ICS31200

CCSL.55

中華人民共和國國家標準

GB/T43931—2024

宇航用微波集成電路芯片通用規(guī)范

Generalspecificationformicrowaveintegratedcircuitchipforaerospace

2024-06-29發(fā)布2024-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T43931—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語定義和縮略語

3、………………………1

術語和定義

3.1…………………………1

縮略語

3.2………………1

技術要求

4…………………2

一般要求

4.1……………2

芯片分類

4.2……………2

設計結構材料與工藝

4.3、、……………2

生產過程控制

4.4………………………5

電性能

4.5………………5

標志

4.6…………………5

質量保證要求

4.7………………………5

4.8ESDS………………6

抗輻射能力等級

4.9……………………6

芯片氫耐受能力評價

4.10………………7

晶圓質量控制

4.11………………………7

可追溯性要求

4.12………………………9

質量保證規(guī)定

5……………9

檢驗分類

5.1……………9

破壞性試驗和非破壞性試驗

5.2………………………9

試驗和檢驗的環(huán)境條件

5.3……………9

批的組成

5.4……………9

不合格批的重新提交

5.5………………10

鑒定檢驗和質量一致性檢驗的樣品

5.6………………10

不合格

5.7………………10

承制方篩選

5.8…………………………10

失效

5.9…………………11

鑒定檢驗

5.10…………………………11

質量一致性檢驗

5.11…………………12

檢驗記錄

5.12…………………………14

使用方驗收

5.13………………………14

Ⅰ

GB/T43931—2024

交貨準備

6…………………16

包裝要求

6.1……………16

貯存要求

6.2……………17

運輸要求

6.3……………17

發(fā)貨時應提供的文件

6.4………………17

說明事項

7…………………17

預定用途

7.1……………17

訂購文件內容

7.2………………………17

芯片的使用說明

7.3……………………18

附錄規(guī)范性晶圓批驗收要求

A()………………………19

Ⅱ

GB/T43931—2024

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國宇航技術及其應用標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC425)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所西安空間無線電技術研究所中國電子科

:、、

技集團公司第五十五研究所上海精密計量測試研究所廣州天極電子科技股份有限公司

、、。

本文件主要起草人林麗艷范海玲王國全韓東崔波何婷陳哲宋翔楊俊鋒

:、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T43931—2024

宇航用微波集成電路芯片通用規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了宇航用微波集成電路芯片的技術要求質量保證規(guī)定和交貨準備

、。

本文件適用于宇航用微波集成電路芯片以下簡稱芯片的設計生產和產品質量保證

(“”)、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

所有部分電工術語

GB/T2900()

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分中子輻照

GB/T4937.17—201817:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分電離輻射總劑量

GB/T4937.18—201818:()

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分芯片剪切強度

GB/T4937.19—201819:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分鍵合強度

GB/T4937.22—201822:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫工作壽命

GB/T4937.23—202323:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分靜電放電敏感度

GB/T4937.26—202326:(ESD)

測試人體模型

(HBM)

半導體器件集成電路第部分第篇半導體集成電路內部目檢

GB/T19403.1—200311:1:

不包括混合電路

()

半導體芯片產品第部分釆購和使用要求

GB/T35010.1—20181:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫貯存

IEC60749-6:20176:(Semic