微機原理與接口技術第四章存儲器系統(tǒng)4.1存儲器件的分類4.2半導體存儲芯片4.3存儲系統(tǒng)的層次結構存儲系統(tǒng)的分層管理地址映射技術現(xiàn)代計算機的多級存儲體系

4.4主存儲器設計技術1.存儲芯片選型2.存儲芯片的組織形式3.地址譯碼技術4.存儲器接口設計決定芯片片選信號的實現(xiàn)兩級譯碼；全譯碼、部分譯碼、線譯碼；固定、可變存儲介質(存儲原理)、讀寫策略(存取方式)容量擴展；基本結構（RAM、ROM）、性能指標并行、多端口（改善主存的訪問速度和吞吐量）2024/1/222/45存儲分類:雙極型：

MOS型掩膜ROM一次性可編程PROM紫外線可擦除EPROM電可擦除E2PROM快閃存儲器FLASH易失性存儲器非易失性存儲器靜態(tài)SRAM動態(tài)DRAM存取速度快，但集成度低，一般用于大型計算機或高速微機的Cache速度較快，集成度較低，一般用于對速度要求高、而容量不大的場合（Cache）集成度較高但存取速度較低，一般用于需較大容量的場合（主存）。半導體存儲器磁介質存儲器磁帶、軟磁盤、硬磁盤（DA、RAID）光介質存儲器只讀型、一次寫入型、多次寫入型2024/1/223/45不同的讀寫策略數(shù)據(jù)訪問方式并行存儲器(ParallelMemory)串行存儲器

(SerialMemory)數(shù)據(jù)存取順序隨機存?。ㄖ苯哟嫒。┛砂吹刂冯S機訪問；訪問時間與地址無關；順序存取

(先進先出)FIFO、隊列(queue)堆棧存儲先進后出(FILO)/后進先出(LIFO)；堆棧指針SP；2024/1/224/45靜態(tài)RAM的六管基本存儲單元集成度低，但速度快，價格高，常用做Cache。T1和T2組成一個雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器，用于保存數(shù)據(jù)。T3和T4為負載管。如A點為數(shù)據(jù)D，則B點為數(shù)據(jù)/D。T1T2ABT3T4+5VT5T6行選擇線有效（高電平）時，A、B處的數(shù)據(jù)信息通過門控管T5和T6送至C、D點。行選擇線CD列選擇線T7T8I/OI/O列選擇線有效（高電平）時，C、D處的數(shù)據(jù)信息通過門控管T7和T8送至芯片的數(shù)據(jù)引腳I/O。2024/1/225/45動態(tài)RAM的單管基本存儲單元集成度高，但速度較慢，價格低，一般用作主存。行選擇線T1B存儲電容CA列選擇線T2I/O電容上存有電荷時，表示存儲數(shù)據(jù)A為邏輯1；行選擇線有效時，數(shù)據(jù)通過T1送至B處；列選擇線有效時，數(shù)據(jù)通過T2送至芯片的數(shù)據(jù)引腳I/O；為防止存儲電容C放電導致數(shù)據(jù)丟失，必須定時進行刷新；動態(tài)刷新時行選擇線有效，而列選擇線無效。（刷新是逐行進行的。）刷新放大器2024/1/226/45讀寫控制邏輯R/WCE數(shù)據(jù)緩沖器（三態(tài)雙向）d0d1dN-1…D0D1DN-1…RAM芯片的組成與結構（一）該RAM芯片外部共有地址線L根，數(shù)據(jù)線N根；該類芯片內部采用單譯碼（字譯碼）方式，基本存儲單元排列成M*N的長方矩陣；字線0字線M-10,00,N-1M-1,0M-1,N-1……………地址譯碼器a0a1aM-1……A0A1AL-1地址寄存器……D0DN-1位線0位線N-1存儲芯片容量標為“M*N”（bit）D0DN-1地址線數(shù)據(jù)線控制線2024/1/227/45RAM芯片的組成與結構（二）該RAM芯片外部共有地址線2n根，數(shù)據(jù)線1根；該類芯片內部一般采用雙譯碼（復合譯碼、重合選擇）方式，基本存儲單元排列成N*N的正方矩陣；0,00,N-1N-1,0N-1,N-1………D0D0DN-1DN-1…Y0YN-1Y地址譯碼器Y地址寄存器……AnAn+1A2n-1X地址譯碼器X0X1XN-1……A0A1An-1X地址寄存器…DD數(shù)據(jù)緩沖器（三態(tài)雙向）D0讀寫控制存儲芯片容量標為“M*1”（bit）數(shù)據(jù)線控制線地址線2024/1/228/45靜態(tài)RAM芯片的引腳特性從三總線的角度看：1.地址線數(shù)目A、數(shù)據(jù)線數(shù)目D與芯片容量（M×N）直接相關：2A=MD=N2.控制信號應包括：片選信號和讀/寫信號所以，6264容量：

