建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表(污染影響類)項(xiàng)目名稱：新一代高端半導(dǎo)體芯片系列產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目二期基建工程建設(shè)單位(蓋章):無(wú)錫英菲感知技術(shù)有限公司中華人民共和國(guó)生態(tài)環(huán)境部制一、建設(shè)項(xiàng)目基本情況 二、建設(shè)項(xiàng)目工程分析 三、區(qū)域環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀、環(huán)境保護(hù)目標(biāo)及評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn) 四、主要環(huán)境影響和保護(hù)措施 五、環(huán)境保護(hù)措施監(jiān)督檢查清單 六、結(jié)論 建設(shè)項(xiàng)目污染物排放量匯總表 附圖1項(xiàng)目地理位置圖附圖2建設(shè)項(xiàng)目周圍500米環(huán)境示意圖附圖3車間平面布置圖附圖4廠區(qū)平面布置及雨污水官網(wǎng)圖附圖5項(xiàng)目土地利用總體規(guī)劃圖附圖6江蘇省生態(tài)空間保護(hù)區(qū)域分布圖附圖7無(wú)錫市環(huán)境管控單元圖附件1:江蘇省投資項(xiàng)目備案證；附件2:信息登記單；附件3:營(yíng)業(yè)執(zhí)照；附件4:不動(dòng)產(chǎn)權(quán)證書；附件5:現(xiàn)有項(xiàng)目環(huán)保手續(xù)；附件6:固廢處置承諾及危廢協(xié)議；附件7:建設(shè)項(xiàng)目排放污染物指標(biāo)申請(qǐng)表；附件8:相關(guān)原料MSDS及VOC檢測(cè)報(bào)告；附件9:環(huán)評(píng)委托書；附件10:環(huán)評(píng)編制合同；附件11:聲明確認(rèn)單；附件12:環(huán)評(píng)單位承諾書；附件13:環(huán)評(píng)公示截圖；附件14:現(xiàn)場(chǎng)踏勘照片。1一、建設(shè)項(xiàng)目基本情況建設(shè)項(xiàng)目名稱項(xiàng)目代碼建設(shè)地點(diǎn)無(wú)錫市新吳區(qū)華秀路66號(hào)(東經(jīng)120度20分49.9秒，北緯31度30分30.8秒)國(guó)民經(jīng)濟(jì)行業(yè)類別建設(shè)項(xiàng)目行業(yè)類別組裝的)和試驗(yàn)發(fā)展四十五、研究和試驗(yàn)發(fā)展98.專業(yè)實(shí)驗(yàn)室、研究(試驗(yàn))基地建設(shè)性質(zhì)口新建(遷建)口改建口技術(shù)改造建設(shè)項(xiàng)目申報(bào)情形?首次申報(bào)項(xiàng)目口不予批準(zhǔn)后再次申報(bào)項(xiàng)目口超五年重新審核項(xiàng)目口□重大變動(dòng)重新報(bào)批項(xiàng)目(核準(zhǔn)/備案)部門(選填)新吳區(qū)行政審批局備案)文號(hào)(選填)錫新行審?fù)秱鋄2024]361號(hào)總投資(萬(wàn)元)環(huán)保投資(萬(wàn)元)環(huán)保投資占施工工期15個(gè)月是否開工建設(shè)口是：用地面積(m2)7530.33(新建建筑占地面積)設(shè)置情況無(wú)況規(guī)劃名稱：《無(wú)錫(太湖)國(guó)際科技園控制性詳細(xì)規(guī)劃科創(chuàng)區(qū)區(qū)管理單元?jiǎng)討B(tài)更新》;審批機(jī)關(guān)：無(wú)錫市自然資源和規(guī)劃局；公布時(shí)間：2023年09月08日。境影響況規(guī)劃環(huán)評(píng)文件：《無(wú)錫(太湖)國(guó)際科技園環(huán)境影響報(bào)告書》;審查機(jī)關(guān)：無(wú)錫市環(huán)境保護(hù)局；規(guī)劃環(huán)評(píng)審查意見文號(hào)：錫環(huán)管[2009]67號(hào)。規(guī)劃跟蹤評(píng)價(jià)文件：《無(wú)錫(太湖)國(guó)際科技園規(guī)劃環(huán)境影響跟蹤評(píng)價(jià)報(bào)告書》審查機(jī)關(guān)：無(wú)錫高新區(qū)(新吳區(qū))安全生產(chǎn)監(jiān)督管理和環(huán)境保護(hù)局2規(guī)劃及規(guī)劃環(huán)境影響析本項(xiàng)目位于無(wú)錫市新吳區(qū)華秀路66號(hào)，根據(jù)園控制性詳細(xì)規(guī)劃科創(chuàng)區(qū)-孵化區(qū)、科創(chuàng)區(qū)-研發(fā)區(qū)管理單元?jiǎng)討B(tài)更新》,建設(shè)項(xiàng)目地塊屬于生產(chǎn)研發(fā)用地+科研設(shè)計(jì)用地，故本項(xiàng)目與土地利用規(guī)劃相符，且本項(xiàng)目具備污染集中控制條件。本項(xiàng)目地理位置詳見附圖1,用地規(guī)劃詳見附圖無(wú)錫太湖國(guó)際科技園的產(chǎn)業(yè)定位主要為發(fā)展IT設(shè)計(jì)、軟件開發(fā)設(shè)計(jì)、創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)等自主創(chuàng)新的高科技產(chǎn)業(yè)，一級(jí)服務(wù)于高科技產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)代化服務(wù)業(yè)。本項(xiàng)目主要從事紅外機(jī)芯模組的研發(fā)及生產(chǎn)工作，屬于高科技產(chǎn)業(yè)，符合園區(qū)產(chǎn)業(yè)定位。(1)規(guī)劃環(huán)評(píng)及審查意見的相符性分析持續(xù)改園總體態(tài)科技園，建立園區(qū)ISO14000環(huán)境管本項(xiàng)目主要從事紅外機(jī)芯高技術(shù)含量項(xiàng)目、符合要業(yè)導(dǎo)升項(xiàng)目目錄(2017年修訂)》、《江蘇省節(jié)工作若干政策措施的通知》(蘇政發(fā)政辦發(fā)[2007]115號(hào))、《江蘇省太湖污染防治條例》(2007年修訂版)等強(qiáng)建設(shè)項(xiàng)目的環(huán)境管理將園區(qū)建成集3IT設(shè)計(jì)、軟件開發(fā)設(shè)計(jì)、創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)等技園應(yīng)嚴(yán)格按照?qǐng)?bào)告書中產(chǎn)業(yè)定位引進(jìn)項(xiàng)目，不得引進(jìn)非產(chǎn)業(yè)定位方向和項(xiàng)目一律不得開工建設(shè)時(shí)”制度。園布進(jìn)區(qū)內(nèi)發(fā)展的理念，進(jìn)一步優(yōu)化用地布局規(guī)逐步進(jìn)行搬遷。?；A(chǔ)設(shè)加快建設(shè)區(qū)內(nèi)截污管網(wǎng)和雨水排放系水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)》(CJ3082-1999)中"有城結(jié)合太湖新城污水處理廠尾水回用系采取有效措施嚴(yán)格控制廢氣無(wú)組織排但應(yīng)編制主要產(chǎn)業(yè)固廢綜合利用和安流、清污分流",生活污水經(jīng)化糞池預(yù)處理后接管太照規(guī)范要求設(shè)置一般固廢暫存區(qū)和危廢堆場(chǎng)。4和應(yīng)急措施恰當(dāng)規(guī)模的擴(kuò)建，并提前報(bào)批環(huán)評(píng)文件，經(jīng)環(huán)保部門批準(zhǔn)同意后實(shí)施。污水處理廠處理余量范圍經(jīng)對(duì)照可知，本項(xiàng)目的建設(shè)符合《關(guān)于無(wú)錫(太湖)國(guó)際科技園環(huán)境影響報(bào)告書的批復(fù)》(錫環(huán)管[2009]67號(hào))的要求。(2)規(guī)劃環(huán)評(píng)跟蹤評(píng)價(jià)及審查意見的相符性分析本項(xiàng)目與《關(guān)于無(wú)錫(太湖)國(guó)際科技園規(guī)劃環(huán)境影響跟蹤評(píng)價(jià)報(bào)告書的審核意見》(錫環(huán)管新[2017]3號(hào))相符性詳見表1-2。見(一)園區(qū)位處太湖一級(jí)保護(hù)區(qū)位于新預(yù)處理后接管太湖新城污京杭運(yùn)河。(二)按計(jì)劃推進(jìn)不符合用地規(guī)劃及產(chǎn)模組的研發(fā)及生產(chǎn)工作，項(xiàng)目所在地規(guī)劃為“生產(chǎn)研發(fā)用地”,符合《無(wú)錫 (太湖)國(guó)際控制科技園控制性詳細(xì)規(guī)劃》,用地定位。待本項(xiàng)目建成后將及時(shí)完成環(huán)?！叭瑫r(shí)”驗(yàn)收。(三)加強(qiáng)、完善園區(qū)環(huán)境管理。2017措施。本項(xiàng)目將按照?qǐng)@區(qū)環(huán)境管由上表可知，本項(xiàng)目建設(shè)與區(qū)域規(guī)劃環(huán)評(píng)及跟蹤5析本項(xiàng)目主要從事C3976光電子器件制造和M73驗(yàn)發(fā)展，經(jīng)查實(shí)，不屬于《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2021年修訂版)》(中華人民共和國(guó)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)令第49號(hào))中的鼓勵(lì)類、限制類和淘汰類；不屬于《無(wú)錫市產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(試止類項(xiàng)目；不屬于《無(wú)錫市制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展指導(dǎo)目錄(2012年本)》(錫政辦發(fā)〔2013〕54號(hào))中的限制類和淘汰類；不屬資項(xiàng)目目錄》(2015年本)中禁止投資項(xiàng)目；不屬于《江蘇省產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整限制淘汰和禁止目錄(2018年本)》中限制淘本項(xiàng)目不屬于《環(huán)境保護(hù)綜合名錄》(2021年版)中“高污染、高環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)產(chǎn)品名錄",也不屬于高耗能行業(yè)，符合放建設(shè)項(xiàng)目生態(tài)環(huán)境源頭防控的指導(dǎo)意見》中相關(guān)要求。