ICS71.040.50

CCSN33

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T××××—××××

微束分析透射電子顯微術(shù)集成電路芯片

中功能薄膜層厚度的測定方法

Microbeamanalysis—TransmissionElectronMicroscopy—

MethodforMeasuringtheThicknessofFunctionalThinFilmsin

IntegratedCircuitChips

（征求意見稿）

××××-××-××發(fā)布××××-××-××實施

國家市場監(jiān)督管理總局

發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/TXXXX—XXXX

前?言

本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起

草。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

本文件由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC/TC38）提出并歸口。

本文件起草單位：南方科技大學(xué)、廣東省科學(xué)院工業(yè)分析檢測中心、勝科納米(蘇州)有限公司。

本文件主要起草人：伍超群、于洪宇、喬明勝、陳文龍、邱楊、汪青、程鑫、周鵬

I

GB/TXXXX—XXXX

引?言

功能薄膜材料及性能是先進集成電路（IntegratedCircuit，IC）制程中非常重要的基礎(chǔ)性工藝技術(shù)

保障。在Si基芯片、GaN或SiC為基的寬禁帶半導(dǎo)體功率及射頻器件芯片、Micro-Led等微納半導(dǎo)體

元器件中，各類功能薄膜材料更具有顯微結(jié)構(gòu)復(fù)雜、化學(xué)組成多元的特點。先進集成電路技術(shù)已經(jīng)進入

3-5納米技術(shù)時代。伴隨著智能社會的臨近以及5G技術(shù)的普及，未來移動通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能健康醫(yī)

療、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和智能駕駛等新興集成電路產(chǎn)業(yè)遠(yuǎn)景正推動著先進集成電路芯片的智能化、功能化、微

型化的技術(shù)進程，成為半導(dǎo)體工業(yè)目前和未來技術(shù)發(fā)展的重要趨勢和特征。萬物互聯(lián)和器件多功能性造

就未來集成電路器件的更多新材料新結(jié)構(gòu)的獨特屬性。因此，集成電路芯片的納米結(jié)構(gòu)、高純材料、微

量控制、界面工程等精準(zhǔn)規(guī)范化分析測試技術(shù)成為未來半導(dǎo)體工業(yè)健康發(fā)展的重要技術(shù)關(guān)鍵，這對于新

器件研發(fā)/量產(chǎn)以及新型器件失效分析都非常重要且意義重大。透射電子顯微術(shù)（TEM）獨特的埃米級

高空間分辨率的優(yōu)點，已經(jīng)使其成為唯一的實現(xiàn)在納米尺度進行微觀結(jié)構(gòu)和微觀化學(xué)組成分析檢測的技

術(shù)。在目前我國大力發(fā)展各類半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前提下，科研院所、高等院校、大型企業(yè)和各地分析測

試中心等實驗室都已裝備了大量透射電鏡/掃描透射電鏡（TEM/STEM），透射電子顯微技術(shù)業(yè)已廣泛

應(yīng)用于半導(dǎo)體器件研發(fā)/生產(chǎn)中微納米尺度材料的分析研究中。

1996年發(fā)布的JY/T011-1996，目前修訂為JY/T0581-2020的“透射電子顯微鏡分析方法通則”規(guī)

定了透射電子顯微鏡的常規(guī)分析方法。然而該通則要求寬泛，缺少明確的試驗步驟，已不適應(yīng)未來集成

電路技術(shù)發(fā)展對相關(guān)新材料、新結(jié)構(gòu)、新化學(xué)等精準(zhǔn)分析測試的技術(shù)要求。因此，為了滿足未來半導(dǎo)體

芯片工業(yè)發(fā)展對材料顯微結(jié)構(gòu)分析的需求，規(guī)范應(yīng)用透射電子顯微術(shù)對器件中各功能薄膜層厚度的測量

方法，制定新的國家標(biāo)準(zhǔn)具有重要意義。

II

GB/TXXXX—XXXX

微束分析透射電子顯微術(shù)

