ICS71.040.10

CCSN69

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CAQIXXXX—XXXX

金剛石制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積

設(shè)備

Diamondpreparation—Microwaveplasmachemicalvapordepositionequipment

（征求意見(jiàn)稿）

在提交反饋意見(jiàn)時(shí)，請(qǐng)將您知道的相關(guān)專(zhuān)利連同支持性文件一并附上。

2023-XX-XX發(fā)布2023-XX-XX實(shí)施

中國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)協(xié)會(huì)發(fā)布

T/CAQIXXXX—XXXX

目次

前言.................................................................................II

1范圍...............................................................................1

2規(guī)范性引用文件.....................................................................1

3術(shù)語(yǔ)和定義.........................................................................1

4縮略語(yǔ).............................................................................2

5設(shè)備原理及分類(lèi).....................................................................2

6技術(shù)要求...........................................................................2

7技術(shù)參數(shù)...........................................................................5

8檢驗(yàn)及測(cè)試.........................................................................5

9檢驗(yàn)規(guī)則...........................................................................8

10標(biāo)志和包裝........................................................................9

I

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前言

本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定

起草。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任。

本文件由中國(guó)質(zhì)量檢驗(yàn)協(xié)會(huì)提出并歸口。

本文件起草單位：XX、XX、XX、XX。

本文件主要起草人：XX、XX、XX、XX。

II

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金剛石制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備

1范圍

本文件規(guī)定了用于制備金剛石的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（以下簡(jiǎn)稱(chēng)MPCVD設(shè)備）的術(shù)語(yǔ)和

定義、縮略語(yǔ)、設(shè)備原理及分類(lèi)、一般要求、設(shè)計(jì)要求、安全性要求、運(yùn)行要求、安全聯(lián)鎖、技術(shù)參數(shù)、

檢驗(yàn)及測(cè)試、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志和包裝等。

本文件適用于金剛石制備用途的微波模式為單模、多模的微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T1804—2000一般公差未注公差的線(xiàn)性和角度尺寸的公差

GB/T5080.7—1986設(shè)備可靠性試驗(yàn)恒定失效率假設(shè)下的失效率與平均無(wú)故障時(shí)間的驗(yàn)證試驗(yàn)

方案

GB/T5226.1—2019機(jī)械電氣安全機(jī)械電氣設(shè)備第1部分：通用技術(shù)條件

GB5959.6—2008電熱裝置的安全第6部分工業(yè)微波加熱設(shè)備的安全規(guī)范

GB/T7251.1—2013低壓成套開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備第1部分：總則

GB/T13384—2008機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件

GB/T32218—2015真空技術(shù)真空系統(tǒng)漏率測(cè)試方法

GBZ2.2—2017工作場(chǎng)所有害因素職業(yè)接觸限值第2部分：物理因素

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備microwaveplasmachemicalvapordeposition

equipment(MPCVD)

在近真空環(huán)境下通過(guò)微波能量將原料氣體加熱和離解，使其產(chǎn)生高密度等離子體，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)沉

積高品質(zhì)金剛石膜的設(shè)備。

3.2

沉積溫度depositiontemperature

沉積金剛石膜（單晶、多晶或其他微電子固體薄膜）時(shí)，基片需要達(dá)到的溫度。

3.3

沉積壓強(qiáng)depositionpressure

沉積金剛石膜的工藝過(guò)程中，滿(mǎn)足沉積工藝要求的工作壓強(qiáng)。

3.4

氣密性airtightness

氣體密封性能的優(yōu)劣程度。

3.5

微波泄漏microwaveleakage

MPCVD設(shè)備微波系統(tǒng)中泄漏出的微波輻射能。

3.6

膜厚均勻性filmthicknessuniformity

沉積金剛石膜厚不均勻程度的最大誤差分布值。

1

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4縮略語(yǔ)

下列縮略語(yǔ)使用于本文件中。

CDA清潔干燥的空氣（Cleandryair）

MTBF平均無(wú)故障工作時(shí)間（Meantimebetweenfailure）

MTTR平均維修時(shí)間（Meantimetorepair）

MFC氣體質(zhì)量流量計(jì)（Gasmassflowmeter）

5設(shè)備原理及分類(lèi)