本項(xiàng)目位于無(wú)錫市新吳區(qū)華秀路66號(hào)，根據(jù)《江蘇省國(guó)家級(jí)生態(tài)保護(hù)紅線規(guī)劃》(蘇政發(fā)[2018]74號(hào))或《省政府關(guān)于印發(fā)江蘇省生態(tài)空間管控區(qū)域規(guī)劃的通知(蘇政發(fā)[2020]1號(hào))》,本項(xiàng)目與國(guó)家級(jí)及江蘇省生態(tài)紅線最近保護(hù)目標(biāo)之間關(guān)系見下表。距離(m)紅線區(qū)域范圍控區(qū)類別生態(tài)錫市區(qū))護(hù)區(qū)南生態(tài)空間管6貢湖錫東飲用水水源保護(hù)區(qū)南南的陸域。保護(hù)區(qū)域由上表可知，項(xiàng)目選址符合《江蘇省國(guó)家級(jí)生態(tài)保護(hù)紅線規(guī)劃》(蘇政發(fā)[2018]74號(hào))以及《省政府關(guān)于印發(fā)江蘇省生態(tài)空間管控區(qū)域規(guī)劃的通知(蘇政發(fā)[2020]1號(hào))》中的相關(guān)要項(xiàng)目所在地大氣環(huán)境為環(huán)境空氣質(zhì)量功能二類地區(qū)，根據(jù)《無(wú)錫市環(huán)境狀況公報(bào)》(2023年度)的無(wú)錫市區(qū)基本污染物質(zhì)量監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，評(píng)價(jià)區(qū)O?未能達(dá)到《環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3095-2012)的二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù)無(wú)錫市人民政府2019年1月29日印發(fā)的《無(wú)錫市大劃(2018-2025年)》到2025年除O3以外的主要大氣污染物濃度達(dá)到GB3095-2012二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)；地表水監(jiān)測(cè)中，京杭運(yùn)河地表水氮、總磷監(jiān)測(cè)值均能滿足《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3838-2002)中的IV類標(biāo)準(zhǔn)要求。項(xiàng)目所在地聲環(huán)境質(zhì)量滿足《聲環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》因此項(xiàng)目的建設(shè)符合環(huán)境質(zhì)量底線標(biāo)準(zhǔn)。本項(xiàng)目主要從事紅外機(jī)芯模組的研發(fā)及生產(chǎn)，位于無(wú)錫市新吳區(qū)華秀路66號(hào)。所使用的能源主要為水、電能，物耗以及能耗水平較低，不會(huì)超過(guò)資源利用上線。本項(xiàng)目用水水源來(lái)自市政管電，能滿足本項(xiàng)目的需求。本項(xiàng)目位于無(wú)錫市新吳區(qū)華秀路66號(hào)，根據(jù)《關(guān)于無(wú)錫(太湖)國(guó)際科技園規(guī)劃環(huán)境影響跟蹤評(píng)價(jià)報(bào)告書的審核意見》(錫環(huán)管新[2017]3號(hào))中無(wú)錫(太湖)國(guó)際科技園產(chǎn)業(yè)發(fā)展負(fù)面清單一覽表，本項(xiàng)目相符性分析類別內(nèi)容發(fā)展指導(dǎo)目錄(2012年本)》有毒有害物質(zhì)的碼頭。保護(hù)相關(guān)文件中禁止引進(jìn)的項(xiàng)目。排放惡臭氣體的研發(fā)型企業(yè)和項(xiàng)本項(xiàng)目不排放有毒廢氣和惡臭氣體。險(xiǎn)較大的項(xiàng)目入?yún)^(qū)。較小。綜上所述，建設(shè)項(xiàng)目符合國(guó)家、地方產(chǎn)業(yè)政策，項(xiàng)目選址符合區(qū)域總體規(guī)劃，并能夠滿足生態(tài)保護(hù)紅線、環(huán)境質(zhì)量底線以及資源利用上限的要求。根據(jù)《江蘇省太湖水污染防治條例》規(guī)定，太湖流域劃分為三級(jí)保護(hù)區(qū)：太湖湖體、沿湖岸五公里區(qū)域、入湖河道上溯十公里以及沿岸兩側(cè)各一公里范圍為一級(jí)保護(hù)區(qū)；主要入湖河道上溯十公里至五十公里以及沿岸兩側(cè)各一公里范圍為二級(jí)保護(hù)區(qū)；其他地區(qū)為三級(jí)保護(hù)區(qū)。建設(shè)項(xiàng)目位于太湖流域一級(jí)保護(hù)區(qū)內(nèi)。78域管理?xiàng)l人民共和國(guó)國(guó)務(wù)院號(hào)，2011年當(dāng)依法關(guān)閉”。染、電鍍等行業(yè)。他主要入太湖河道，自河口1萬(wàn)米上溯至5萬(wàn)米河道岸線內(nèi)及其岸線兩側(cè)各1000米范圍內(nèi)，禁止下列行為：(一)新建、擴(kuò)建污水集中處理設(shè)施排污口以外的排污口；(三)擴(kuò)大水產(chǎn)養(yǎng)殖規(guī)?！?不涉及5000米范圍內(nèi)，淀山湖岸線內(nèi)和岸線周邊2000米范圍內(nèi)，太浦河、新孟河、望虞河岸線內(nèi)和岸線兩側(cè)各1000米范圍內(nèi)，其他主要入太湖河道自河口上溯至1萬(wàn)米河道岸線內(nèi)及其岸線兩側(cè)各1000米范圍內(nèi)，禁化學(xué)品的貯存、輸送設(shè)施和廢物回收?qǐng)?、垃圾?chǎng)；(二)設(shè)置水上餐飲經(jīng)營(yíng)設(shè)施；(三)新建、擴(kuò)建高爾夫球場(chǎng)；(四)新向水體排放污染物的建設(shè)項(xiàng)目；(六)本不涉及《江蘇省太湖水污染防治條第四十三條規(guī)定：太湖流域一、二、三級(jí)保護(hù)區(qū)禁止下列行為：(一)新建、改建、擴(kuò)建化學(xué)制漿造紙、制革、釀造、理等環(huán)境基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目和第四十六條規(guī)定用品；(三)向水體排放或者傾倒油類、渣廢液、含病原體污水、工業(yè)廢渣以及其山采石，或者進(jìn)行破壞林木、植被、水生行為。門的危廢倉(cāng)庫(kù)和一般由上表可知，本項(xiàng)目建設(shè)與《太湖流域管理?xiàng)l例》、《江蘇省太湖水9機(jī)物污染控制(1)所有產(chǎn)生有機(jī)廢氣污染的企業(yè)，應(yīng)優(yōu)先采用環(huán)保型原輔產(chǎn)單元或設(shè)施進(jìn)行密閉，從源頭物排放。(2)鼓勵(lì)對(duì)排放的VOCs回收利用，并優(yōu)先在生產(chǎn)系統(tǒng)內(nèi)小，對(duì)環(huán)境影響可忽略不法有機(jī)物排放總量指標(biāo)的不足部分，可以依照有關(guān)規(guī)定通過(guò)排污小，對(duì)環(huán)境影響可忽略不營(yíng)者應(yīng)當(dāng)履行防治揮發(fā)性有機(jī)物發(fā)性有機(jī)物污染控制技術(shù)，規(guī)范確保揮發(fā)性有機(jī)物的排放符合相小，對(duì)環(huán)境影響可忽略不行揮發(fā)性有機(jī)物回收或者凈化設(shè)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢氣應(yīng)當(dāng)收集和處當(dāng)密閉儲(chǔ)存、運(yùn)輸、裝卸，禁止敞口和露天放置。無(wú)法在密閉空間進(jìn)行的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)應(yīng)當(dāng)采取小，對(duì)環(huán)境影響可忽略不由上表可知：本項(xiàng)目建設(shè)與揮發(fā)性有機(jī)污染防治相關(guān)文件的相關(guān)要求控區(qū)國(guó)土空間管控細(xì)則(試行)的通知》(錫政規(guī)[2023]7號(hào))的相符性分根據(jù)蘇政發(fā)[2021]20號(hào)文和蘇政規(guī)[2023]7號(hào)文區(qū)是指大運(yùn)河無(wú)錫段主河道兩岸各2千米的范圍。核心監(jiān)控區(qū)(除大運(yùn)河無(wú)錫段主河道外)劃分建成區(qū)、濱河生態(tài)空間與核心監(jiān)控區(qū)域。建成區(qū)是指核心監(jiān)控區(qū)內(nèi)，城鎮(zhèn)開發(fā)邊界以邊界以外的村莊建成區(qū)。濱河生態(tài)空間是指核心監(jiān)控區(qū)(城市、建制鎮(zhèn))外，大運(yùn)河無(wú)錫段主河道兩岸各1千米的范圍。核心監(jiān)控區(qū)其他區(qū)域是指核心監(jiān)控區(qū)內(nèi)除建成區(qū)、濱河生態(tài)項(xiàng)目距離東北側(cè)的京杭大運(yùn)河1.2km,在建成區(qū)內(nèi)，屬于核心監(jiān)控區(qū)內(nèi)的建成區(qū)。本項(xiàng)目與蘇政發(fā)[2021]20文和蘇政規(guī)[2023]7號(hào)文相符性分析如發(fā)大運(yùn)河江蘇段核心監(jiān)控區(qū)國(guó)土空間管控暫行辦發(fā)[2021]20號(hào))在地屬于生產(chǎn)新建廠房進(jìn)行子器件制造和M7320工程和目不涉及老城區(qū)傳統(tǒng)風(fēng)貌和護(hù)區(qū)。