集成電路芯片中功能薄膜層厚度的測定方法

1范圍

本文件規(guī)定了用透射電子顯微鏡/掃描透射電子顯微鏡（TEM/STEM）檢測采用集成電路工藝制備

的半導(dǎo)體芯片中功能薄膜層厚度的測定方法。

本文件適用于所有半導(dǎo)體芯片。代表性微納器件為各類Si基芯片、化合物半導(dǎo)體基器件、寬禁帶半

導(dǎo)體（GaN、SiC等）基的功率和射頻芯片、Micro-Led等。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于

本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

GB/T8170數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T18907微束分析透射電子顯微術(shù)透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法

GB/T19619納米材料術(shù)語

GB/T34002微束分析透射電子顯微術(shù)用周期結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)校準(zhǔn)圖像放大倍率的方法

GB/T40300微束分析分析電子顯微學(xué)術(shù)語

JY/T0581透射電子顯微鏡分析方法通則

3術(shù)語和定義

GB/T19619、GB/T40300所界定的術(shù)語及下列術(shù)語適用于本文件。

ISO和IEC在下列網(wǎng)址保有的用于標(biāo)準(zhǔn)化的術(shù)語數(shù)據(jù)庫：

?ISO在線瀏覽平臺/obp/

?IECElectropedia:/

3.1

像散astigmatism

由于電磁透鏡磁場的非旋轉(zhuǎn)對稱性，使透鏡在相互垂直方向上的聚焦能力有差異，造成圖像模糊。

3.2

薄晶體試樣thincrystalspecimen

能夠放置在透射電子顯微鏡試樣臺上、并對入射電子束透明的晶體試樣。

1

GB/TXXXX—XXXX

3.3

優(yōu)中心位置eucentricposition

試樣在TEM中的一個特定高度位置，位于該位置的試樣在傾轉(zhuǎn)時，其圖像的橫向移動最小。

3.4

電子衍射electrondiffraction

電子束在晶體中散射，只在滿足布拉格定律方向上有相互加強的衍射束出射效應(yīng)。

3.5

相機長度cameralength

L

試樣與形成衍射圖的平面之間的有效距離。

3.6

晶帶軸zoneaxis

由[u,v,w]表示的晶體學(xué)方向。它由多個晶體學(xué)平面（h1,k1,l1,……h(huán)i,ki,li）的相交線定義，所有這些

平面均滿足晶帶定律hu+kv+lw=0。

3.7

感興趣區(qū)regionofinterest

ROI

為特定目的從整個數(shù)據(jù)集中選出的子集。

3.8

高角環(huán)形暗場掃描透射電子顯微術(shù)highangleannualdarkfield-scanningtransmissionelectron

microscopy

HAADF-STEM

掃描透射電子顯微鏡利用環(huán)形暗場探測器收集高角度的非相干散射電子形成圖像的技術(shù)。

3.9

聚焦離子束focusedionbeam

FIB

用聚焦場發(fā)射鎵原子進行定點減薄制備TEM樣品，加速電壓范圍為1keV到40keV。

4符號和縮略語

下列符號和縮略語適用于本文件：

TEM透射電子顯微術(shù)（鏡）（transmissionelectronmicroscopy）

2

GB/TXXXX—XXXX

STEM掃描透射電子顯微術(shù)（鏡）（scanningtransmissionelectronmicroscopy）

HAADF高角度環(huán)形暗場（highangleannualdarkfield）

L相機常數(shù)（cameralength）

SAED選區(qū)電子衍射（selectedareaelectrondiffraction）

ROI感興趣區(qū)（regionofinterest）

FIB聚焦離子束（focusedionbeam）

5方法原理

采用集成電路工藝制備的各類集成電路芯片由若干顯微結(jié)構(gòu)復(fù)雜、化學(xué)組成多元的納米功能薄膜構(gòu)