5.1設(shè)備原理

設(shè)備由微波源產(chǎn)生微波，經(jīng)波導(dǎo)管傳輸至微波模式轉(zhuǎn)換器，微波模式轉(zhuǎn)換后，微波進(jìn)入諧振腔內(nèi)形

成強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域，將輸入諧振腔內(nèi)的反應(yīng)氣體在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，激發(fā)成等離子體產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，沉積金剛

石膜。

5.2分類(lèi)

MPCVD設(shè)備根據(jù)諧振腔內(nèi)微波模式，可分為：?jiǎn)文?、多模兩種類(lèi)型，兩種微波模式激發(fā)等離子體產(chǎn)

生化學(xué)反應(yīng)沉積金剛石膜的原理一致。設(shè)備結(jié)構(gòu)根據(jù)微波饋入方式、腔內(nèi)微波模式、等離子體狀態(tài)、材

料制備等，要求不同結(jié)構(gòu)不同，其具體結(jié)構(gòu)由各廠家自行規(guī)定。

注：微波在諧振腔內(nèi)的模式為單一的模式（波形），稱(chēng)為“單?！?。微波在諧振腔內(nèi)部反射震蕩，使得諧振腔內(nèi)形

成多種微波模式（波形），稱(chēng)為“多模”。

以頂部饋入微波的單模類(lèi)型為例：見(jiàn)圖1。

標(biāo)引序號(hào)說(shuō)明：

1——微波發(fā)射器；6——介電窗；

2——波導(dǎo)管；7——等離子體；

3——模式轉(zhuǎn)換器；8——沉積臺(tái)；

4——諧振腔；9——排氣口；

5——進(jìn)氣口；10——冷卻裝置。

圖1MPCVD單模設(shè)備示意圖

6技術(shù)要求

6.1一般要求

2

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6.1.1機(jī)柜表面涂層不應(yīng)有明顯的凹痕、劃傷、露底、脫落等缺陷。柜體表面平整、焊縫均勻、無(wú)虛

焊、漏焊、銹蝕等。

6.1.2設(shè)備外觀標(biāo)識(shí)文字清晰，準(zhǔn)確，無(wú)傾斜、無(wú)翹角等。

6.1.3設(shè)備應(yīng)具有相應(yīng)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和足夠的機(jī)械強(qiáng)度。

6.1.4設(shè)備氣體管道、液體管道等無(wú)漏氣、漏液現(xiàn)象。

6.1.5設(shè)備機(jī)械結(jié)構(gòu)運(yùn)轉(zhuǎn)靈活，無(wú)卡滯、無(wú)異響。

6.2設(shè)計(jì)要求

6.2.1組件

所有處于設(shè)備內(nèi)部的組件、原材料等，應(yīng)可適應(yīng)設(shè)計(jì)要求,各種材料在工作條件下,不造成微波泄漏、

真空泄漏或設(shè)備變形、損壞。組件應(yīng)按設(shè)計(jì)要求加工，圖面未注公差按GB/T1804—2000第5.1條的精密

f級(jí)管控。

6.2.2控制系統(tǒng)

控制系統(tǒng)應(yīng)能對(duì)設(shè)備的電氣參數(shù)、機(jī)械動(dòng)作位置、氣體質(zhì)量流量、冷卻液狀態(tài)等主要指標(biāo)進(jìn)行監(jiān)測(cè)

和控制，并對(duì)異常情況顯示報(bào)警，應(yīng)有措施能防止故障擴(kuò)大或切斷設(shè)備電源。

6.2.3真空系統(tǒng)

6.2.3.1真空系統(tǒng)的氣體管道及設(shè)備關(guān)聯(lián)的外部氣體管道應(yīng)使用耐腐蝕不銹鋼材料。

6.2.3.2管路中必要位置應(yīng)加裝過(guò)濾器，防止管路中的閥體受粉塵和其他雜質(zhì)堵塞。

6.2.3.3設(shè)備真空系統(tǒng)應(yīng)配備自動(dòng)控制閥，設(shè)備意外停止時(shí)能自動(dòng)關(guān)閉真空系統(tǒng)。