(一)老城區(qū)傳統(tǒng)風(fēng)貌指世界文化遺產(chǎn)中住房城鄉(xiāng)建設(shè)等相關(guān)主管部門意見。內(nèi)容生產(chǎn)工藝、裝備、原四替代的污染治理設(shè)施替代傳統(tǒng)工藝、普通裝備、高揮發(fā)性原料、落后的污染治理設(shè)施進(jìn)設(shè)備，工藝先進(jìn)。從場(chǎng)址選取、廠區(qū)布局、廠房設(shè)計(jì)、設(shè)備選型等方面充分考慮環(huán)境保護(hù)的需收集、環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)防范等問(wèn)題。生產(chǎn)工藝選用的各種涂料、廠房建筑用總量控制、碳達(dá)峰碳中和目標(biāo)、生態(tài)環(huán)準(zhǔn)入條件。項(xiàng)目。程中中收強(qiáng)化項(xiàng)目的節(jié)水設(shè)計(jì)，提高項(xiàng)目中水回水平以上。強(qiáng)化生產(chǎn)過(guò)程中的物料回收利用，鼓勵(lì)有條件的揮發(fā)性有機(jī)物排放企業(yè)(如印等技術(shù)實(shí)現(xiàn)物料回用強(qiáng)化固體廢物源頭減量和綜合利用，配同樣的設(shè)計(jì)水平和環(huán)保要求，提升回收效率，需外送利用處置固體廢物和危險(xiǎn)單位。治污設(shè)施提高高效率項(xiàng)目審批階段必須征求水、氣、固體等是否已達(dá)到目前上級(jí)要求的最先進(jìn)水用可行性技術(shù)，提高治污設(shè)施的標(biāo)準(zhǔn)和要求，對(duì)于未采用污染防治可行技術(shù)的項(xiàng)目不予受理；鼓勵(lì)采用具備應(yīng)用案例治理方案》的要求，對(duì)揮發(fā)性有機(jī)物要有效收集、提高效率，鼓勵(lì)采用吸附、吸收、生物凈化、催化燃燒、蓄熱燃燒等多種治理技術(shù)聯(lián)合應(yīng)用的工藝路線；組織排放控制標(biāo)準(zhǔn)》的相關(guān)要求。對(duì)于物的廢氣進(jìn)行全收集和治理。對(duì)涉水、天然氣鍋爐必須采用低氮燃燒技術(shù)，工本項(xiàng)目不涉及鍋爐、工業(yè)爐由上表可知，本項(xiàng)目符合《關(guān)于在環(huán)評(píng)審批階段開展“源頭管控行動(dòng)”的工作意見》文件要求。7、與《關(guān)于印發(fā)<江蘇省地表水氟化物污染治理工作方案(2023-2025年)>的通知》(蘇污防攻堅(jiān)指辦[2023]2號(hào))的相符性內(nèi)容污分流、清污分流”,鼓勵(lì)企業(yè)采用“一企一管，明管(專管)輸送”的收水分類收集、分質(zhì)處理。新建企業(yè)含氟廢水不得接入城鎮(zhèn)污水處理設(shè)施，現(xiàn)有企業(yè)已接管城鎮(zhèn)污水集中收集處理設(shè)施的須組織排查評(píng)估，認(rèn)定不能接入的限期退出，認(rèn)定可以接入的須經(jīng)預(yù)處理達(dá)標(biāo)后方可接入由上表可知，本項(xiàng)目符合《關(guān)于印發(fā)<江蘇省地表水氟化物污染治理工作方案(2023-2025年)>的通知》文件要求。本項(xiàng)目是否清潔原檢測(cè)項(xiàng)目碳酸鈣氧烷揮發(fā)性有機(jī)化合物限量》本體型硅類≤原樣配比)是是本項(xiàng)目使用的為密封膠，結(jié)合本項(xiàng)目使用工況，VOC含量為6g/kg,符合《膠粘劑揮發(fā)性有機(jī)化合物限量》(GB33372-2020)要求中的本體型膠粘劑中其他(VOC含量≤100g/kg)。因此，本項(xiàng)目使用的密封膠屬于低VOCs原輔料。綜上所述，建設(shè)項(xiàng)目符合國(guó)家、地方產(chǎn)業(yè)政策，項(xiàng)目選址符合區(qū)域總體規(guī)劃，并能夠滿足生態(tài)保護(hù)紅線、環(huán)境質(zhì)量底線以及資源利用上限的要求。二、建設(shè)項(xiàng)目工程分析建設(shè)內(nèi)容無(wú)錫英菲感知技術(shù)有限公司成立于2016年，位于無(wú)錫市新吳區(qū)華秀路66號(hào)，自建芯片研發(fā)廠房，主要致力于集成化、低功耗、低成本和高性能傳感器及其應(yīng)用的研發(fā)，核心團(tuán)隊(duì)成員在非制冷紅外焦平面芯片及MEMS之一，可廣泛應(yīng)用于體感溫度實(shí)時(shí)成像檢測(cè)、行人識(shí)別與交通流量控制、公司現(xiàn)有一期“無(wú)錫英菲感知技術(shù)有限公司新一代高端半導(dǎo)體芯片研發(fā)項(xiàng)目(一期)”已獲得環(huán)評(píng)批復(fù)且通過(guò)環(huán)?！叭瑫r(shí)”竣工驗(yàn)收。現(xiàn)全廠主要從事化合物半導(dǎo)體芯片和MEMS傳感器的研發(fā)，年研發(fā)化合物半導(dǎo)體芯片6000片、MSMS傳感器15000片。本項(xiàng)目擬投資14000萬(wàn)元，在現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)利用公司自有存量土地，新建芯片廠房2、研發(fā)樓、甲類倉(cāng)庫(kù)、門衛(wèi)房、非機(jī)動(dòng)車棚、地下車庫(kù)、地下消防事故池和連廊等建筑，共計(jì)占地面積約7530.33平方米，建筑面積約44131.69平方米。并建設(shè)紅外機(jī)芯模組研發(fā)及生產(chǎn)線，該模組主要用于智慧安防、自動(dòng)駕駛夜視等民用領(lǐng)域。擴(kuò)建項(xiàng)目設(shè)計(jì)能力為年研發(fā)紅外機(jī)芯模組2000件，年生產(chǎn)紅外機(jī)芯模組28000件。本項(xiàng)目建成后，全廠設(shè)計(jì)能力為：年研發(fā)紅外機(jī)芯模組2000件、化合物半導(dǎo)體芯片6000片、MSMS傳感器15000片；年產(chǎn)紅外機(jī)芯模組28000件。該項(xiàng)目已于2024年4月26日獲得新吳區(qū)行政審批局的立項(xiàng)備案意項(xiàng)目代碼：2210-320214-89-01-373766。根據(jù)《中華人民共和國(guó)環(huán)境保護(hù)法》和《中價(jià)法》中的有關(guān)規(guī)定，項(xiàng)目需開展環(huán)境影響評(píng)價(jià)工作。對(duì)照《建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響評(píng)價(jià)分類管理名錄(2021年版)》,本項(xiàng)目紅外機(jī)芯模組研發(fā)類別屬于“四十五、研究和試驗(yàn)發(fā)展"中“98專業(yè)實(shí)驗(yàn)室、研發(fā)(試驗(yàn))基地15——其他(不產(chǎn)生實(shí)驗(yàn)廢氣、廢水、危險(xiǎn)廢物的除外)告表。因此，建設(shè)單位委托環(huán)評(píng)單位編制該項(xiàng)目的環(huán)境影響報(bào)告表。環(huán)評(píng)單位以環(huán)評(píng)導(dǎo)則和相關(guān)法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)為編制依據(jù)，編制了本項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表。本項(xiàng)目所涉及的安全、消防、衛(wèi)生等問(wèn)題不屬于本評(píng)價(jià)的范圍，請(qǐng)公勞動(dòng)定員：原有項(xiàng)目員工200人，本項(xiàng)目新增員工800人，共1000工作制度：原有項(xiàng)目全廠年生產(chǎn)天數(shù)300天，8小時(shí)單班制，本項(xiàng)目本項(xiàng)目設(shè)有食堂供應(yīng)員工用餐，不設(shè)浴室、宿舍等生活設(shè)全廠主體工程及產(chǎn)品方案見表2-1,建設(shè)規(guī)模見表2-2。原項(xiàng)目主要從事化合物半導(dǎo)體芯片和MSMS傳感器的研發(fā)，本項(xiàng)目主要從事紅外機(jī)芯模組的研發(fā)及生產(chǎn)。工程名稱(車間、時(shí)數(shù)(h)生產(chǎn)車間紅外機(jī)芯模組028000件/年年研發(fā)車間紅外機(jī)芯模組02000件/年2000件/年化合物半導(dǎo)體芯片015000片/年15000片/年0類別設(shè)計(jì)能力酸堿倉(cāng)庫(kù)不變有機(jī)溶劑倉(cāng)庫(kù)不變特氣分配間不變甲類倉(cāng)庫(kù)0///公用給水自來(lái)水管網(wǎng)純水不變排生活污水16水0水經(jīng)化糞池/隔油水經(jīng)污水處理站水處理廠不變0不變不變一般清洗廢水不變不變不變空調(diào)廢水0供電+400萬(wàn)/不變/廢氣有機(jī)廢氣炭吸附裝置不變處理有機(jī)廢氣含氟廢氣附干式尾置不變處理含氟廢氣酸性廢氣二級(jí)堿液噴淋洗滌塔不變處理酸性廢氣油煙廢氣油煙凈化/新增處理食堂油煙廢氣廢水不變處理含氟清洗廢水、劃片廢水酸堿中和不變處理含氟清洗廢卻廢水、制純廢噪聲高噪聲設(shè)備(風(fēng)機(jī)、空壓機(jī)等)隔聲罩、消聲器等設(shè)施不變/優(yōu)化布局優(yōu)化布局不變/固廢一般固廢堆場(chǎng)不變危險(xiǎn)廢物倉(cāng)庫(kù)危廢倉(cāng)庫(kù)危廢倉(cāng)庫(kù)險(xiǎn)廢棄物危廢倉(cāng)庫(kù)危廢倉(cāng)庫(kù)原輔材料的消耗見表2-3,設(shè)備清單見表2-4。