成，如圖1所示。雖然通?？梢允褂梅直媛首銐蚋叩耐干潆娮语@微術(shù)（TEM）測定薄膜厚度，但對日

益增多的化學(xué)組成多元的高性能芯片，需要綜合使用TEM和掃描透射電子顯微術(shù)（STEM）相結(jié)合的

技術(shù)進行表征，因為在適當(dāng)?shù)某上駰l件下，高角度環(huán)形暗場STEM圖像襯度對樣品中不同薄膜的化學(xué)

組成更為敏感。使用透射電子顯微術(shù)測量納米級薄膜厚度時，關(guān)鍵的操作步驟是調(diào)節(jié)薄晶體樣品中半導(dǎo)

體基體的晶體取向，確保其上表面水平，使三維樣品真實地投影在二維圖像上，得到精確測量結(jié)果。

圖1(a)高介電常數(shù)GaN-on-Si金屬氧化物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（MOS-HEMT）結(jié)構(gòu)示意圖,（b）

柵極-漏極區(qū)域GaN-AlN-AlInN多層結(jié)構(gòu)的STEM像，（c）高介電常數(shù)金屬柵極多層結(jié)構(gòu)的TEM像

6儀器設(shè)備

6.1透射電子顯微鏡（TEM）或掃描透射電子顯微鏡（TEM/STEM），配備雙傾試樣臺或傾動—轉(zhuǎn)動試

樣臺。

6.2制樣設(shè)備，聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）或離子減薄

6.3透射電子顯微鏡應(yīng)定期按照GB/T34002進行校準(zhǔn)或核查。

7試樣

7.1試樣表面應(yīng)清潔、干燥、無明顯污染，沒有褶皺與變形，分析區(qū)無翹曲。

7.2一般采用聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）從半導(dǎo)體樣品上定點切割制備出適合透射電鏡觀察的薄晶體試樣。

3

GB/TXXXX—XXXX

7.3將薄晶體試樣用鉑焊接在直徑為3mm的聚焦離子束半分載網(wǎng)上。

8試驗步驟

8.1試驗準(zhǔn)備

8.1.1在防污染冷阱中加入充足液氮。

8.1.2把TEM試樣穩(wěn)固地安放在雙傾樣品桿上，按照J(rèn)Y/T0581要求將試樣桿插入電鏡中。

8.1.3加上加速電壓，一般在200kV、TEM模式下進行電子光學(xué)系統(tǒng)的合軸和旋轉(zhuǎn)中心調(diào)整、消除聚

光鏡像散等。

8.1.4調(diào)節(jié)樣品高度，在TEM模式下，在適當(dāng)?shù)姆糯蟊堵氏拢ㄒ话愦笥?0000倍）找到試樣。調(diào)節(jié)電

