_管理_學院__信息管理與信息系統(tǒng)_專業(yè)_2_班______組、學號3109005713___姓名_吳興平____協(xié)作者_林敬然__________教師評定_____________半導體存儲器原理實驗實驗目的與要求：實驗目的：(1)掌握靜態(tài)存儲器的工作特性及使用方法。(2)掌握半導體隨機存儲器如何存儲和讀取數(shù)據(jù)。實驗要求：按練習一和練習二的要求完成相應的操作，并填寫表2.1各控制端的狀態(tài)及記錄表2.2的寫入和讀出操作過程。

2.

實驗方案：(1)使用了一片6116靜態(tài)RAM（2048×8位），但地址端A8-A10腳接地，因此實際上存儲容量為256字節(jié)。存儲器的數(shù)據(jù)線D7-D0接至數(shù)據(jù)總線。(2)使用一片8位的74LS273作為地址寄存器（AR），地址寄存器的輸出端接存儲器6116的地址線A7-A0,所以存儲單元的地址由地址存儲器AR提供。(3)數(shù)據(jù)開關（INPUTDEVICE）用來設置地址和數(shù)據(jù)，它經(jīng)過一個三態(tài)門74LS245與數(shù)據(jù)總線相連，分別給出地址和數(shù)據(jù)。(4)地址顯示燈AD7-AD0與6116地址線相連，用來顯示存儲單元的地址，數(shù)據(jù)總線上的顯示燈B7-B0用來顯示寫入存儲單元的數(shù)據(jù)或從存儲單元讀出的數(shù)據(jù)。(5)存儲器有三個控制信號：CE片選信號、OE讀命令信號、WE寫信號。當片選信號CE＝0時，RAM被選中，可以進行讀/寫操作;當CE＝1時，RAM未被選中，不能進行讀/寫操作。讀命令信號OE在本實驗中已固定接地，在此情況下，當CE＝0，WE=1時，存儲器進行寫操作，當CE=0，WE=0時，存儲器進行讀操作。(6)LDAR是地址存儲器AR存數(shù)控制信號。(7)按圖連接好實驗電路，檢查無誤后通電。(8)將表2.2的地址和內(nèi)容轉化為二進制。(9)參考以上操作，向存儲器單元里先寫第一個單元的地址、然后向第一個地址，再寫第二個地址，然后向第二個地址單元寫內(nèi)容，就這樣不斷循環(huán)操作，直到做完。

3.實驗結果和數(shù)據(jù)處理：(1)填寫表2.1各控制端的狀態(tài)。如下圖所示：

表2.1控制信號寫地址寫內(nèi)容讀內(nèi)容SW-B001LDAR100CE100WE0/110

(2)記錄表2.2的寫入和讀出操作過程。向存儲器的00H，01H，02H，03H，04H，05H，06H地址單元分別寫入數(shù)據(jù)AAH，55H，33H，44H，66H，08H，F(xiàn)0H（十六進制），如表所示：地址（十六進制）內(nèi)容（十六進制）00AA0155023303440466050806F01）設置輸入控制端的開關狀態(tài)：將實驗儀左下方“INPUTDEVICE”中的8位數(shù)據(jù)開關D7—D0設置為00000000。2）寫地址操作。SW-B=0,LDAR=1,CE=1,WE=0/1,設置好各類數(shù)據(jù)后，按一下微動開關START即可。最后，關閉AR地址寄存器的存數(shù)控制信號：LDAR=0。完成寫地址操作。3）寫內(nèi)容操作。SW-B=0,LDAR=0,CE=0,WE=1,輸入好各項數(shù)據(jù)后，按一下微動開關START即可。最后，關閉片選信號和寫命令信號：CE=1,WE=0。存儲器寫命令操作完畢。4）讀內(nèi)容操作。首先完成寫地址操作（參照（2）），再做讀內(nèi)容操作。讀內(nèi)容操作：SW-B=1,LDAR=0,CE=0,WE=0。不需要脈沖，即不要按微動開關START。此時地址的內(nèi)容通過”BUSUNIT”中數(shù)據(jù)顯示燈B7-B0顯示出來。5）注意先寫第一個地址，然后讀出第一個地址單元的內(nèi)容。再寫第二個地址，然后讀出第二個地址單元的內(nèi)容，就這樣不斷循環(huán)操作即可讀出各地址單元的內(nèi)容。6）依次讀出表中各地址單元的內(nèi)容，觀察各單元中的內(nèi)容與寫入內(nèi)容是否一致。7）結果一致，讀寫操作順利完成。

4.

結論：存儲器的工作特性及使用方法是先做寫地址操作，將數(shù)據(jù)寫入地址寄存器AR里，再對存儲器的地址單元進行寫內(nèi)容操作寫入相關數(shù)據(jù)，最后再讀出地址單元的內(nèi)容。半導體隨機存儲器是用來存取和讀取數(shù)據(jù)的，6116型RAM存儲器是可寫和可讀的，每次把數(shù)據(jù)存入地址，可做相應的操作把數(shù)據(jù)讀出。但是斷電時會把數(shù)據(jù)清空的，即不具有斷電保護性。5.

問題與討論及實驗總結：問題討論：（1）向存儲器存數(shù)時，先存一個地址，接著是存在該地址存儲的內(nèi)容。然后才是第二個地址，第二個地址的內(nèi)容。在讀出存儲器的內(nèi)容時，要先輸入要讀取內(nèi)容的地址，才可以讀取該地址的內(nèi)容。只有先完成寫地址操作才知道數(shù)據(jù)存在哪里，即不能先連續(xù)輸入所有的地址，再連續(xù)輸入所有的內(nèi)容或連續(xù)讀出所有的內(nèi)容。因為一個地址要對應一個內(nèi)容，如果先連續(xù)輸入所有地址再輸入數(shù)據(jù)內(nèi)容，會造成數(shù)據(jù)混亂，造成實驗失敗。若連續(xù)輸入地址數(shù)據(jù)要輸入正確則要每次輸入完數(shù)據(jù)后讀出下一個正確的地址再輸入數(shù)據(jù)。（2）SW-B、CE為低電平有效（SW-B=0，CE=0時有效），LDAR、WE為高電平有效（LDAR=1，WE=1時有效）。（3）做寫地址和寫內(nèi)容時都要脈沖信號。（4）寫地址操作完成后，要關閉LDAR。因為LDAR是AR地址寄存器的存數(shù)控制信號，若不關閉LDAR，輸入的數(shù)據(jù)會把原來AR地址寄存器的數(shù)據(jù)沖刷掉，導致數(shù)據(jù)錯誤。實驗總結：上次做實驗時是臨時看書的，做實驗過程中出現(xiàn)很