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非理想效應(yīng)和遷移率變化:GaAs、InP的情形

非理想效應(yīng)

遷移率變化:GaAs、InP的情形(104V/cm)與Si相比,GaAs、InP的特點:存在漂移速度峰值遷移率大存在負微分遷移率區(qū)飽和漂移速度小非理想效應(yīng)

遷移率變化:速度飽和效應(yīng)漏源電流下降

提前飽和飽和漏源電流與柵壓成線性關(guān)系飽和區(qū)跨導(dǎo)與偏壓及溝道長度無關(guān)截止頻率與柵壓無關(guān)非理想效應(yīng)

彈道輸運非彈道輸運MOSFET溝道長度L>0.1μm,大于散射平均自由程;載流子從源到漏運動需經(jīng)過多次散射;載流子運動速度用平均漂移速度表征;彈道輸運MOSFET溝道長度L<0.1μm,小于散射平均自由程;載流子從源到漏運動大部分沒有一次碰撞-彈道輸運;高速器件、納米器件;提高集成度:同樣功能所需芯片面積更小提升功能:同樣面積可實現(xiàn)更多功能降低成本:單管成本降低改善性能:速度加快,單位功耗降低若尺寸縮小30%,則柵延遲減少30%,工作頻率增加43%單位面積的晶體管數(shù)目加倍每次切換所需能量減少65%,節(jié)省功耗50%完全按比例縮小(FullScaling)尺寸與電壓按同樣比例縮小電場強度保持不變最為理想,但難以實現(xiàn)恒壓按比例縮小(FixedVoltageScaling)尺寸按比例縮小,電壓保持不變電場強度隨尺寸的縮小而增加,強場效應(yīng)加重一般化按比例縮小(GeneralScaling)尺寸和電場按不同的比例因子縮小迄今為止的實際做法漏、源區(qū)擴散結(jié)深rj表面空間電荷區(qū)厚度xdTn溝道MOSFET短溝道長溝道n溝道MOSFET窄溝道寬溝道源-體

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