實驗四靜態(tài)隨機存儲器實驗報告實驗名稱：靜態(tài)隨機存儲器實驗完成學(xué)生：陳倍林班級：110030804學(xué)號：11003080401實驗日期：2011年10月13日實驗?zāi)康模赫莆侦o態(tài)隨機存儲器RAM工作特性及數(shù)據(jù)的讀寫方法、存儲器的組成方法實驗設(shè)備：TDN—CM++計算機組成原理教學(xué)實驗系統(tǒng)一臺，排線若干實驗基本原理：⑴、在此實驗中，所用的半導(dǎo)體靜態(tài)存儲器又一片6116（2K×8）構(gòu)成，其數(shù)據(jù)線接至數(shù)據(jù)總線，地址線又地址鎖存器（74LS273）給出。地址燈AD7-AD0與地址線相連，顯示地址線內(nèi)容。數(shù)據(jù)開關(guān)經(jīng)三態(tài)門（74LS245）連至數(shù)據(jù)總線，分時給出地址和數(shù)據(jù)。⑵、6116有三個控制線：CE（片選線）、OE（讀線）、WE（寫線）。當(dāng)片選有效（CE=0）時，OE=0時進行讀操作，WE=0時進行寫操作，在本實驗中，將OE常接地，因此6116的引腳信號WE=1時進行度操作，WE=0時進行寫操作。⑶、要對存儲器進行讀（寫）操作，必須設(shè)置控制端CE=0,WE=0（WE=1），同時有T3脈沖到來。⑷、實驗時，將T3脈沖接至實驗板上時序電路模塊的TS3相應(yīng)插孔中，其脈沖寬度可調(diào)（在本實驗中影響不大），其它電平控制信號由“SWITCHUNIT”單元的二進制開關(guān)模擬，其中SW-B（三態(tài)門）為低電平有效，LDAR為高電平有效。實驗步驟：將時序電路模塊中的Φ和H23排針相連，然后將時序電路模塊中的二進制開關(guān)“STOP”設(shè)置為“RUN”狀態(tài)、將“STEP”設(shè)置為“STEP”狀態(tài)。按照線路圖連接好電路，仔細檢查無誤后接通電源。向存儲器指定的地址送入數(shù)據(jù)，如：向00單元中輸入11.步驟如下：向地址寄存器AR中輸入地址00的流程如下：打入地址寄存器AR打開輸入三態(tài)門從數(shù)據(jù)開關(guān)輸入00H關(guān)閉輸入三態(tài)門打入地址寄存器AR打開輸入三態(tài)門從數(shù)據(jù)開關(guān)輸入00H關(guān)閉輸入三態(tài)門SW-B=1SW-B=0LDAR=1CE=1（存儲器無效）按START發(fā)T3脈沖②、輸入要存放的數(shù)據(jù)11的流程如下：數(shù)據(jù)11存入存儲器00單元打開輸入三態(tài)門從數(shù)據(jù)開關(guān)輸入11關(guān)閉輸入三態(tài)門數(shù)據(jù)11存入存儲器00單元打開輸入三態(tài)門從數(shù)據(jù)開關(guān)輸入11關(guān)閉輸入三態(tài)門SW-B=1SW-B=0LDAR=0CE=0WE=1發(fā)T3脈沖③、按照以上步驟練習(xí)寫入操作。⑷、從存儲器指定的地址中讀出數(shù)據(jù)，如在00中讀出流程如下：從00存儲器單元讀出數(shù)據(jù)地址送地址寄存器打開輸入三態(tài)門從數(shù)據(jù)開關(guān)輸入00關(guān)閉輸入三態(tài)門從00存儲器單元讀出數(shù)據(jù)地址送地址寄存器打開輸入三態(tài)門從數(shù)據(jù)開關(guān)輸入00關(guān)閉輸入三態(tài)門SW-B=1SW-B=0 CE=1SW-B=1LDAR=1LDAR=0發(fā)T3脈沖CE=06、實驗結(jié)果分析、小結(jié)