表2-3主要原輔材料消耗一覽表序號(hào)1電子元器件萬(wàn)個(gè)0/20/30/增原4鏡頭0/502/6密封膠0碳酸鈣45%~52%、聚二甲76/8英寸硅片盒0硅片器82寸晶圓片盒0導(dǎo)體芯片94/6寸晶圓片盒0硅片塊0蒸發(fā)料(Ti)g0蒸發(fā)料(Pt)g0蒸發(fā)料(Au)g0蒸發(fā)料(Al)g0高純Al源個(gè)110高純As源個(gè)110高純Ga源個(gè)110高純Sb源個(gè)110高純In源個(gè)110高純Be源個(gè)110高純Si源個(gè)110高純TeGa源個(gè)110三甲基鋁0三甲基鋁釔L0釔甲醇L0玻璃瓶(5L,純度：99%)/乙醇L0/100%異丙醇0100%異丙醇/丙酮0丙酮/I線光刻膠0丙二醇單甲醚乙酸脂涂膠DUV光刻膠0面活性劑0.1%110含0.95%氟和1.25%氪的氖氣曝光顯影劑0四甲基氫氧化銨25%、水顯影0聚酰亞胺旋涂0040%NH?F=1:6(體積比)0(體積比)0氫氧化鉀0L5500類EKC清洗液01-甲基-2-丙醇50-100%、蝕刻后殘留物去除液0氨氣220沉積0笑氣000四氟化碳7700330氦氣220氧氣000氯氣0氯化硼220氬氣110220溴化氫0八氟環(huán)丁烷00甲烷220氫氣110高純氮L550/噸0/098.3%硫酸L0玻璃瓶(濃度：95%)L0玻璃瓶(L純度99%)L0L550L0研磨L0呋喃環(huán)氧20%、環(huán)氧樹脂甲酸L0甲酸0/0/0/陶瓷片片0L00金絲0銦330銦片堿0公用0聚合氯化鋁食品級(jí)次氯酸鈉0離子膜液堿00無(wú)磷環(huán)保型前處理絮凝劑0/前處理還原劑0/無(wú)機(jī)消泡劑L0/乙醇(擦拭用)660/丙酮(擦拭用)660/理化性質(zhì)密封膠>100℃,相對(duì)密度(水=1)為1.39,/LDso大鼠>內(nèi)容數(shù)量(臺(tái)/套)02/前置標(biāo)定06/0/060/0/高低溫試驗(yàn)箱03/箱0/01/黑體0//01/空壓機(jī)01原項(xiàng)目/1010區(qū)(萬(wàn)級(jí))/1010/1010/1010/1110金相顯微鏡/1010白區(qū)一(百20/1010/1010/1010/2020臺(tái)階儀1010/3030區(qū)(萬(wàn)級(jí))/1010/3030/2020/10101010黃光一區(qū)(百級(jí))10101010明場(chǎng)缺陷檢測(cè)/1010暗場(chǎng)缺陷檢測(cè)/1010/2020自動(dòng)涂膠顯影機(jī)/20201010/5150薄膜灰區(qū)(萬(wàn)級(jí))4040四探針測(cè)試設(shè)備/4040白區(qū)二(百晶圓鍵合機(jī)/4040封測(cè)一區(qū)(百級(jí))探針臺(tái)/4240/10102120回流爐/4040晶相顯微鏡2020/2120區(qū)/4040半自動(dòng)濕法腐蝕設(shè)備/3330/1110/1110白區(qū)三(百/1110烘箱/24201110黃光二區(qū)(百級(jí))11101110明場(chǎng)缺陷檢測(cè)/1010暗場(chǎng)缺陷檢測(cè)/1010/2220自動(dòng)涂膠顯影機(jī)/3330避震臺(tái)/11101110通風(fēng)工作臺(tái)/1110/1110熱板/1110/1010冰箱/1110離子束沉積臺(tái)/1010區(qū)(萬(wàn)級(jí))電子束蒸發(fā)臺(tái)/1110濺射金屬沉積/1010感應(yīng)蒸發(fā)臺(tái)(銦)/1110積/1110ICPCVD薄膜沉積/2120ICP刻蝕機(jī)/1110ICP刻蝕機(jī)(金/1110/1110ICP刻蝕機(jī)/1110ICP刻蝕機(jī)/5050/1110封測(cè)二區(qū)(千級(jí))/1110金相顯微鏡/1110貼膜機(jī)/1110/1110/3130/1010/1110晶圓減薄機(jī)/1010探針臺(tái)1010/1210自動(dòng)引線鍵合機(jī)/1110/1110/1110/1110自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)/1110共晶爐/2120排氣臺(tái)/1010分子束外延設(shè)備/2120外延區(qū)(千快速退火爐1110定制擴(kuò)散爐/1010/1110/1110/1010缺陷顯微成像掃描分析系統(tǒng)/1010本項(xiàng)目位于江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)華秀路66號(hào)，本項(xiàng)目廠房東側(cè)為北京中石偉業(yè)科技無(wú)錫有限公司，南側(cè)為空地，西側(cè)為紐豹智能識(shí)別技術(shù)(無(wú)本項(xiàng)目全廠內(nèi)劃分為芯片廠房2、研發(fā)樓、甲類倉(cāng)庫(kù)、門衛(wèi)房、非機(jī)動(dòng)車棚、地下車庫(kù)、地下消防事故池和連廊等不同的功能區(qū)域。詳見附圖5、生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)分析5.1、施工期工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)分析G1粉塵 G1粉塵 門窗制作屋面制作 管線安裝附屬工程*整及施工場(chǎng)地周圍擋挖方。施工過(guò)程中有施工污水產(chǎn)生。現(xiàn)澆鋼砼柱、梁：根據(jù)施工圖紙，首先進(jìn)行鋼筋加工主要包括調(diào)直、下料、剪切、接長(zhǎng)、彎曲等物理過(guò)程，然后進(jìn)行鋼筋的綁扎，安裝于架好模板之處?；炷链蟛糠謶?yīng)使用商品砼，少量現(xiàn)澆砼的向攪拌機(jī)料斗中依次加入砂、水泥、石子和水，裝料量為攪拌幾何容積的連續(xù)進(jìn)行灌筑，在下一層初凝前，將上一層混凝土灌下，并搗實(shí)使上下層磚墻砌筑：首先進(jìn)行水泥砂漿的調(diào)配，用水泥砂漿抄平鋼砼柱、梁的基面，利用經(jīng)緯儀、垂球和龍門板放線，并彈出縱橫墻邊線。然后在彈好線的基面上按選定的組砌方式進(jìn)行擺腳，立好匹數(shù)桿，再據(jù)此掛線砌筑。一般采用鋪灰技砌法和鏟灰擠砌法，磚墻砌筑完畢后，進(jìn)行勾縫。要污染物是加工器械產(chǎn)生的噪聲，工人的生活污水，各種廢棄的下角料等屋面制作：屋面由結(jié)構(gòu)層、防水層和保護(hù)層組成。防水、剛性防水和涂料防水三種做法，該項(xiàng)目采用柔性防水。平屋面做法是在現(xiàn)澆制板上刷一道結(jié)合水泥漿，851隔氣層一道，用水泥珍珠巖建隔熱層，再抹20~30毫米厚、內(nèi)摻5%防水劑的水泥砂漿，表面罩一層1:6:8防水水泥漿(防水劑：水：水泥)瓦屋面做法是在現(xiàn)澆制板上刷一道結(jié)合水泥漿，抄平，粉掛瓦條和水主要污染物是攪拌機(jī)的噪聲、拌制砂漿水和人工的生活污水，碎磚瓦、抹灰、貼面：抹灰先外墻后內(nèi)墻。外墻由上而下，漿。主要污染物是攪拌機(jī)的噪聲、拌制砂漿時(shí)的砂漿水，廢砂漿和廢棄的油漆施工：該項(xiàng)目?jī)H對(duì)外露的鐵件進(jìn)行油漆施工，先刷兩遍調(diào)和漆。因需進(jìn)行油漆作業(yè)的工件很少，油漆使用量較少，施工期短，揮發(fā)的有機(jī)廢氣量小，且呈無(wú)組織面源排放模式，對(duì)周圍環(huán)境的影響下水道等施工，主要污染物是施工機(jī)械的噪聲、揚(yáng)塵、拌制砂漿時(shí)的砂漿產(chǎn)生點(diǎn)廢氣間斷工機(jī)械連續(xù)類間斷于施工，其余接管新城水處理廠生活污水間斷廠噪聲噪聲連續(xù)設(shè)置隔音屏障、距離衰減噪聲連續(xù)固廢施工建筑垃圾間斷生活垃圾間斷由環(huán)衛(wèi)部門統(tǒng)一清運(yùn)處理紅外機(jī)芯模組的研發(fā)和生產(chǎn)是相互依賴的過(guò)程。研發(fā)階段需要考慮客戶市場(chǎng)需求、技術(shù)可行性以及成本效益，而生產(chǎn)階段則需要將研發(fā)成果轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)品，同時(shí)保證產(chǎn)品的質(zhì)量和成本控制現(xiàn)在技術(shù)突破推動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新，進(jìn)而影響生產(chǎn)流程本項(xiàng)目在生產(chǎn)的同時(shí)開展研發(fā)測(cè)試活動(dòng)，由于本項(xiàng)目研發(fā)、生產(chǎn)工藝一致，生產(chǎn)設(shè)備也能同時(shí)滿足研發(fā)和生產(chǎn)的需求。因此本報(bào)告研發(fā)過(guò)程產(chǎn)排污環(huán)節(jié)與生產(chǎn)過(guò)程一并分析。電子元器、金屬結(jié)構(gòu)電子元器、金屬結(jié)構(gòu)件、PCB/PCBA、鏡頭密封膠組裝圖像測(cè)試功能測(cè)試高低溫測(cè)試畫質(zhì)測(cè)試外觀測(cè)試入庫(kù)G1有機(jī)廢氣S3不合格品S4不合格品S5不合格品S6不合格品S7不合格品S8不合格品Si不合格品S2廢線路板冷卻水冷卻水質(zhì)檢查，此工序產(chǎn)生不合格品Si、廢線路板S?。言)編寫程序代碼寫入集成電路中。程序代碼為二進(jìn)制、十六進(jìn)制或其他格式，具體取決于客戶所需場(chǎng)景類型和要求，在燒錄過(guò)程中，燒錄工具與芯片連接，通過(guò)特定的接口(如JTAG或SWD接口)將程序代碼傳輸?shù)叫酒?。封膠進(jìn)行組裝，此工序產(chǎn)生有機(jī)廢氣G?。頭焦距/像元間距)查表選靶，通過(guò)設(shè)置靶與背景的溫差來(lái)觀察靶的成像，成像剛好模糊所對(duì)應(yīng)的正負(fù)兩個(gè)溫差的絕對(duì)值平均即MRTD,典型值為300mK。此工序產(chǎn)生不合格品S3。環(huán)境測(cè)試：將產(chǎn)品置于不同溫度環(huán)境下進(jìn)行產(chǎn)品耐溫測(cè)試，主要目的在于當(dāng)機(jī)芯處于不同環(huán)境溫度中時(shí)，需要使機(jī)芯看溫度與場(chǎng)景溫度)。此時(shí)重點(diǎn)關(guān)注探測(cè)器均值，即所有像素點(diǎn)灰度的平均值。若探測(cè)器是14bit輸出，則均值上限為16383。在室溫下做0OC矯正，若0OC目標(biāo)值是7000,探測(cè)器響應(yīng)率為70K-1,則此時(shí)探測(cè)器可探測(cè)的場(chǎng)景溫度范圍大約在-80℃到150℃。此工序產(chǎn)生不合格品S4。成像的質(zhì)量。