子束強度獲得合適的亮度，將試樣高度調(diào)整到優(yōu)中心位置，然后調(diào)節(jié)試樣高度，使影像聚焦。

8.1.5晶帶軸轉(zhuǎn)正

將入射電子束匯聚到半導(dǎo)體基體上，選擇合適的選區(qū)衍射光闌，并插入，在衍射模式下按照GB/T

18907進行，獲得單晶電子衍射花樣。

選擇適當(dāng)相機長度，使得單晶電子衍射斑點合理分布。

把透射束形成的斑點移到顯示屏的中心位置。

進行雙傾操作，使單晶半導(dǎo)體基體的晶帶軸平行于光軸。在選區(qū)電子衍射圖上，透射斑點在熒

屏中心，周圍衍射斑點強度以透射斑點為中心對稱，如圖2所示。

移出選區(qū)衍射光闌，返回到TEM模式。

圖2TEM明場像和GaN基體正帶軸選區(qū)電子衍射圖示意圖

8.2試驗過程

8.2.1TEM模式

把試樣中的非晶保護層移至熒屏觀察區(qū)域，放大倍數(shù)一般大于40萬倍，消除物鏡像散。

插入尺寸合適的物鏡光闌，再次確認(rèn)試樣高度是否調(diào)整到優(yōu)中心位置以及物鏡像散是否消除。

選擇合適的放大倍數(shù)，設(shè)置最小聚焦步長，旋轉(zhuǎn)聚焦按鈕對試樣ROI聚焦，得到襯度圖像。

4

GB/TXXXX—XXXX

拍攝并保存圖像。

移出物鏡光闌。

8.2.2STEM模式

切換電鏡的工作狀態(tài)到STEM模式，設(shè)置相機常數(shù)小于125mm。

插入高角環(huán)形暗場探測器，確認(rèn)試樣處于優(yōu)中心位置，聚焦，調(diào)節(jié)探測器亮度和對比度，獲得

ROI的實時掃描圖像。

消除聚光鏡像散，聚焦ROI，獲得清晰高角環(huán)形暗場掃描透射電子顯微像。

采集ROI圖像。

8.3數(shù)據(jù)測量

選擇合適的放大倍數(shù)，在TEM或STEM模式下選擇有代表性的區(qū)域，拍攝5張以上圖片，在每張

圖片上至少測量1個以上厚度值，記為hij，被測薄膜厚度平均值按公式（1）計算：

1

（）

Hhij................................................................1

n

式中：

H——薄膜平均厚度，單位：nm；

h——第n次測量的薄膜厚度，單位：nm；

i——拍攝的第i張圖片；

j——圖片測量的第j個點；

n——測量次數(shù)。

測量數(shù)據(jù)保留小數(shù)點兩位小數(shù)，出具結(jié)果時按GB/T8170的規(guī)定修約到小數(shù)點一位。

9測量結(jié)果的不確定度

9.1測量不確定度的來源

用TEM/STEM測量半導(dǎo)體芯片中功能薄膜層厚度時，不確定度主要由以下幾個因素組成。

9.1.1FIB制樣

采用FIB方法切割定點制備集成電路芯片的TEM樣品的過程中，很難確保聚焦Ga離子束始終垂

直于薄膜表面。當(dāng)偏離時，Ga離子束與薄膜表面成一定角度向下切割，這將導(dǎo)致實際觀察測量的薄膜

厚度稍微大于薄膜真實厚度。

9.1.2標(biāo)準(zhǔn)樣品

本文件建議使用有證標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)作為標(biāo)準(zhǔn)樣品。目前TEM標(biāo)準(zhǔn)樣品較少，加之價格高昂且有效期有

限，可采用儀器廠家采用的標(biāo)準(zhǔn)樣品定期維護儀器的校準(zhǔn)。

9.1.3照相設(shè)備

TEM圖像通常采用CCD相機拍照，然后利用圖像處理軟件進行厚度測量。由于照相設(shè)備本身存在

不確定度，將會傳遞給厚度測量，使得厚度測量產(chǎn)生不確定度。

5

GB/TXXXX—XXXX

9.1.4不穩(wěn)定性

透射電鏡放大倍數(shù)受加速電壓、環(huán)境條件（真空度、溫度、濕度）和機械穩(wěn)定性等因素影響，由于

不穩(wěn)定性產(chǎn)生的放大倍率的變化使得厚度測量結(jié)果產(chǎn)生不確定度。

9.1.5像差

在透射電子成像過程中，非旁軸電子也會參與成像，從而造成像差的存在。像差包括球差、像散、

畸變、色差，它們會導(dǎo)致TEM圖像質(zhì)量缺陷及圖像畸變，從而影響厚度測量準(zhǔn)確性。

9.2不確定度分量的估算

厚度測量的每一項不確定度，都是測量結(jié)果不確定度的分量。評定測量不確定度就是先估算每個不

確定度分量的量值，然后估算合成不確定度。

9.2.1FIB制樣不確定度

芯片中厚度為h的功能薄膜如圖3所示。假設(shè)FIB制樣時Ga離子束方向偏離了與薄膜層上表面垂

直的方向，與薄膜表面夾角為，膜厚真實值為h，厚度測量不確定F表示見公式（2）：

?

圖3FIB制備芯片TEM樣品中Ga離子束偏離垂直于薄膜表面的示意圖

h

h

1sin

Fsin

hsin................................................................（2）

式中：

——不確定度；

——離子束與薄膜表面的夾角；

?——薄膜厚度。

?

