裝訂線裝訂線PAGE2第1頁(yè)，共3頁(yè)鄭州航空工業(yè)管理學(xué)院

《嵌入式系統(tǒng)》2021-2022學(xué)年第一學(xué)期期末試卷院(系)_______班級(jí)_______學(xué)號(hào)_______姓名_______題號(hào)一二三總分得分批閱人一、單選題（本大題共20個(gè)小題，每小題2分，共40分．在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的．）1、在數(shù)字信號(hào)處理中，快速傅里葉變換（FFT）的主要作用是什么？A.對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行濾波B.提高數(shù)字信號(hào)的采樣頻率C.計(jì)算數(shù)字信號(hào)的頻譜D.壓縮數(shù)字信號(hào)的數(shù)據(jù)量2、在光通信系統(tǒng)中，以下哪種光源具有較高的發(fā)射功率和較長(zhǎng)的使用壽命？A.發(fā)光二極管（LED）B.激光二極管（LD）C.白熾燈D.日光燈3、在電子測(cè)量?jī)x器中，以下哪種儀器用于測(cè)量電阻、電容、電感等參數(shù)：A.電橋B.兆歐表C.頻率計(jì)D.功率計(jì)4、在數(shù)字信號(hào)處理的有限字長(zhǎng)效應(yīng)中，以下哪種因素會(huì)導(dǎo)致量化誤差增大：A.字長(zhǎng)增加B.運(yùn)算次數(shù)增加C.信號(hào)幅度減小D.采樣頻率降低5、在電子信息領(lǐng)域，集成電路的發(fā)展極大地推動(dòng)了電子技術(shù)的進(jìn)步。集成電路按照集成度可以分為小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。以下關(guān)于集成電路集成度的說(shuō)法中，錯(cuò)誤的是？A.集成度越高，電路的性能越好。B.超大規(guī)模集成電路通常包含數(shù)百萬(wàn)個(gè)以上的晶體管。C.小規(guī)模集成電路一般只包含幾個(gè)到幾十個(gè)邏輯門(mén)。D.中規(guī)模集成電路的集成度介于小規(guī)模和大規(guī)模之間。6、在半導(dǎo)體器件中，場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種重要的器件。增強(qiáng)型MOSFET在柵源電壓為零時(shí)：A.導(dǎo)通B.截止C.處于放大狀態(tài)D.處于飽和狀態(tài)7、在半導(dǎo)體器件中，場(chǎng)效應(yīng)管（FET）有多種類(lèi)型。其中，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在工作原理和特性上有一定的區(qū)別。以下關(guān)于這兩種場(chǎng)效應(yīng)管的比較，哪一項(xiàng)是錯(cuò)誤的？A.JFET的輸入電阻小于MOSFET的輸入電阻B.MOSFET的噪聲系數(shù)小于JFET的噪聲系數(shù)C.JFET通常比MOSFET更適合在高頻下工作D.MOSFET的制造工藝比JFET更復(fù)雜8、在集成電路設(shè)計(jì)中，當(dāng)需要提高芯片的運(yùn)行速度和降低功耗時(shí)，以下哪種工藝技術(shù)的改進(jìn)通常是最為關(guān)鍵的？A.減小晶體管尺寸B.優(yōu)化電路布局C.采用新材料D.增加芯片面積9、在數(shù)字圖像處理的圖像分割中，閾值分割的關(guān)鍵是？A.選擇合適的閾值B.確定分割區(qū)域的數(shù)量C.計(jì)算分割后的面積D.評(píng)估分割效果10、在模擬電子電路中，反饋放大器可以改善放大器的性能。負(fù)反饋可以使放大器的？A.增益增大，帶寬減小B.增益減小，帶寬增大C.增益和帶寬都增大D.增益和帶寬都減小11、在模擬集成電路中，以下哪種放大器具有較高的輸入阻抗和較低的輸出阻抗？（）A.共射極放大器B.共集電極放大器C.共基極放大器D.差分放大器12、在通信系統(tǒng)的調(diào)制解調(diào)技術(shù)中，以下哪種解調(diào)方式不需要恢復(fù)載波：A.包絡(luò)檢波B.相干解調(diào)C.平方律檢波D.鑒頻器解調(diào)13、在電子電路故障診斷中，以下哪種工具能夠直觀地顯示電路中各點(diǎn)的信號(hào)波形？A.邏輯分析儀B.信號(hào)源C.示波器D.萬(wàn)用表14、在半導(dǎo)體制造工藝中，以下哪種摻雜方式能夠形成P型半導(dǎo)體？A.施主雜質(zhì)摻雜B.受主雜質(zhì)摻雜C.本征摻雜D.以上都不是15、在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的主要區(qū)別在于？A.存儲(chǔ)容量B.讀寫(xiě)速度C.存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)D.刷新方式16、在微處理器的體系結(jié)構(gòu)中，以下哪種緩存策略能夠有效提高數(shù)據(jù)訪問(wèn)的命中率？A.直接映射緩存B.全相聯(lián)緩存C.組相聯(lián)緩存D.以上都不是17、對(duì)于一個(gè)模擬信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化采樣時(shí)，若要保證較好的還原效果，以下哪個(gè)參數(shù)最為重要？A.采樣頻率B.量化位數(shù)C.編碼方式D.采樣點(diǎn)數(shù)18、在電子電路的功率放大器中，以下哪種放大器適用于高頻信號(hào)放大：A.A類(lèi)功率放大器B.B類(lèi)功率放大器C.C類(lèi)功率放大器D.D類(lèi)功率放大器19、在數(shù)字電路的競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)現(xiàn)象中，產(chǎn)生的原因是：A.邏輯門(mén)的傳輸延遲B.信號(hào)的幅度變化C.電源電壓的波動(dòng)D.環(huán)境溫度的變化20、在半導(dǎo)體制造工藝中，離子注入技術(shù)常用于改變半導(dǎo)體的什么特性？A.電導(dǎo)率B.載流子濃度C.晶體結(jié)構(gòu)D.以上都是二、簡(jiǎn)答題（本大題共4個(gè)小題，共40分)1、（本題10分）在電磁場(chǎng)理論中，闡述電磁波的反射系數(shù)和透射系數(shù)的定義和計(jì)算方法。2、（本題10分）詳細(xì)闡述在數(shù)字圖像處理中，圖像復(fù)原的方法和步驟，以及與圖像增強(qiáng)的區(qū)別。3、（本題10分）在電子電路中，電容的等效并聯(lián)電阻對(duì)電路有什么影響？如何減小其影響？4、（本題10分）論述在通信系統(tǒng)的編碼效率中，變長(zhǎng)編碼的原理和如何實(shí)現(xiàn)最優(yōu)編碼，如霍夫曼編碼。三、設(shè)計(jì)題（本大題共2個(gè)小題，共20