測(cè)試中機(jī)芯保持工作狀態(tài)，著重觀察圖像是否有橫紋波動(dòng)、能測(cè)試，主要目的在于測(cè)試紅外機(jī)芯在極端溫度環(huán)境下的電路、程序、結(jié)構(gòu)性能以及功耗。電路不分主要考量芯片和電路設(shè)計(jì)在極端溫程序部分主要考量機(jī)芯功能(如快門矯正)是否正常，結(jié)構(gòu)部分主要基于不同組件膨脹系數(shù)差異、鏡頭無(wú)熱化設(shè)計(jì)質(zhì)量的考量，功耗用于計(jì)算電路電流(電壓恒定),從而通過(guò)電路和芯片額定電流指導(dǎo)機(jī)芯設(shè)計(jì)優(yōu)化。此畫質(zhì)檢驗(yàn)：對(duì)最終產(chǎn)品的成像效果進(jìn)行檢查。觀察功耗、探測(cè)器均值、類別產(chǎn)生點(diǎn)去向廢氣組裝有機(jī)廢氣冷卻廢水空調(diào)空調(diào)廢水員工生活生活污水固廢不合格品相關(guān)單位回收利用噪聲/生產(chǎn)設(shè)備距離衰減、廠房隔聲生活用水：本項(xiàng)目營(yíng)運(yùn)期用水主要為員工生活用水，根用水量約12000t/a,損耗按15%計(jì)，產(chǎn)生生活污水102標(biāo)準(zhǔn)》(GB50015-2019)表3.1.10中“快餐店、職工及學(xué)生食堂”用水系堂用水量約7500t/a,損耗按15%計(jì)，產(chǎn)生食堂污水6375t/a。時(shí)間為2400h/a,則循環(huán)水量為576000t/a。補(bǔ)充水量按照2%計(jì)，則冷卻塔補(bǔ)充水量為11520t/a,主要為定期排水和蒸發(fā)損耗水的補(bǔ)充，比例約為1:5,則冷卻塔排放量為1920t/a,冷卻系統(tǒng)重不添加阻垢劑等物質(zhì)，冷卻廢水不含氮磷等污染物，接入污水管網(wǎng)。本項(xiàng)目使用水冷式空調(diào)，經(jīng)過(guò)室內(nèi)的風(fēng)機(jī)盤管將水循環(huán)使用達(dá)到冷卻目的，水冷式空調(diào)冷卻循環(huán)流量為126t/h,共有18臺(tái)水冷式空2721600t/a。補(bǔ)充水量按2%計(jì)，則水空調(diào)補(bǔ)充水量為54432t/a,主要為定9072t/a,水冷式空調(diào)循環(huán)系統(tǒng)中不添加阻垢劑等物質(zhì)，空調(diào)水冷廢水不含氮、磷等污染物，可直接接入污水管網(wǎng)。損耗1125損耗1125自來(lái)水污水處理廠 隔油池 空調(diào)用水9072 圖2-3本項(xiàng)目水量平衡圖單位：t/a本項(xiàng)目建成后全廠水量平衡圖：新鮮用水純水純水制備損耗45360空調(diào)用水[循化量2721600損耗9600循環(huán)冷卻水循化量576000損耗1125食堂用水6375隔油池6375損耗2250接管太湖生活用水12750→化糞池1275030117新城污水處理廠損耗13260酸堿中和冷卻塔用水2340酸堿中和用設(shè)施循化量156000005082.4中水回用設(shè)施制純廢水1056一般清洗廢763一般清洗水763物化處理物化處理648劃片清洗648162刻蝕后清洗(HF槽)含氟清洗廢水162L堿性清洗廢113.4刻蝕后清洗(KOH槽)水113.4550.8刻蝕后清洗(其他)550.8清洗廢液72預(yù)清洗7280光刻后清洗80929.6收集桶1480.4633.6去膠后清洗633.672研磨后清洗72損耗204噴淋塔用水36委托有資質(zhì)循化量12000綠化用水1413揮發(fā)或進(jìn)入土壤與項(xiàng)目有關(guān)的原有環(huán)境污染問(wèn)題無(wú)錫英菲感知技術(shù)有限公司成立于2016年，位于無(wú)錫市新吳區(qū)華進(jìn)行化合物半導(dǎo)體芯片和MSMS傳感器的研發(fā)，年研發(fā)化合物半導(dǎo)體芯片6000片、MSMS傳感器15000片。公司現(xiàn)有項(xiàng)目環(huán)評(píng)及驗(yàn)收情況見表2-8?！叭瑫r(shí)”竣工驗(yàn)收審批部門驗(yàn)收時(shí)間驗(yàn)收部門新一代高端半導(dǎo)體芯片表無(wú)錫市行政審批局體芯片及7500片自主驗(yàn)收體芯片及7500片/建設(shè)中公司已于2021年7月26日首次申請(qǐng)取得簡(jiǎn)化管理排污許可證，證書編號(hào)：91320214MA1MQKN609001U。有效期限：2021.7.26~2026.7.25?，F(xiàn)有項(xiàng)目主要從事化合物半導(dǎo)體芯片和MSMS傳感器的研發(fā)，不涉及具體的生(1)MSMS傳感器研發(fā)工藝流程圖6、8英寸晶圓芯片預(yù)清洗預(yù)清洗多次循環(huán)沉積掩膜P膠→P膠→劑濺射金屬1濺射金屬1酸法刻蝕酸法刻蝕堿法刻蝕干法刻蝕△純水研磨后清洗→L?-13清洗廢液(接下頁(yè))(接上頁(yè))沉積掩膜旋涂濺射金屬1HF/BOE/AI腐蝕液、酸法刻蝕干法刻蝕干法刻蝕濕法去膠濕法去膠乙醇、純水清洗烘干(接下頁(yè)封裝測(cè)試工藝)(接上頁(yè))(接上頁(yè))點(diǎn)膠點(diǎn)膠金線回流焊圖例G——代表廢氣G1-10錫及其化合物S——代表固廢有機(jī)廢氣W——代表廢水S1-4廢芯片△——電加熱有機(jī)廢氣 注：所有濕法工藝后均有N?吹干?，F(xiàn)有項(xiàng)目使用的MEMS工藝類似于集成電路芯片中的CMOS工藝，主要種類有四類，即：1)薄膜的生長(zhǎng)，如金屬薄膜(Ti等),介質(zhì)薄膜(SiO?,SiNx)和有機(jī)薄膜(Ployimide);2)光刻，包括光刻膠的涂布、曝光以及顯影；3)薄膜最后一道循環(huán)工藝與前道多次循環(huán)工藝的區(qū)別在于：①多次循環(huán)工藝中剝離工序使用NMP去除Pt、Au等金屬層，最后一道循環(huán)不需要去除金屬層，使用丙酮、類EKC清洗液或干法去除光刻膠；②研磨屬于循環(huán)工藝中需先對(duì)晶圓芯片進(jìn)行預(yù)清洗，清洗方式是將芯片在操作臺(tái)內(nèi)依次放入丙酮、乙醇、熱)。該工序產(chǎn)生有機(jī)廢氣和廢有機(jī)溶劑。純水由純水制備設(shè)備提供。沉積掩膜：化學(xué)氣相沉積(CVD)是通過(guò)氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在硅晶圓片表面淀積一層固態(tài)薄膜材料的工藝?；瘜W(xué)氣相沉積是以適當(dāng)?shù)牧魉賹⒑袠?gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸汽引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在襯底表面淀積薄膜的過(guò)程。本項(xiàng)目化學(xué)氣相沉積相關(guān)工序簡(jiǎn)介見下表。本項(xiàng)目MEMS工藝采用CVD工藝的制程主要有二氧化硅(SiO?)層、氮化硅(Si?N?)層。二氧化硅(SiO?)沉積：采用CVD工藝，在硅基板上沉積反應(yīng)生成二氧化硅(SiO?)薄膜，通入的物料包括SiH?、N?O。典型化學(xué)反應(yīng)式為：SiH?+2N?O→SiO?+2N?個(gè)+2H?個(gè)氮化硅(Si?N?)沉積：采用CVD工藝，在硅基板上沉積反應(yīng)生成氮化硅(Si?N?)薄膜。通入的物料包括SiH?、NH?。主要化學(xué)反應(yīng)式為：該工序產(chǎn)生的廢氣主要為未參與反應(yīng)的N?O(以氮氧化物計(jì))、NH?。由于氮化硅(Si?N?)沉積較少使用，該工序使用SiH?、NH?作為沉積劑。旋涂：將一定量的有機(jī)材料如PI膠滴在晶圓表面，然后晶圓以一定的轉(zhuǎn)速高速旋轉(zhuǎn)，通過(guò)烘烤后，形成一定厚度的有機(jī)薄膜。旋涂過(guò)程中主要設(shè)備為勻膠機(jī)，旋涂法包括：配料，高速旋轉(zhuǎn)，揮發(fā)成膜三個(gè)步驟，通過(guò)控制勻膠的時(shí)間，轉(zhuǎn)速，滴液量以及所用溶液的濃度、粘度來(lái)控制成膜的厚度。該工序PI膠中未聚合的單體有機(jī)物產(chǎn)生有機(jī)廢氣。光刻：光刻包括涂膠、烘焙、曝光、顯影等。涂膠是在基片表面通過(guò)高速轉(zhuǎn)均勻涂上光刻膠的過(guò)程；烘焙是涂膠后烘干，以使光刻膠附著在晶圓片表面，形成固態(tài)薄膜，光刻膠是在90℃溫度下烘干，光刻膠中的有機(jī)溶劑部分揮發(fā)成有機(jī)廢氣；曝光是使用光刻機(jī)，并透過(guò)光掩膜版對(duì)涂膠的基片進(jìn)行光照，使部分光刻膠得到光照，另外部分光刻膠得不到光照，從而改變光刻膠性質(zhì)；顯影是對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行去除，由于光照后的光刻膠和未被光照的光刻膠將分別溶于顯影液和不溶于顯影液，這樣就使光刻膠上形成了溝槽。基片基片涂膠后基片涂膠后基片曝光后基片曝光后基片顯影后基片該工序光刻膠中的可揮發(fā)成分全部揮發(fā)，產(chǎn)生有機(jī)廢氣。曝光過(guò)程使用的F?KrNe為含0.95%氟和1.25%氪的氖氣，用量?jī)H1kg/a濺射金屬1:又稱物理氣相沉積(PVD),該過(guò)程為物理變化生長(zhǎng)系統(tǒng)中，在一定的真空下，且通入Ar氣體的條件下，在高壓電場(chǎng)的作用下，真空腔室內(nèi)的氬氣經(jīng)過(guò)輝光放電后產(chǎn)生高密度的Ar離子，并在電場(chǎng)的作用下加最后轟擊靶材(如Ti靶),把靶材的原子濺射出來(lái)，濺射出來(lái)的金屬原子最后沉積在晶圓上，形成需要的薄膜。金屬99%以上都會(huì)淀積到晶圓表面形成金屬薄根據(jù)產(chǎn)品需要，分別選用Ti靶材、Al靶材、Pt靶材、Au靶材進(jìn)行真空金屬濺該工序產(chǎn)生廢靶材。集成電路工藝中應(yīng)用的刻蝕技術(shù)主要包括液態(tài)的濕法刻蝕和氣態(tài)的干法刻蝕兩大類。濕法刻蝕和干法刻蝕示意圖見下圖。固體固體Gases能量(電漿)(Ion,RadicaD(Ion,RadicaD離子，原子氣體(揮發(fā)性化合物)角度蝕刻濕法刻蝕：通過(guò)特定的溶液與需要刻蝕的薄膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)除覆蓋區(qū)域的薄膜，稱為濕法刻蝕。