電力電子技術(shù)（廣東工業(yè)大學(xué)）知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋廣東工業(yè)大學(xué)第一章單元測試

逆變電路是一種（

）變換電路

A:DC/AC

B:AC/ACC:AC/DC

D:DC/DC

答案:DC/AC

研制出第一個(gè)晶閘管的公司是

A:仙童公司B:德州儀器

C:三菱公司D:通用電氣

答案:通用電氣據(jù)估計(jì)，發(fā)達(dá)國家在用戶最終使用的電能中，有（

）以上的電能至少經(jīng)過一次以上電力電子變流裝置的處理。

A:80%B:70%

C:50%

D:60%

答案:60%

20世紀(jì)80年代后期，得到長足發(fā)展的器件是

A:MOSFET

B:BJT

C:IGBTD:GTO

答案:IGBT下列學(xué)科中與電力電子學(xué)沒有交叉關(guān)系的是

A:機(jī)械工程B:電子學(xué)

C:電力學(xué)D:控制理論

答案:機(jī)械工程

第二章單元測試

IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件，它是

A:MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTOB:MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管C:GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFETD:MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR

答案:MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR

對于同一晶閘管，維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值大小上有，IL（

）IH。

A:小于

B:大于

C:無關(guān)D:等于

答案:大于

晶閘管的伏安特性是指(

)

A:門極電壓與陽極電流的關(guān)系B:陽極電壓與門極電流的關(guān)系C:門極電壓與門極電流的關(guān)系D:陽極電壓與陽極電流的關(guān)系

答案:陽極電壓與陽極電流的關(guān)系

IGBT綜合了BJT和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)

A:對B:錯(cuò)

答案:對SCR是一種流控器件

A:對B:錯(cuò)

答案:對

第三章單元測試

電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是

A:0°～120°

B:30°～150°

C:0°～150°D:15°～125°

答案:0°～150°三相全控橋式變流電路工作于有源逆變狀態(tài)的條件是

A:B:C:D:

答案:無源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能回送給電網(wǎng)。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)在三相半波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反壓為2倍相電壓U2。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)三相全控橋整流電路中，輸出電壓的脈動(dòng)頻率為150Hz。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第四章單元測試

單相橋式PWM逆變電路如下圖，單極性調(diào)制工作時(shí)，在電壓的正半周是（）

A:V1常斷，V2常通，V3與V4交替通斷B:V1與V4關(guān)斷，V2與V3導(dǎo)通C:V1常通，V2常斷，V3與V4交替通斷D:V1與V4導(dǎo)通，V2與V3關(guān)斷

答案:V1常通，V2常斷，V3與V4交替通斷180°導(dǎo)電型電壓型三相橋式逆變電路，其換相是在如下哪種情形的上、下二個(gè)開關(guān)之間進(jìn)行

A:不同相

B:同一相C:固定相D:不確定相

答案:同一相直流測接大電感的逆變電路稱為電流型逆變電路。

A:錯(cuò)B:對

答案:對電壓型逆變電路其直流電壓基本無脈動(dòng)，直流回路呈現(xiàn)低阻抗。

A:錯(cuò)B:對

答案:對有源逆變是將直流電逆變成其它頻率的交流電供負(fù)載使用。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第五章單元測試

采用多重化電壓源型逆變器的目的，主要是為

A:減小輸出幅值B:減小輸出功率C:增大輸出幅值D:減小輸出諧波

答案:減小輸出諧波降壓斬波電路中，已知電源電壓Ud=16V，導(dǎo)通比，則負(fù)載電壓U0=

A:21V

B:12VC:4V4VD:64V

答案:12VBuck電路中可以不包括電容器。

A:對B:錯(cuò)

答案:對Buck-Boost電路中有兩個(gè)功率器件。

A:錯(cuò)B:對

答案:錯(cuò)帶隔離的直流-直流變流電路中必須包含變壓器。

A:錯(cuò)B:對

答案:對

第六章單元測試

在三相三線交流調(diào)壓電路中，輸出電壓的波形如下圖所示，在t1~t2時(shí)間段內(nèi)，有（

）晶閘管導(dǎo)通。

A:4個(gè)B:2個(gè)C:1個(gè)D:3個(gè)

答案:3個(gè)對于單相交交變頻電路如下圖，在t1~t2時(shí)間段內(nèi)，P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（）

A:N組阻斷，P組整流B:N組阻斷，P組逆變C:P組阻斷，N組整流D:P組阻斷，N組逆變

答案:N組阻斷，P組整流一般認(rèn)為交交變頻輸出的上限頻率

A:高于電網(wǎng)頻率B:與電網(wǎng)有相同的頻率

C:可達(dá)電網(wǎng)頻率的80%

D:約為電網(wǎng)頻率的1/2~1/3

答案:約為電網(wǎng)頻率的1/2~1/3交流調(diào)壓電路是維持頻率不變，只改變輸出電壓的幅值的電路。

A:錯(cuò)B:對

答案:對交-交變頻電路輸出的電壓諧波只與電網(wǎng)頻率有關(guān)。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第七章單元測試

為減少自身損耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在放大狀態(tài)。

A:對B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)軟開關(guān)可以降低功率器件的開關(guān)應(yīng)力。

A:對B:錯(cuò)

答案:對ZVS中的Z是指Zero。

A:錯(cuò)B:對

答案:對軟開關(guān)技術(shù)大都采用電路諧振來實(shí)現(xiàn)。

A:對B:錯(cuò)

答案:對ZCS中的C是指Current。

A:錯(cuò)B:對

答案:對

第八章單元測試

觸發(fā)電路中的觸發(fā)信號(hào)應(yīng)具有

A:足夠小的觸發(fā)功率B:盡可能窄的寬度C:盡可能緩的前沿

D:足夠大的觸發(fā)功率

答案:足夠大的觸發(fā)功率光電耦合由發(fā)光二極管和

A:運(yùn)算放大器B:三極管

C:光敏晶體管D:達(dá)靈頓管

答案:光敏晶體管按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信