9.2.2?標(biāo)樣或儀器校準(zhǔn)不確定度

標(biāo)準(zhǔn)樣品或儀器校準(zhǔn)的不確定度為e。

9.2.3照相設(shè)備不確定度

本文件要求照相設(shè)備不確定度可以忽略不計。

9.2.4不穩(wěn)定性不確定度

本文件規(guī)定，在不改變透射電鏡狀態(tài)條件下，連續(xù)獲取標(biāo)準(zhǔn)厚度和被測厚度圖像時間很短，加上現(xiàn)

代透射電鏡設(shè)備，通常會安裝電源穩(wěn)壓器和環(huán)境條件監(jiān)控器，因此不穩(wěn)定性不確定度可以忽略不計。

9.2.5像差

6

GB/TXXXX—XXXX

幾種像差中，像散可通過消像散器進行矯正，色差受電壓和電流穩(wěn)定性影響，由于穩(wěn)定性不確定度

忽略不計，故色差引起的不確定度可不計?；兪怯汕虿钜鸬模虼饲虿顚D像質(zhì)量和分辨率影響最

大，且無簡便方法消除，引起圖像畸變，從而導(dǎo)致厚度測量誤差。球差的數(shù)學(xué)表達(dá)式見公式（3）：

.......................................................（3）

式中：3

??=Csα

——球差；

球差系數(shù)；

s——

δ透射孔徑角一半。

?——

?3

?

10實驗報告

完成試驗測定和分析后，應(yīng)將試驗結(jié)果和有關(guān)數(shù)據(jù)整理分析、給出結(jié)果報告。報告內(nèi)容應(yīng)包括以下

信息：

a）試樣名稱及編號；

b）試樣特征的描述；

c）所用儀器的名稱和型號；

d）測試條件及參數(shù)，如加速電壓、放大倍數(shù)和工作模式等；

e）本文件編號；

f）測量不確定度（必要時）。

7

GB/TXXXX—XXXX

參?考?文?獻(xiàn)

[1]HWThen,LAChow,SDasgupta,SGardner,MRadosavljevic,VRRao,SHSun

g,GYYang,PFischer.High-KGateDielectricDepletion-ModeandEnhancement-Mode

GaNMOS-HEMTsforImprovedOFF-stateLeakageandDIBLforPowerElectronicsand

RFApplications.IEEEInternationalElectronDevicesMeeting(IEDM).2015.HiltonWas

hingtonDC.USA

[2]HYYU,TLDuan.GaliumNitridePowerDevices.PanStanfordPublishingPte.Ltd.

2017

[3]RSokolovskij,JZhang,HZZheng,WMLi,YJiang,GYYang,HYYu,PMSarro,G

QZhang.TheImpactofGateRecessontheH2DetectionPropertiesofPt-AlGaN/GaNHMET

Sensors.IEEESENSORSJOURNAL.Vol.20(16).pp.8947–8955.2020

[4]DBWilliams,CBCarter.TransmissionElectronMicroscopy:ATextbookforMaterials

Science.SpringerScience+BusinessMedia.NewYork.2009

8

GB/TXXXX—XXXX

目??次

前?言...................................................................................................................................................................I

引?言..................................................................................................................................................................II

1范圍...................................................................................................................................................................1

2規(guī)范性引用文件...............................................................................................................................................1

3術(shù)語和定義.......................................................................................................................................................1

4符號和縮略語...................................................................................................................................................2

5方法原理...........................................................................................................................................................3

6儀器設(shè)備...........................................................................................................................................................3

7試樣..................................................................................................................................................................3

8試驗步驟...........................................................................................................................................................4

9測量結(jié)果的不確定度......................................................................................................................................5

10實驗報告.........................................................................................................................................................7

參考文獻(xiàn).................................................................................................................................................................8

GB/TXXXX—XXXX

微束分析透射電子顯微術(shù)