6.2.4微波系統(tǒng)

6.2.4.1應(yīng)具有良好的防泄漏裝置，保證操作位上人員的安全性。

6.2.4.2腔體與微波源在荷載情況下，應(yīng)具有良好的匹配，微波源正常運(yùn)行時(shí)反射功率應(yīng)為零。

6.2.4.3微波模式轉(zhuǎn)換器應(yīng)能最大限度轉(zhuǎn)換微波能量，減少損耗，保證等離子體能量均勻性。

6.2.5冷卻系統(tǒng)

6.2.5.1冷卻系統(tǒng)的管路應(yīng)具有足夠長(zhǎng)度、柔性和彎曲半徑，可承受由冷卻液產(chǎn)生的高壓和應(yīng)力，即

使管道堵塞，也不應(yīng)漏液。

6.2.5.2冷卻系統(tǒng)管路應(yīng)標(biāo)出冷卻液流動(dòng)方向。

6.2.5.3冷卻系統(tǒng)應(yīng)能集中控制，分別調(diào)節(jié)冷卻液流量，監(jiān)測(cè)支路中冷卻液的溫度、流量、壓力。

6.3安全性要求

6.3.1電氣安全要求

6.3.1.1電氣設(shè)備的連接和布線(xiàn)均應(yīng)符合GB/T5226.1—2019第13.1條的規(guī)定。

6.3.1.2電氣設(shè)備保護(hù)聯(lián)結(jié)電路應(yīng)首選銅質(zhì)導(dǎo)線(xiàn)，保護(hù)聯(lián)結(jié)電路所有部件的設(shè)計(jì)，應(yīng)能承受保護(hù)聯(lián)結(jié)

電路中由于流過(guò)接地故障電流所產(chǎn)生的最高熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力，保護(hù)導(dǎo)線(xiàn)截面積應(yīng)符合GB/T5226.1

—2019第8.2.2條規(guī)定。

6.3.1.3絕緣電阻：≥1MΩ。

6.3.1.4接地電阻：≤0.1Ω。

6.3.1.5漏電流：≤0.75mA。

6.3.1.6耐壓：設(shè)備應(yīng)能承受50Hz、2000V、5s的耐壓試驗(yàn)，應(yīng)符合GB/T5226.1—2019第18.4

條的規(guī)定。

6.3.1.7電擊防護(hù)應(yīng)符合GB/T5226.1—2019第6章和GB/T7251.1—2013第8.4條要求，設(shè)備運(yùn)行

或故障時(shí)，應(yīng)具備保護(hù)人們免受電擊的能力。

6.3.1.8設(shè)備機(jī)柜、水泵、油泵等應(yīng)可靠接地，安裝場(chǎng)所接地電阻應(yīng)：≤3Ω。

6.3.1.9設(shè)備可靠性（MTBF）及維修性（MTTR），MTBF：≥500h，MTTR：≤4h。

6.3.2微波安全要求

3

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6.3.2.1為保證設(shè)備整體微波泄漏功率密度，分為3個(gè)模塊管控微波泄漏功率密度：

6.3.2.2諧振腔；

6.3.2.3波導(dǎo)管；

6.3.2.4微波源。

6.3.2.5各個(gè)模塊裝配后，系統(tǒng)整體微波泄漏功率應(yīng)：≤1mW/cm2。

6.3.2.6微波泄漏的防護(hù)應(yīng)符合GB5959.6—2008第6章的規(guī)定，微波加熱設(shè)備的設(shè)計(jì)、制造和運(yùn)行

應(yīng)能有效防止微波泄漏產(chǎn)生的輻射危險(xiǎn)。

6.3.2.7設(shè)備開(kāi)啟時(shí)，系統(tǒng)應(yīng)有醒目的綠色微波工作指示燈，作為微波工作信號(hào)，不得在無(wú)吸收和負(fù)