213×8＝8K×8可見6264為RAM芯片79/422024/1/229/45產品出廠時存的全是1，用戶可一次性寫入，即把某些1改為0。但只能一次編程。

存儲單元多采用熔絲－低熔點金屬或多晶硅。寫入時設法在熔絲上通入較大的電流將熔絲燒斷。編程時VCC和字線電壓提高可編程只讀存儲器PROM2024/1/2210/45紫外線可擦除ROM(UVEPROM)擦除：用紫外線或X射線擦除。需20~30分鐘。缺點：需要兩個MOS管；編程電壓偏高；P溝道管的開關速度低。

浮柵上電荷可長期保存在125℃環(huán)境溫度下，70%的電荷能保存10年以上。2024/1/2211/45寫入（寫0）擦除（寫1）讀出

特點：擦除和寫入均利用隧道效應。浮柵與漏區(qū)間的氧化物層極薄（20納米以下），稱為隧道區(qū)。當隧道區(qū)電場大于107V/cm時隧道區(qū)雙向導通。電可擦除的ROM(EEPROM)2024/1/2212/45快閃存儲器(FlashMemory)

（1）寫入利用雪崩注入法。源極接地；漏極接6V；控制柵12V脈沖，寬10

s。

（2）擦除用隧道效應?？刂茤沤拥?；源極接12V脈沖，寬為100ms。因為片內所有疊柵管的源極都連在一起，所以一個脈沖就可擦除全部單元。

（3）讀出：源極接地，字線為5V邏輯高電平。2024/1/2213/45半導體存儲芯片的主要技術指標存儲容量存取速度功耗可靠性工作電源電壓、工作溫度范圍、可編程存儲器的編程次數(shù)、成本注意存儲器的容量以字節(jié)（B）為單位，而存儲芯片的容量以位（b）為單位。即存取時間，以ns為單位，也可用存取時間Ta、存取周期Tm和存儲器帶寬Bm等表示。可用平均故障間隔時間來衡量以mW/芯片或μW/單元為單位2024/1/2214/45存儲器分層結構設計目標整個存儲系統(tǒng)速度接近M1而價格和容量接近Mn二.操作策略映像規(guī)則：用于確定一個新的塊（頁）被調入本級存儲器時應放在什么位置上。查找規(guī)則：用于確定需要的塊（頁）是否存在本級存儲器中以及如何查找。替換規(guī)則：用于確定本級存儲器不命中且已滿時應替換哪一塊（頁）。寫規(guī)則：用于確定寫數(shù)據(jù)時應進行的操作。2024/1/2215/45存儲器地址映射

地址映射也叫地址重定位，指將用戶程序中的邏輯地址，轉換為運行時機器可直接尋址的物理地址。分頁技術頁是信息的物理單位，與源程序的邏輯結構無關；頁長由系統(tǒng)確定，大小固定，用戶不可見；頁面只能以頁大小的整倍數(shù)地址開始，頁一般不能共享；分段技術

段是信息的邏輯單位，由源程序的邏輯結構所決定；段長由用戶確定（用戶可見），大小不固定；

段可從任意地址開始，段內連續(xù)編址，段間不一定連續(xù)；2024/1/2216/45現(xiàn)代計算機的四級存儲結構：寄存器＋Cache＋主存＋輔存CPU內部高速電子線路(如觸發(fā)器)一級：在CPU內部二級：在CPU外部一般為靜態(tài)隨機存儲器SRAM。一般為半導體存儲器，也稱為短期存儲器；解決讀寫速度問題；包括磁盤（中期存儲器）、磁帶、光盤（長期存儲）等；解決存儲容量問題；其中：cache-主存結構解決高速度與低成本的矛盾；主存-輔存結構利用虛擬存儲器解決大容量與低成本的矛盾；2024/1/2217/45寄存器組特點：讀寫速度快但數(shù)量較少；其數(shù)量、長度以及使用方法會影響指令集的設計。組成：一組彼此獨立的Reg，或小規(guī)模半導體存儲器。RISC：設置較多Reg，并依靠編譯器來使其使用最大化。Cache高速小容量(幾十千到幾兆字節(jié))；借助硬件管理對程序員透明；命中率與失效率；主（內）存編址方式：字節(jié)編址輔（外）存信息以文件(file)的形式存放，按塊為單位進行存取。虛擬存儲技術2024/1/2218/45存儲芯片的選擇確定類型根據(jù)不同應用場合的特點確定采用何種類型的芯片，如考慮選用SRAM還是DRAM，是否需要E2PROM、FLASH等等；確定具體型號及數(shù)量根據(jù)容量、價格、速度、功耗等要求確定芯片的具體型號和數(shù)量思考：若要求擴展64K容量的內存，以下幾種選擇哪種最優(yōu)？