本項(xiàng)目MEMS芯片濕法刻蝕根據(jù)溶液不同又分為酸法刻蝕和堿法刻蝕。酸法刻蝕：根據(jù)薄膜材料使用不同的酸腐蝕液，二氧化硅(SiO?)層采用氫氟酸或BOE(氟化氫、氟化銨)來(lái)完成，BOE具有更穩(wěn)定的刻蝕速率，氫氟酸、BOE分別在不同清洗槽使用。其反應(yīng)方程式如下：濺射金屬過(guò)程多余的鋁采用Al腐蝕液(H?PO4:HNO?:CH?COOH:H?O=16:1:1:2(體積比)混合溶液)去除，該工序在35-60℃下進(jìn)行，硝酸、磷酸參與反應(yīng)，醋酸可以使硝酸的氧化過(guò)程變慢，以控制反應(yīng)速度。其反應(yīng)方程式如下：該工序氫氟酸、磷酸等使用過(guò)程產(chǎn)生酸霧廢氣，Al腐蝕過(guò)程產(chǎn)生二氧化氮，使用后的刻蝕液作為刻蝕廢液處置。堿法刻蝕：在堿法腐蝕槽(80℃)內(nèi)用一定濃度(25%)的氫氧化鉀溶液在一定溫度下腐蝕晶圓片中的硅材料，化學(xué)反應(yīng)方程式為：Si+H?O+2KOH=K?SiO?+KI腐蝕槽反應(yīng)過(guò)程為：2Au+I?→2Aul;Aul+KI→KAul?使用后的刻蝕液作為廢堿液處置。以上濕法刻蝕后需要用純水進(jìn)行清洗，產(chǎn)生的廢水根據(jù)水質(zhì)的不同采用不同的處理方式，具體清洗過(guò)程及廢水去向見下表。HF槽→純水清洗→N?吹干→純水清洗BOE槽→純水清洗→N?吹干→純水清洗Al腐蝕槽→純水清洗→N?吹干→純水清洗Al腐蝕槽→純水清洗→N?吹干→純水清洗KI槽→純水清洗→N?吹干→純水清洗置干法刻蝕：干法刻蝕是指利用等離子體激活的化學(xué)反應(yīng)或者利用高能離子束轟擊完成去除物質(zhì)的方法。由于在刻蝕中不使用液體，故稱為干法刻蝕。是在等離子氣氛中選擇性腐蝕基材的過(guò)程，刻蝕氣氛通常含有F等離子體或碳等離子體，因此刻蝕氣體通常使用CF?這一類的氣體。具體工藝原理是：在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF?等母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體(成),反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)。活性反應(yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場(chǎng)作用下達(dá)到SiO?表面，在那里與被蝕刻材料表面發(fā)生物理化學(xué)反應(yīng)，并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被蝕刻物多晶硅(Si)干法采用HBr、SF?、Cl?、CF?的混合氣體產(chǎn)生等離硅層發(fā)生反應(yīng)，從而將多晶硅刻蝕掉。主要方程式如二氧化硅(SiO?)干采用CFf、CHFSCC:Fcs、CHFC、Cfi、GFoSCo?、H?的混合氣體產(chǎn)生等以CF?為例主要化學(xué)反應(yīng)式為：氮化硅(Si?N?)干法采用CFCFCFsCHC、CHFs、CHbF?、SF6、He、O?的混合氣體產(chǎn)生等離子體與待刻蝕氮化硅層發(fā)生反應(yīng)。主要化學(xué)反應(yīng)式為：化鋁將阻礙刻蝕的正常進(jìn)行，故金屬鋁刻蝕分為兩步：(1)去除自然氧化層：向腔體中通入BCl?,BCl?可將自然氧化層還原，應(yīng)腔中的O?和H?O,從而降低氧化鋁的生成速度。其反應(yīng)方程如下：發(fā)生反應(yīng)，從而達(dá)到對(duì)金屬鋁進(jìn)行刻蝕的目的。該工序采用了C?F?、HBr、CF?、SF?、CHF?、O?、CO?和BCl?等一些特殊摻雜氣體，并且蝕刻裝置采用全封閉操作，產(chǎn)生的各類廢氣經(jīng)排風(fēng)管道統(tǒng)一收集。為濕法去膠和干法去膠。本項(xiàng)目去膠工段采用濕法/干法去膠搭配的方式進(jìn)濕法去膠：是用有機(jī)溶劑清除晶圓片上多余的光刻膠及粒物和有機(jī)物。該方法在有機(jī)濕臺(tái)中實(shí)現(xiàn)，將晶圓置于有別經(jīng)過(guò)類EKC清洗液(光刻膠去除劑)(清洗槽溫度約55℃)、ACE(丙酮)(清洗槽溫度約為42℃)、IPA(異丙醇)(常溫)、以及DIW(去離子水)(常溫),最后經(jīng)過(guò)在甩干機(jī)中完成干燥。該工序產(chǎn)生有機(jī)廢氣和廢有機(jī)溶干法去膠：則是用等離子體將光刻膠剝除。如光刻膠通化學(xué)反應(yīng)，生成氣態(tài)的CO、CO?和H?O。械和化學(xué)的共同作用，去除多余的薄膜，實(shí)現(xiàn)晶片表面的全局平坦化?；瘜W(xué)機(jī)械研磨過(guò)程主要由研磨機(jī)、研磨墊、研磨液組成。一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)如下圖所示：晶圓片研磨機(jī)由研磨頭、研磨墊以及和各種控制檢測(cè)系統(tǒng)組成。CMP工藝的是將待研磨的晶片背面通過(guò)親水張力或者真空吸附固定在一個(gè)以角速度w研磨頭上，在一定的下壓力及研磨液的存在下，它的表面被壓在一個(gè)粘有墊以角速度op旋轉(zhuǎn)的平臺(tái)上做相對(duì)運(yùn)動(dòng)。研磨液通過(guò)多孔性拋光墊傳到晶的化學(xué)成分與硅晶片產(chǎn)生化學(xué)作用，將不溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化成易溶物質(zhì)(化學(xué)反應(yīng)然后通過(guò)磨粒的機(jī)械摩擦將這些易溶物質(zhì)從晶片表面去除，研磨液被帶走程),這使被研磨表面重新裸露，化學(xué)與機(jī)械作用相互配合，使反應(yīng)繼續(xù)c旋轉(zhuǎn)的彈性研磨片上，它過(guò)程),(機(jī)械過(guò)下去，只有在化學(xué)作用與機(jī)械作用達(dá)到一個(gè)很精細(xì)的平衡時(shí)，才能實(shí)現(xiàn)表面低損傷高平整。CMP研磨結(jié)束后，采用純水超聲波清洗干凈。研磨液成分包括二氧化硅、有機(jī)堿、水。該工序產(chǎn)生研磨廢液，后續(xù)清洗產(chǎn)生清洗廢液。裝前，需進(jìn)行劃片，采用的金剛石刀片切割，形成磁傳感精度劃片，該過(guò)程中有微量硅粉產(chǎn)生，同時(shí)切割過(guò)程中刀口溫度較高對(duì)切口產(chǎn)生一定影響，為有效的保護(hù)工件切口，同時(shí)消除跡道，需使用純水進(jìn)行冷卻，用純水直接沖洗，因此，在劃片過(guò)程有廢水產(chǎn)生。封裝測(cè)試：首先經(jīng)劃片后的基片需進(jìn)行性能中測(cè)，合格的基片方能中測(cè)的不合格率約為1%。另外購(gòu)材料(不銹鋼材料、Kova材料、鈦合金材料以及陶瓷片)先經(jīng)超聲波清洗(清洗液為甲醇、丙酮、乙醇)后，再與合格的基片通過(guò)環(huán)氧膠、硅膠，激光焊等封裝成成品。環(huán)氧膠為雙酚A環(huán)膠為硅一氧(Si-O)鍵為主鏈的聚合物。產(chǎn)生的廢氣包括(2)化合物半導(dǎo)體芯片研發(fā)工藝流程40丙酮、異丙醇、純水2、4寸晶圓片表面清洗表面清洗沉積掩膜沉積掩膜氨水(少量)濕法去膠濕法去膠干法刻蝕干法刻蝕濕法清洗濕法清洗(續(xù)上頁(yè))Ti靶材、Pt靶材、Au靶丙酮、NMP、類EKCC清洗液純水研磨液純水G2-10有機(jī)廢氣有機(jī)溶劑L2-16清洗廢液L2-17研磨廢液L2-18清洗廢液劃片(委外)甲醇、丙酮、乙醇清洗烘干G2-11有機(jī)廢氣L2-14廢丙酮、廢乙醇、廢有機(jī)溶劑測(cè)試S2-4廢芯片硅膠、金錫焊料金線乙醇、丙酮、甲酸、環(huán)氧樹脂膠水、G2-12有機(jī)廢氣L2-19廢丙酮、廢乙醇、廢有機(jī)溶劑注：所有濕法工藝后均有N2吹干。測(cè)試→S2-5廢芯片圖例G——代表廢氣S——代表固廢W——代表廢水L——代表廢液圖2-8化合物半導(dǎo)體芯片研發(fā)工藝流程圖工藝說(shuō)明：光刻、干法刻蝕、研磨、清洗、劃片等工序與MEMS芯片相同，此處不再贅述。外延材料生長(zhǎng)：基片(2英寸，GaSbGe、GaAs、InP、GaSb、InSb)采用MBE設(shè)TeGa源)在超高真空中的熱蒸發(fā)效應(yīng)(電加熱)產(chǎn)生原子束打到基片上實(shí)現(xiàn)原材料分子級(jí)堆疊，從而得到光電材料的外延片。MBE設(shè)備每20天需用沾有雙氧水的無(wú)塵紙擦拭清洗內(nèi)腔一次。擦拭廢物由于產(chǎn)生量極少且雙氧水極易分解為水和氧氣，故擦拭廢物按一般固廢處置。設(shè)備冷卻介質(zhì)采用液氮。表面清洗：由于半導(dǎo)體生產(chǎn)污染要求非常嚴(yán)格，為防止外購(gòu)的晶圓芯片受到污染，需先對(duì)晶圓芯片進(jìn)行預(yù)清洗，清洗方式是將芯片在操作臺(tái)內(nèi)依次放入不同的清洗槽中進(jìn)行浸泡清洗(丙酮、乙醇、異丙醇、純水，浸泡3-5min),浸泡后經(jīng)烘箱烘干(電加熱)。該工序產(chǎn)生有機(jī)廢氣，廢有機(jī)溶劑經(jīng)收集后委托有資質(zhì)的單位處置。純水由純水制備設(shè)備提供。沉積掩膜：化合物芯片同MEMS芯片，工藝采用CVD工藝的制程主要有二氧化硅(SiO?)層、氮化硅(Si?N?)層?；瘜W(xué)反應(yīng)式為：光刻：光刻包括涂膠、烘焙、曝光、顯影等。工藝原理同MEMS芯片，此處不再贅述。濕法刻蝕：通過(guò)特定的溶液與需要刻蝕的薄膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)除去光刻膠未覆蓋區(qū)域的薄膜，稱為濕法刻蝕。本項(xiàng)目化合物半導(dǎo)體芯片濕法刻蝕根據(jù)溶液不同又分為酸法刻蝕和堿法刻蝕。酸法刻蝕：SiO?的濕法刻蝕采用氫氟酸或BOE(氟化氫、氟化銨)來(lái)完成，BOE具有更穩(wěn)定的刻蝕速率，氫氟酸、BOE不同時(shí)使用。其反應(yīng)方程式如下：堿法腐蝕：在堿法腐蝕槽(80℃)內(nèi)用一定濃度(25%)的氫氧化鉀溶液在一定溫度下腐蝕晶圓片中的硅材料，化學(xué)反應(yīng)方程式為：氨水一般搭配雙氧水配成腐蝕液，化學(xué)反應(yīng)方程式為：Si+2H?O?=SiO?+2H?O,SiO?+2NH?