ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T43313—2023

碳化硅拋光片表面質量和微管密度的測試

共焦點微分干涉法

Testmethodforsurfacequalityandmicropipedensityofpolishedsilicon

carbidewafers—Confocalanddifferentialinterferometryoptics

2023-11-27發(fā)布2024-06-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T43313—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第四十六研究所山東天岳先進科技股份有限公司常州

:、、

臻晶半導體有限公司湖州東尼半導體科技有限公司廈門坤錦電子科技有限公司中國電子科技集團

、、、

公司第十三研究所廣東天域半導體股份有限公司有色金屬技術經(jīng)濟研究院有限責任公司中國科學

、、、

院半導體研究所環(huán)鑫半導體天津有限公司浙江東尼電子股份有限公司

、TCL()、。

本文件主要起草人姚康劉立娜何烜坤李素青馬春喜高飛張紅巖陸敏鄭紅軍房玉龍

:、、、、、、、、、、

蘆偉立丁雄杰劉薇李嘉煒晏陽鈕應喜楊玉聰黃樹福

、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T43313—2023

碳化硅拋光片表面質量和微管密度的測試

共焦點微分干涉法

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅拋光片表面質量和微管密度的共焦點微分干涉測試方法

4H。

本文件適用于直徑為厚度范圍為

50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm,300μm~1000μm

碳化硅拋光片的表面質量和微管密度的測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體材料術語

GB/T14264

潔凈室及相關受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20211:

碳化硅單晶拋光片

GB/T30656

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4原理

采用共焦點微分干涉光學系統(tǒng)入射光通過諾馬斯基棱鏡和物鏡后照射到晶片表面晶片表面反射

,,

的光線通過共聚焦光學系統(tǒng)到達檢測器對待測晶片進行全表面掃描獲得晶片表面各個位置的真實

。,

圖像與預設的各種缺陷的特征參數(shù)信息相比較對采集到的缺陷進行分類識別并對缺陷的數(shù)量進行統(tǒng)

,,

計進而獲得各類缺陷在晶片表面的分布圖以及各類缺陷的數(shù)量

,,。

5干擾因素

51潔凈室的環(huán)境會影響晶體表面顆粒數(shù)據(jù)的統(tǒng)計影響測試結果的準確性

.,。

52光源穩(wěn)定性會影響儀器對各類缺陷的信號采集在圖像分析時易出現(xiàn)誤判

.,。

53儀器參數(shù)設置主要是對缺陷類別進行界定因此儀器參數(shù)的設置也會影響晶體表面缺陷分類的準

.,

確性

。

54晶片表面沾污會增加樣品缺陷數(shù)量同時也會影響儀器對樣品表面劃痕凹坑顆粒微管的識別

.,