64K*1的芯片數(shù)量N＝(64K*8)/(64K*1)＝1*8片;8K*8的芯片數(shù)量N＝(64K*8)/(8K*8)＝8*1片；

16K*4的芯片數(shù)量N＝(64K*8)/(16K*4)＝4*2片；

顯然，芯片的種類和數(shù)量應越少越好；在芯片數(shù)量相同的情況下應考慮總線的負載能力和系統(tǒng)連接的復雜性。從總線負載和系統(tǒng)連接來看，第一種選擇較好。19/422024/1/2219/45內（主）存儲器的基本結構存儲芯片存儲模塊存儲體

進行位擴展

以實現(xiàn)按字節(jié)編址的結構進行字擴展

以滿足總容量的要求存儲體、地址譯碼、數(shù)據(jù)緩沖和讀寫控制

位擴展：因每個字的位數(shù)不夠而擴展數(shù)據(jù)輸出線的數(shù)目；

字擴展：因總的字數(shù)不夠而擴展地址輸入線的數(shù)目，所以也稱為地址擴展；并行存儲器、多端口存儲器、相聯(lián)存儲器等2024/1/2220/45存儲芯片的位擴展⑧64K*1I/O⑦64K*1I/O⑥64K*1I/O⑤64K*1I/O④64K*1I/O③64K*1I/O②64K*1I/O①64K*1I/OA0~A15R/WCSD0D7…等效為64K*8A0~A15D0~D7R/WCS用64K×1bit的芯片擴展實現(xiàn)64KB存儲器

進行位擴展時，模塊中所有芯片的地址線和控制線互連形成整個模塊的地址線和控制線，而各芯片的數(shù)據(jù)線并列（位線擴展）形成整個模塊的數(shù)據(jù)線（8bit寬度）。

21/422024/1/2221/45存儲芯片的字擴展用8K×8bit的芯片擴展實現(xiàn)64KB存儲器64K*8A0~A15D0~D7R/WCS等效為A0~A12R/WD0~D7⑧64K*1D0~7⑦64K*1D0~7⑥64K*1D0~7⑤64K*1D0~7④64K*1D0~7③64K*1D0~7②64K*1D0~7CS1①8K*8D0~7CS3-8譯碼器Y0Y1Y7………A13

A14

A15

進行字擴展時，模塊中所有芯片的地址線、控制線和數(shù)據(jù)線互連形成整個模塊的低位地址線、控制線和數(shù)據(jù)線

，CPU的高位地址線（擴展的字線）被用來譯碼以形成對各個芯片的選擇線——片選線

。

2024/1/2222/45存儲芯片的字、位同時擴展用16K×4bit的芯片擴展實現(xiàn)64KB存儲器16K*416K*4A0~A13R/WD0~D3D4~D72－4譯碼器A15A14CS64K*8A0~A15D0~D7R/WCS等效為16K*416K*416K*416K*416K*416K*4首先對芯片分組進行位擴展，以實現(xiàn)按字節(jié)編址；其次設計各芯片組的片選進行字擴展，以滿足容量要求；2024/1/2223/45兩級物理地址譯碼方案讀/寫控制信號、數(shù)據(jù)寬度指示信號、傳送方式指示信號等2024/1/2224/45假設某系統(tǒng)地址總線寬度為20bit，現(xiàn)需要將0C0000H~0CFFFFH地址范圍劃分為8個同樣大小的地址空間，提供給總線上的8個存儲模塊，試設計相應的譯碼電路。模塊A19~A16A15A14A13A12~A0地址空間(范圍)①11000001111111111111~00000000000000C1FFFH~0C0000H②11000011111111111111~00000000000000C3FFFH~0C2000H③11000101111111111111~00000000000000C5FFFH~0C4000H④11000111111111111111~00000000000000C7FFFH~0C6000H⑤11001001111111111111~00000000000000C9FFFH~0C8000H⑥11001011111111111111~00000000000000CBFFFH~0CA000H⑦11001101111111111111~00000000000000CDFFFH~0CC000H⑧11001111111111111111~00000000000000CFFFFH~0CE000H全譯碼電路的實現(xiàn)部分譯碼方式最高段地址不參與譯碼，將會因此存在地址重疊，且模塊地址不連續(xù)。27/422024/1/2227/45線譯碼方式需較多選擇線，且同樣存在地址重疊，且模塊地址不連續(xù)。A19~A13A12~A0地址空間(范圍)①XXXXXX01111111111111~0000000000000？②XXXXX1X1111111111111~0000000000000？③XXXX0XX1111111111111~0000000000000？……⑦1XXXXXX1111111111111~0000000000000？思考：試寫出各芯片占用的地址空間。2024/1/2228/4574LS1383-8譯碼器218HAY0BY1CY2G1Y3