該工序產(chǎn)生的刻蝕廢液、廢堿液及后續(xù)清洗產(chǎn)生的清洗廢液均經(jīng)收集后委托有擊完成去除物質(zhì)的方法。由于在刻蝕中不使用液體，故稱為干法刻蝕。工藝原理同MEMS芯片，此處不再贅述。有資質(zhì)的單位處置。濕法去膠：是用有機(jī)溶劑清除晶圓片上多余的光刻膠及附著粒物和有機(jī)物。該方法在有機(jī)濕臺(tái)中實(shí)現(xiàn)，將晶圓置于有別經(jīng)過(guò)類EKC清洗液(光刻膠去除劑)(清洗槽溫度約55℃)、ACE(丙酮)(清洗槽溫度約為42℃)、IPA(異丙醇)(常溫)、以及DIW(去離子水)(常溫),最后經(jīng)過(guò)在甩干機(jī)中完成干燥。劃片(委外):化合物半導(dǎo)體芯片的研發(fā)該工藝委外進(jìn)行，染物。的不合格率約為1%。另外購(gòu)材料(不銹鋼材料、Kova材料、鈦合金材料以及陶瓷片)先經(jīng)超聲波清洗(清洗液為甲醇、丙酮、乙醇)后，再與合格的基片通過(guò)點(diǎn)膠、真空封裝：采用激光將不銹鋼外購(gòu)件和KOVA外購(gòu)件焊接，激光束能互聯(lián)回流：先將外購(gòu)帶有銦電極的硅片經(jīng)甲酸氣體進(jìn)行電極還原，同時(shí)依次放入不同的清洗槽中進(jìn)行浸泡清洗(乙醇、丙酮，浸泡3-5min)。最后兩者通過(guò)環(huán)氧膠用倒裝互聯(lián)機(jī)將兩器件壓合。浸泡廢液經(jīng)收集后委托有資質(zhì)的單位處置。光窗光窗芯片陶瓷襯底金屬外殼(2)現(xiàn)有項(xiàng)目水平衡圖損耗450生活用水2550化糞池2550接管太湖新城污水處理廠損耗13260酸職中酸職中和循化量15600000中水回用設(shè)施新鮮用水純水純水制純廢水制純廢水一般清洗水763一般清洗劃片廢水物化處理劃片清洗物化處理劃片清洗648含氟清洗廢水162刻蝕后清洗(HF槽含氟清洗廢水162刻蝕后清洗(HF槽)刻蝕后清洗(KOH槽)刻蝕后清洗(其他)預(yù)清洗72光刻后清洗80去膠后清洗6336研磨后清洗72損耗204噴淋塔用水36循化量12000堿性清洗廢5508清洗廢液收集桶14804委托有資質(zhì)收集桶14804委托有資質(zhì)單位處置綠化用水1413揮發(fā)或進(jìn)入土壤與項(xiàng)目有關(guān)的原有環(huán)境污染問(wèn)題(3)現(xiàn)有項(xiàng)目污染物產(chǎn)生及排放情況根據(jù)現(xiàn)有項(xiàng)目“三同時(shí)”驗(yàn)收?qǐng)?bào)告、環(huán)評(píng)報(bào)告，現(xiàn)有項(xiàng)況如下：根據(jù)“新一代高端半導(dǎo)體芯片研發(fā)項(xiàng)目(一期)”的環(huán)評(píng)及三同情況如下：污染物名1洗有組織二級(jí)活性炭吸附二級(jí)活性炭吸附不變間歇?dú)馔?非甲烷總烴3有組織不變間歇?dú)馔?氟化物(以56氟化物(以F計(jì))、氯氣、HBr有組織經(jīng)SDK物理/化學(xué)吸附干式尾氣處理裝置后再進(jìn)二級(jí)堿液噴淋洗滌學(xué)吸附干式尾氣處理裝置后再進(jìn)不變間歇環(huán)評(píng)及三同時(shí)驗(yàn)收廢氣排氣情況見表2-12?！叭瑫r(shí)”竣工驗(yàn)收情況氟化物(以F計(jì))0000氯化氫00氯氣0000無(wú)組織/////氯化氫///////////////門窗05/////門窗06/////根據(jù)上表，現(xiàn)有項(xiàng)目有組織排放的硫酸霧、氯化氫、氟化物、氯氣、異丙醇、非甲烷總烴均達(dá)到江蘇省地方標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)》(DB32/3747-2020)表3中的大氣污染物排放限值；HBr達(dá)到上海市《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》(DB31/933-2015)表1中的大氣污染物無(wú)組織排放的硫酸霧、氯化氫、非甲烷總烴廠界濃污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(DB32/3747-2020)表3中的大氣污染物排放限值，異丙醇達(dá)到北京市《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》(DB11501-201(DB32/4041-2021)表2中廠區(qū)內(nèi)VOCs無(wú)組織排放限現(xiàn)有項(xiàng)目劃片廢水、含氟清洗廢水、一般清洗廢水、堿性清洗廢水、冷卻廢水和制純廢水經(jīng)廠區(qū)內(nèi)廢水處理站處理(調(diào)節(jié)+化學(xué)混凝沉淀糞池預(yù)處理后的生活污水經(jīng)DW001號(hào)污水接管口接管太湖新城污水處理廠。根據(jù)“三同時(shí)”驗(yàn)收?qǐng)?bào)告，現(xiàn)有項(xiàng)目廢水污染物排放采樣點(diǎn)采樣時(shí)間日均值或范圍日均值或范圍根據(jù)上表，DW001污水總排放口中各項(xiàng)污染物日均濃度省《半導(dǎo)體行業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(DB32/3747-2020)表1中的間接排放限值。根據(jù)“三同時(shí)”驗(yàn)收?qǐng)?bào)告，現(xiàn)有項(xiàng)目噪聲排放情況見下表。晝間晝間綜上，廠界噪聲均達(dá)到《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB12348-2008)現(xiàn)有項(xiàng)目固廢產(chǎn)生及排放情況見下表。表2-15現(xiàn)有項(xiàng)目固廢情況一覽表量(t/a)量(t/a)固廢液態(tài)委托江蘇永吉公司處置(酸法)液態(tài)(堿法)、液態(tài)回流液態(tài)液態(tài)用固態(tài)1光刻液態(tài)固廢處置有限公司處置液態(tài)研磨液態(tài)廢活性炭固態(tài)廢礦物油設(shè)備維護(hù)液態(tài)旋涂液態(tài)委托江陰市錦置光刻液態(tài)固態(tài)固態(tài)49廢芯片固態(tài)污泥半固態(tài)一般固態(tài)/回收利用設(shè)備維護(hù)固態(tài)/辦公辦公生活固體/現(xiàn)有項(xiàng)目固體廢棄物專用的堆放場(chǎng)所設(shè)置在室內(nèi)，地面防滲、防漏，現(xiàn)有項(xiàng)目固體廢物均得到妥善處置。5)現(xiàn)有項(xiàng)目污染物排放總量類別環(huán)評(píng)核定排放量(t/a)實(shí)際排放量(t/a)廢氣有組織氟化物(以F計(jì))00氯化氫0氯氣00異丙醇非甲烷總烴總氮總磷氟化物(以F計(jì))0無(wú)根據(jù)《無(wú)錫英菲感知技術(shù)有限公司新一代高端半導(dǎo)體芯片研發(fā)項(xiàng)目(一期)一般變動(dòng)環(huán)境影響分析報(bào)告》,企業(yè)為進(jìn)一步規(guī)范廠內(nèi)廢水排放后接管至太湖新城污水處理廠的生產(chǎn)廢水，改為經(jīng)中水回用系統(tǒng)處理后，回用45%,55%濃水繼續(xù)接管至太湖新城污水處理廠進(jìn)行集中處理。同時(shí)新增中水回用系統(tǒng)后，將產(chǎn)生廢RO膜、廢填料等危廢。中水回用采用的砂濾、碳濾、超濾、RO的方案，經(jīng)該套系統(tǒng)處理后，污染物50排放情況見下表：氟化物(mg/L)pH(無(wú)量綱)出水去除率(%)/回用水的水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)參照?qǐng)?zhí)行《城市污水再生利用城市雜用水水質(zhì)》(GB/T18920-2020)表1城市雜用水水質(zhì)基本控制項(xiàng)目及限控制項(xiàng)目12化學(xué)需氧量(CODc)(mg/L)-3懸浮物(SS)(mg/L)-4氨氮(mg/L)55總氮(mg/L)-“以新帶老”削減量生活污水0000總磷0總氮0生產(chǎn)廢水氟化物(按F計(jì))0總磷0總氮0氟化物(按F計(jì))損耗450接管太湖新城污水處理廠酸堿中和冷卻塔用水2340循化量15600000酸堿中和制純廢水1056中水回763一般清洗水763純水3166.8物化處理物化處理劃片清洗648刻蝕后清洗(HF刻蝕后清洗(HF槽)堿性清洗廢刻蝕后清洗(KOH槽)水113.4刻蝕后清洗(其他)5508清洗廢液預(yù)清洗光刻后清洗去膠后清洗研磨后清洗損耗204噴淋塔用水36循化量12000綠化用水1413委托有資質(zhì)單位處置委托有資質(zhì)單位處置單位處置揮發(fā)或進(jìn)入土壤區(qū)域現(xiàn)狀根據(jù)《2023年度無(wú)錫市環(huán)境狀況公報(bào)》,與2022年相比，O3濃度下降6.7%,PM?.5、SO?濃度同比持平，PM?o、NO?、CO濃度同比上升2%、23.1%、9.1%。2023年度無(wú)錫市全市環(huán)境空氣質(zhì)量情況見表3-1。無(wú)錫84(GB3095-2012)二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行年度評(píng)價(jià)，各市(縣)、區(qū)臭氧濃度未達(dá)標(biāo)，其余指標(biāo)均已達(dá)標(biāo)。綜上，項(xiàng)目所在地屬于不達(dá)標(biāo)根據(jù)《中華人民共和國(guó)大氣污染防治法》的要求期達(dá)標(biāo)規(guī)劃，明確限期達(dá)標(biāo)，制定有效的大氣污染防治措施。無(wú)錫市根據(jù)《無(wú)錫市大氣環(huán)境質(zhì)量限期達(dá)標(biāo)規(guī)劃(2018-2規(guī)劃的規(guī)劃范圍為：整個(gè)無(wú)錫市全市范圍(4650平方公里)。無(wú)錫市區(qū)面積1643.88平方公里，另有太湖水域397.8平方公里。下轄共5個(gè)區(qū)2個(gè)市(梁溪區(qū)、濱湖區(qū)、惠山區(qū)、錫山區(qū)、新吳區(qū)、江陰市、宜達(dá)標(biāo)期限：無(wú)錫市環(huán)境空氣質(zhì)量在2025年實(shí)現(xiàn)全面達(dá)本項(xiàng)目廢水接入太湖新城污水處理廠，尾水排入京杭運(yùn)河。