載的情況下開(kāi)啟微波系統(tǒng)。

6.3.2.8設(shè)備操作應(yīng)符合GB5959.5—2014第6章等離子體系統(tǒng)和設(shè)備的操作的規(guī)定。

6.3.2.9MPCVD設(shè)備使用場(chǎng)所的微波輻射衛(wèi)生要求，應(yīng)符合GBZ2.2—2017第8.2條的規(guī)定。

6.3.3使用安全要求

由于MPCVD設(shè)備的沉積工藝中可能使用易燃、易爆或有毒的氣體，為了保證設(shè)備安全與人身安全，

特提出以下要求:

a)設(shè)備運(yùn)行環(huán)境中應(yīng)配有相應(yīng)的易燃、易爆氣體監(jiān)測(cè)設(shè)備。

b)MPCVD設(shè)備真空系統(tǒng)、微波系統(tǒng)、氣體管道、連接機(jī)構(gòu)、安全聯(lián)鎖裝置、氣瓶柜等關(guān)鍵部件，

都應(yīng)安全可靠工作,如有裝置失效或功能異常時(shí)禁止開(kāi)機(jī)使用。

c)設(shè)備安裝后應(yīng)進(jìn)行氣體泄漏測(cè)試，保證運(yùn)行設(shè)備無(wú)泄漏。

d)MPCVD設(shè)備的氣密性、極限真空度未達(dá)到本文件規(guī)定的技術(shù)要求時(shí)，應(yīng)排除漏點(diǎn)，使設(shè)備滿(mǎn)足

要求后開(kāi)機(jī)使用。

e)應(yīng)定期檢查設(shè)備微波泄漏功率密度是否符合要求。

f)當(dāng)采用氧氣作為催化劑時(shí)，應(yīng)確認(rèn)其混合氣體的比例在安全范圍內(nèi)，防止爆炸。

g)氣體管路安裝的密閉柜體應(yīng)有內(nèi)徑Ф≥40mm的排氣端口，防止可燃?xì)怏w累積導(dǎo)致爆炸。

h)設(shè)備應(yīng)有固定裝置，防止地震或其他意外情況時(shí)設(shè)備傾倒。

i)設(shè)備運(yùn)行環(huán)境應(yīng)有良好的廢氣排放措施，場(chǎng)所排廢通道內(nèi)徑Ф≥50mm，如反應(yīng)氣體為有毒有

害的危險(xiǎn)氣體，或反應(yīng)生成物中含有有毒有害物質(zhì)，需加裝報(bào)警裝置和尾氣處理裝置與設(shè)備配

套使用。

6.4運(yùn)行要求

設(shè)備運(yùn)行條件符合表1的要求。

表1設(shè)備運(yùn)行要求

序號(hào)項(xiàng)目要求單位

1運(yùn)行環(huán)境溫度20～26℃

2運(yùn)行環(huán)境濕度25%～75%（無(wú)凝露）-

3冷卻水電導(dǎo)率＜150ms/m

4冷卻水硬度＜15°dH

5冷卻水溫16～20，無(wú)凝露℃

6冷卻進(jìn)水壓力0.6～0.8MPa

7進(jìn)水/回水壓差≥0.42MPa

8CDA進(jìn)氣溫度15～20℃

9電源380±10%、三相五線(xiàn)制VAC

10頻率50/60Hz

11安裝場(chǎng)所接地電阻≤3Ω

12微波頻率915/2450MHz

6.5安全聯(lián)鎖

6.5.1氣體流量偏差報(bào)警

MPCVD設(shè)備應(yīng)具有反應(yīng)氣體流量超出設(shè)定時(shí)的報(bào)警功能，并設(shè)置安全防護(hù)。

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6.5.2冷卻水流量偏差報(bào)警

MPCVD設(shè)備應(yīng)具有冷卻水流量超出設(shè)定時(shí)的報(bào)警功能。當(dāng)水流量偏差超出設(shè)定時(shí)，設(shè)備自動(dòng)報(bào)警。

6.5.3諧振腔壓力異常報(bào)警

MPCVD設(shè)備應(yīng)具有諧振腔壓力超出設(shè)定時(shí)的報(bào)警功能，設(shè)備自動(dòng)停止運(yùn)行。

6.5.4微波系統(tǒng)反射功率異常報(bào)警

當(dāng)微波系統(tǒng)反射功率超出設(shè)定時(shí)，微波系統(tǒng)應(yīng)自動(dòng)異常報(bào)警，設(shè)備進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，微波系統(tǒng)自動(dòng)停

