將因電流過大而燒壞

答案:整流管及變壓器將因電流過大而燒壞

A:-18V及+9VB:+18V及-9VC:-18V及-9VD:+18V及+9V

答案:+18V及-9V

關(guān)于直流穩(wěn)壓電源中的濾波電路，正確的描述有（

）。

A:濾波電路應(yīng)選用低通濾波電路B:濾波電路應(yīng)選用帶通濾波電路