集成電路芯片中功能薄膜層厚度的測定方法

1范圍

本文件規(guī)定了用透射電子顯微鏡/掃描透射電子顯微鏡（TEM/STEM）檢測采用集成電路工藝制備

的半導(dǎo)體芯片中功能薄膜層厚度的測定方法。

本文件適用于所有半導(dǎo)體芯片。代表性微納器件為各類Si基芯片、化合物半導(dǎo)體基器件、寬禁帶半

導(dǎo)體（GaN、SiC等）基的功率和射頻芯片、Micro-Led等。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于

本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

GB/T8170數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T18907微束分析透射電子顯微術(shù)透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法

GB/T19619納米材料術(shù)語

GB/T34002微束分析透射電子顯微術(shù)用周期結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)校準(zhǔn)圖像放大倍率的方法

GB/T40300微束分析分析電子顯微學(xué)術(shù)語

JY/T0581透射電子顯微鏡分析方法通則

3術(shù)語和定義

GB/T19619、GB/T40300所界定的術(shù)語及下列術(shù)語適用于本文件。

ISO和IEC在下列網(wǎng)址保有的用于標(biāo)準(zhǔn)化的術(shù)語數(shù)據(jù)庫：

?ISO在線瀏覽平臺/obp/

?IECElectropedia:/

3.1

像散astigmatism

由于電磁透鏡磁場的非旋轉(zhuǎn)對稱性，使透鏡在相互垂直方向上的聚焦能力有差異，造成圖像模糊。

3.2

薄晶體試樣thincrystalspecimen

能夠放置在透射電子顯微鏡試樣臺上、并對入射電子束透明的晶體試樣。

1

GB/TXXXX—XXXX

3.3

優(yōu)中心位置eucentricposition

試樣在TEM中的一個特定高度位置，位于該位置的試樣在傾轉(zhuǎn)時，其圖像的橫向移動最小。

3.4

電子衍射electrondiffraction

電子束在晶體中散射，只在滿足布拉格定律方向上有相互加強的衍射束出射效應(yīng)。

3.5

相機長度cameralength

L

試樣與形成衍射圖的平面之間的有效距離。

3.6

晶帶軸zoneaxis

由[u,v,w]表示的晶體學(xué)方向。它由多個晶體學(xué)平面（h1,k1,l1,……h(huán)i,ki,li）的相交線定義，所有這些

平面均滿足晶帶定律hu+kv+lw=0。

3.7

感興趣區(qū)regionofinterest

ROI

為特定目的從整個數(shù)據(jù)集中選出的子集。

3.8

高角環(huán)形暗場掃描透射電子顯微術(shù)highangleannualdarkfield-scanningtransmissionelectron

microscopy

HAADF-STEM

掃描透射電子顯微鏡利用環(huán)形暗場探測器收集高角度的非相干散射電子形成圖像的技術(shù)。

3.9

聚焦離子束focusedionbeam

FIB

用聚焦場發(fā)射鎵原子進行定點減薄制備TEM樣品，加速電壓范圍為1keV到40keV。

4符號和縮略語

下列符號和縮略語適用于本文件：

TEM透射電子顯微術(shù)（鏡）（transmissionelectronmicroscopy）

2

GB/TXXXX—XXXX

STEM掃描透射電子顯微術(shù)（鏡）（scanningtransmissionelectronmicroscopy）

HAADF高角度環(huán)形暗場（highangleannualdarkfield）

L相機常數(shù)（cameralength）

SAED選區(qū)電子衍射（selectedareaelectrondiffraction）

ROI感興趣區(qū)（regionofinterest）

FIB聚焦離子束（focusedionbeam）

5方法原理

采用集成電路工藝制備的各類集成電路芯片由若干顯微結(jié)構(gòu)復(fù)雜、化學(xué)組成多元的納米功能薄膜構(gòu)

成，如圖1所示。雖然通?？梢允褂梅直媛首銐蚋叩耐干潆娮语@微術(shù)（TEM）測定薄膜厚度，但對日

益增多的化學(xué)組成多元的高性