止運(yùn)行。

6.5.5微波系統(tǒng)溫、濕度異常報(bào)警

當(dāng)微波系統(tǒng)的微波電源發(fā)熱超過(guò)50℃或環(huán)境濕度超過(guò)75%時(shí)，微波系統(tǒng)應(yīng)自動(dòng)異常報(bào)警，設(shè)備進(jìn)入

保護(hù)狀態(tài)，微波系統(tǒng)自動(dòng)停止運(yùn)行。

6.5.6微波系統(tǒng)冷卻水溫異常報(bào)警

當(dāng)微波系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)冷卻水溫超過(guò)設(shè)定時(shí)，微波系統(tǒng)應(yīng)自動(dòng)異常報(bào)警，設(shè)備進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，微波系統(tǒng)

自動(dòng)停止運(yùn)行。

6.5.7微波系統(tǒng)滿(mǎn)功率提醒

當(dāng)微波系統(tǒng)調(diào)節(jié)至滿(mǎn)功率狀態(tài)時(shí)，微波系統(tǒng)應(yīng)有滿(mǎn)功率提醒。

6.5.8MPCVD設(shè)備誤操作防止

MPCVD設(shè)備應(yīng)具有防止誤操作的安全保護(hù)措施，設(shè)備運(yùn)行參數(shù)改動(dòng)均需二次確認(rèn)。

6.5.9緊急停止

MPCVD設(shè)備應(yīng)設(shè)置緊急停止按鈕。緊急停止按鈕的位置應(yīng)方便操作。

6.5.10斷電保護(hù)

MPCVD設(shè)備的停電狀態(tài)應(yīng)為安全狀態(tài)，即MPCVD設(shè)備的反應(yīng)氣體自動(dòng)停止輸入，冷卻水和冷卻氣體暢

通，MPCVD設(shè)備再通電時(shí)，微波系統(tǒng)不會(huì)自動(dòng)開(kāi)啟。

7技術(shù)參數(shù)

7.1MPCVD設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)見(jiàn)表2。

7.2需求方對(duì)技術(shù)性能有其他特殊要求時(shí)，可由供需雙方協(xié)商確定并在合同中說(shuō)明。

表2技術(shù)參數(shù)

序號(hào)參數(shù)名稱(chēng)參數(shù)要求單位

1整機(jī)真空漏率≤1.33×10-10Pa·m3/s

2氣體流量設(shè)定范圍0～3000（可選配）sccm

3微波泄漏功率密度≤1mW/cm2

4MFC控制精度≤±0.2%Fs（飛秒）響應(yīng)時(shí)間l0s-

5沉積溫度≤1400℃

6沉積壓強(qiáng)≤40KPa

7氣密性＜16Pa/h

8膜厚均勻性≤±7%

9CDA控制壓力0.5～0.7壓力可調(diào)MPa

8檢驗(yàn)及測(cè)試

8.1試驗(yàn)條件和儀器

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8.1.1測(cè)試環(huán)境應(yīng)滿(mǎn)足表1的要求。

8.1.2試驗(yàn)設(shè)備、工具，應(yīng)經(jīng)專(zhuān)業(yè)計(jì)量機(jī)構(gòu)檢定，并在檢定合格有效期內(nèi)，具體包括：

a)三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x；

b)高度計(jì)；

c)千分尺；

d)卡尺；

e)扭力儀；

f)水平儀；

g)數(shù)字視頻顯微鏡；

h)氦質(zhì)譜檢漏儀；

i)紅外測(cè)溫儀；

j)兆歐表；

k)接地電阻測(cè)試儀；

l)耐壓測(cè)試儀；

m)泄漏電流測(cè)試儀；

n)電子天平（分度值0.1mg）；

o)微波漏能儀（分度值0.01mw/cm2）；

p)真空計(jì)（分度值0.1pa）；

q)氣壓表（分度值0.05Mpa）。

8.2測(cè)試方法

8.2.1一般要求檢驗(yàn)

目視檢查，檢查時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，檢查場(chǎng)所照度應(yīng)保持500ULX以上，離樣品50cm的位置采用45°

和90°夾角觀察法，應(yīng)符合第6章的要求。

8.2.2絕緣電阻測(cè)試

采用絕緣電阻測(cè)試儀，在設(shè)備的動(dòng)力導(dǎo)線(xiàn)與保護(hù)聯(lián)結(jié)電路間施加500Vd.c.電氣設(shè)備絕緣電阻應(yīng)符

合GB/T5226.1—2019第18.3條的規(guī)定，絕緣電阻：≥1MΩ。

8.2.3接地電阻測(cè)試

采用接地電阻測(cè)試儀測(cè)量設(shè)備接地電阻，接地電阻：≤0.1Ω

8.2.4漏電流測(cè)試

采用泄漏電流測(cè)試儀測(cè)試設(shè)備漏電流，漏電流：≤0.75mA。

8.2.5耐壓測(cè)試

采用耐壓測(cè)試儀在電源引入端與機(jī)殼間加交流2000V(有效值)電壓，5s內(nèi)，應(yīng)無(wú)擊穿、無(wú)飛弧，

應(yīng)符合8.1.6的要求。

8.2.6MPCVD設(shè)備真空漏率測(cè)試

采用氦質(zhì)譜檢漏儀檢測(cè)，符合GB/T32218—2015第7.2.3條的要求，真空部件如諧振腔、微波發(fā)射

器、波導(dǎo)管、模式變換器、的各連接處的真空漏率，應(yīng)符合表2第1項(xiàng)的要求。

8.2.7微波泄漏功率密度測(cè)試

采用微波漏能儀檢測(cè)，測(cè)量條件符合GB5959.6—2008第6.2、6.3條的要求，微波泄漏功率密度應(yīng)

符合表2第3項(xiàng)的要求。

8.2.8MFC控制精度測(cè)試

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MFC量程應(yīng)滿(mǎn)足工藝反應(yīng)氣體的實(shí)際需求，具體以MFC廠家說(shuō)明書(shū)為依據(jù)，使用時(shí)根據(jù)MFC說(shuō)明書(shū)的

換算系數(shù)進(jìn)行換算。在滿(mǎn)足正常運(yùn)行的條件下，通入定量（2%～100%）的安全氣體（如氮?dú)猓?，將壓?/p>

設(shè)置為規(guī)定的壓力，待流量穩(wěn)定后，讀取MFC實(shí)際流量計(jì)算偏差，應(yīng)符合表2第4項(xiàng)的要求。

8.2.9沉積溫度測(cè)試

沉積工藝相同的條件下，采用測(cè)溫儀測(cè)試基片中心溫度，沉積溫度范圍符合表2第5項(xiàng)的要求。

8.2.10沉積壓強(qiáng)測(cè)試

當(dāng)設(shè)備真空漏率符合表2第1項(xiàng)要求時(shí)，設(shè)定（可取不超過(guò)32KPa的任何值,一般采用16KPa）規(guī)定

壓強(qiáng)值，啟動(dòng)工業(yè)微波源，向反應(yīng)腔通入一定量安全氣體，讀取MPCVD設(shè)備真空壓力計(jì)測(cè)得值，沉積壓

強(qiáng)應(yīng)符合表2第6項(xiàng)的要求，且能進(jìn)行范圍內(nèi)的壓強(qiáng)調(diào)節(jié)。

8.2.11氣密性測(cè)試

開(kāi)啟設(shè)備電源，關(guān)閉MPCVD設(shè)備進(jìn)氣、出氣閥門(mén)，連接真空泵，對(duì)MPCVD設(shè)備進(jìn)行真空抽氣。當(dāng)設(shè)備

真空漏率穩(wěn)定后，保持3min～5min，然后停止抽真空，靜態(tài)保持12h，12h平均壓力波動(dòng)應(yīng)符合表2

第7項(xiàng)的要求。

8.2.12膜厚均勻性測(cè)試

采用千分尺測(cè)量基片臺(tái)不同點(diǎn)位厚度，并依據(jù)公式(1)、公式(2)計(jì)算膜厚均勻性，需符合表2第8

項(xiàng)的要求。

a????a???

±??=×100%··················································(1)

2×??

式中：

1?

??=∑?=1a·······································································(2)

?

式中：

?a——誤差百分比；

amax——同組測(cè)試數(shù)據(jù)的最大值；

amin——同組測(cè)試數(shù)據(jù)的最小值；

ā——同組測(cè)試數(shù)據(jù)的算術(shù)平均值；

n——測(cè)試點(diǎn)數(shù)。

對(duì)于方形基片，在邊長(zhǎng)1/5、2/5、3/5、4/5的4×4的網(wǎng)格上共取16個(gè)點(diǎn)，如圖2所示。

對(duì)于圓形基片，按圓心45°角，八等分圓，R/4、2R/4、3R/4圓心的位置上共取25個(gè)點(diǎn)，如圖3所示。

圖2方形基片臺(tái)膜厚均勻性測(cè)試點(diǎn)

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圖3圓形基片臺(tái)膜厚均勻性測(cè)試點(diǎn)

8.2.13CDA控制壓力測(cè)試

MPCVD設(shè)備的壓力傳感器測(cè)得用于設(shè)備自動(dòng)控制的進(jìn)氣口壓力值，設(shè)備CDA控制壓力應(yīng)符合表2第9

項(xiàng)的要求。

8.2.14緊急停止和斷電保護(hù)測(cè)試

按下MPCVD設(shè)備緊急停止按鈕，此按鈕應(yīng)能切斷設(shè)備總電源。電源切斷后，輸入氣體、冷卻水、暢

通，再通電時(shí)，MPCVD設(shè)備不會(huì)自動(dòng)開(kāi)啟。

8.2.15可靠性(MTBF)及維修性（MTTR）測(cè)試

對(duì)于批量生產(chǎn)（含）3臺(tái)以上各種型號(hào)的設(shè)備，應(yīng)進(jìn)行可靠性統(tǒng)計(jì)測(cè)試，采用GB/T5080.7—1986

第5章的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果應(yīng)符合8.1.9條的要求。

9檢驗(yàn)規(guī)則

9.1檢驗(yàn)類(lèi)型

檢驗(yàn)分為：型式檢驗(yàn)和出廠檢驗(yàn)兩種。

9.2檢驗(yàn)項(xiàng)目

組織在產(chǎn)品不同階段應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)、出廠檢驗(yàn)，具體按表3。

表3檢驗(yàn)項(xiàng)目

序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目型式檢驗(yàn)出廠檢驗(yàn)

1一般要求檢驗(yàn)√√

2絕緣電阻測(cè)試√-

3接地電阻測(cè)試√-

4漏電流測(cè)試√-

5耐壓測(cè)試√-

6MPCVD設(shè)備真空漏率測(cè)試√√

7微波泄漏功率密度測(cè)試√√

8MFC控制精度測(cè)試√-

9沉積溫度測(cè)試√-

10沉積壓強(qiáng)測(cè)試√-

11氣密性測(cè)試√-

12膜厚均勻性測(cè)試√-

13CDA控制壓力測(cè)試√-

14緊急停止和斷電保護(hù)測(cè)試√√

可靠性（MTBF）及維修性（MTTR）

15√-

測(cè)試

9.3檢驗(yàn)項(xiàng)目具體要求

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檢驗(yàn)項(xiàng)目、檢驗(yàn)方法及檢驗(yàn)項(xiàng)目要求，具體按表4。

表4檢驗(yàn)項(xiàng)目具體要求

序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)方法對(duì)應(yīng)章節(jié)檢驗(yàn)項(xiàng)目要求對(duì)應(yīng)章節(jié)

1一般要求檢驗(yàn)12.2.17

2絕緣電阻測(cè)試12.2.28.1.3

3接地電阻測(cè)試12.2.38.1.4

4漏電流測(cè)試12.2.48.1.5

5耐壓測(cè)試12.2.58.1.6

6MPCVD設(shè)備真空漏率測(cè)試12.2.68.2.1

7微波泄漏功率密度測(cè)試12.2.711

8MFC控制精度測(cè)試12.2.811

9沉積溫度測(cè)試12.2.911

10沉積壓強(qiáng)測(cè)試12.2.1011

11氣密性測(cè)試