根據(jù)無(wú)錫環(huán)境監(jiān)測(cè)技術(shù)有限公司于2022年1月4日~1月6日對(duì)太湖新城污水處理廠上、下游500m處地表水監(jiān)測(cè)(報(bào)告編號(hào)：HJJC220061),京杭運(yùn)河太湖新城污水處理廠排口上、下游500m監(jiān)測(cè)斷面COD、氨氮、總磷等監(jiān)測(cè)值能滿足《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3838-2002)IV類標(biāo)準(zhǔn)要求，檢測(cè)及評(píng)價(jià)結(jié)果詳見下表3-2。采樣地點(diǎn)00000000由表3-2可見，各監(jiān)測(cè)斷面各監(jiān)測(cè)因子均滿足《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3838-2002)IV類水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)《無(wú)錫市區(qū)聲環(huán)境功能區(qū)劃分調(diào)整方案》(錫政辦發(fā)[2018]157號(hào)文件),項(xiàng)目所在地區(qū)域聲環(huán)境功能為2類區(qū)，執(zhí)行《聲環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3096-2008)中的2類標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)《2023年度無(wú)錫市生態(tài)環(huán)境狀況公報(bào)》,2023年度無(wú)錫市區(qū)環(huán)境噪聲值晝間≤57.1dB(A),達(dá)到《聲環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3096-2008)表1中的2類標(biāo)準(zhǔn)要求，區(qū)域聲環(huán)境質(zhì)量狀況良好。本項(xiàng)目利用現(xiàn)有場(chǎng)地，不涉及液體物料泄漏，正常工況下不存在地下水環(huán)境污染途徑，本報(bào)告不開展地下水環(huán)境現(xiàn)狀監(jiān)測(cè)。土壤環(huán)境污染途徑包括大氣沉降、地面漫流、垂體物料泄漏，正常情況下不存在地面漫流的情況和垂直入滲的污染途徑。故本項(xiàng)目對(duì)周圍土壤環(huán)境產(chǎn)生的污染較小。因此本報(bào)告不開展土壤環(huán)境現(xiàn)狀監(jiān)測(cè)調(diào)查工作。保護(hù)目標(biāo)本項(xiàng)目周圍500米范圍內(nèi)無(wú)大氣環(huán)境保護(hù)目標(biāo)。全廠生活污水和污水處理站尾水均接管太湖新城污水排入江南運(yùn)河。地表水環(huán)境保護(hù)目標(biāo)見下表。/坐標(biāo)/°0高差0相對(duì)排放口水力聯(lián)系江南運(yùn)河IV類標(biāo)準(zhǔn)納污水體本項(xiàng)目廠界外500米范圍內(nèi)無(wú)地下水集中式應(yīng)用泉等特殊地下水資源。污染準(zhǔn)中的二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，詳見表3-4。(GB3095-2012)表1中的二級(jí)標(biāo)準(zhǔn)-4160(8小時(shí)平均) 折算為1h平均濃度限值。水(環(huán)境)功能區(qū)劃(2021-2030)的批復(fù)》,京杭運(yùn)河水環(huán)境功能區(qū)為《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3838-2002)中的IV類水體，詳見下表3-5。水域名京杭運(yùn)河IV類水體無(wú)量綱根據(jù)《市政府辦公室關(guān)于印發(fā)無(wú)錫市區(qū)聲環(huán)境知》(錫政辦發(fā)[2018]157號(hào))的規(guī)定，項(xiàng)目所在地位于2類聲環(huán)境行《聲環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3096-2008)2類區(qū)標(biāo)準(zhǔn)，具體至見表3-6。類別晝間夜間2類區(qū)環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)本項(xiàng)目油煙廢氣執(zhí)行《飲食業(yè)油煙排放標(biāo)準(zhǔn)(試行)》(GB18483-2001)規(guī)模為“大型”標(biāo)準(zhǔn)。表3-7飲食業(yè)油煙排放標(biāo)準(zhǔn)(摘錄)規(guī)模小型中型大型對(duì)應(yīng)灶頭總功率(108J/h)≥1.67最高允許排放濃度(mg/m3)凈化設(shè)施最低去除率(%)60光電子器件，廢水排放標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)執(zhí)行《電子工(GB39731-2020)表1標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)有項(xiàng)目廢水排放標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行江蘇省地方標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體行業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(DB32/3747-2020)表1中的間接排放限值，因本項(xiàng)目依托原有廢水排放口，相關(guān)廢水標(biāo)準(zhǔn)從嚴(yán)執(zhí)行，因此全廠廢水排放標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行江蘇省地方標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體行業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(DB32/3747-2020)表1中污水處理廠尾水排放執(zhí)行《太湖地區(qū)城鎮(zhèn)污水處理廠及重點(diǎn)工業(yè)行業(yè)主要水污染物排放限值》(DB32/1072-2018)表1中理廠污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB18918-2002)表1一級(jí)A標(biāo)準(zhǔn)。具體見表3-8。表3-8污水排放標(biāo)準(zhǔn)限值表單位：mg/L(pH為無(wú)量綱)類別(DB32/3747-2020)表1中的間接排總氮總磷3氟化物(以F計(jì))《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB8978-1996)表4三級(jí)標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)植物油業(yè)行業(yè)主要水污染物排放限值》(DB32/1072-2018)表1中標(biāo)準(zhǔn)廠界噪聲執(zhí)行《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB12348-2008)中的2類標(biāo)準(zhǔn)，詳見表3-9。廠界名級(jí)別(GB18599-2020);危險(xiǎn)廢物執(zhí)行《危險(xiǎn)廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)》總量控制本項(xiàng)目建設(shè)地所在區(qū)域?qū)儆?兩控區(qū)"和太湖流污染防治條例》中規(guī)定的一級(jí)保護(hù)區(qū)?？偭靠刂浦笜?biāo)見表3-10。原項(xiàng)目本項(xiàng)目“以新帶廢氣織000000000000000000000000織000氯化氫000000000總水量0總氮0總磷0動(dòng)植物油000原項(xiàng)目本項(xiàng)目“以新帶00委托資質(zhì)000000000000000000廢活性炭000000廢礦物油00廢芯片0010011污泥00000000回收00不合格品000食堂泔腳00四、主要環(huán)境影響和保護(hù)措施施工期環(huán)境保護(hù)措施本項(xiàng)目主要在無(wú)錫市新吳區(qū)華秀路66號(hào)上建設(shè)芯片廠房、物。施工期為2024年6月-2025年9月，各項(xiàng)施工活動(dòng)不可避免的會(huì)對(duì)周圍環(huán)境產(chǎn)生影主要包括廢氣、廢水、噪聲、固體廢物等，而且以廢氣和施工噪聲尤為明顯。塵；推土機(jī)、攪拌機(jī)等作業(yè)處揚(yáng)塵；臨時(shí)物料堆場(chǎng)的風(fēng)蝕揚(yáng)塵；施工現(xiàn)場(chǎng)“三材”運(yùn)輸、上述各起塵環(huán)節(jié)多屬于無(wú)組織排放，在時(shí)間和空間上均為污染程度，只能簡(jiǎn)單估算施工場(chǎng)地起塵量：根據(jù)有關(guān)資料推薦，施工期粉塵排放系數(shù)按3計(jì)，則施工中每月粉塵產(chǎn)生量為：7530.33×10?×3=2.259噸/月項(xiàng)目施工期按15個(gè)月計(jì)，則施工粉塵產(chǎn)生量為2.259噸/月×15月=33.885噸，這些粉塵基本上是土及砂土，其粒徑較大，揚(yáng)塵高度不高，一般都掉落在施工現(xiàn)場(chǎng)施工期對(duì)大氣造成污染的主要是粉塵，控制施工期粉塵的主要措施如A.灑水抑塵裝運(yùn)土方時(shí)控制車內(nèi)土方低于車廂擋板，減少途中撒落，對(duì)施泥等物料應(yīng)及時(shí)清掃，砂石堆、施工道路應(yīng)定時(shí)灑水抑塵。表4驗(yàn)結(jié)果。經(jīng)試驗(yàn)表明：每天灑水4-5次，可使揚(yáng)塵量減少70%左右，染距離可縮小到20-50m范圍，因此本工程可通過(guò)該方式來(lái)減緩施工揚(yáng)塵。距離(m)5不灑水灑水施工現(xiàn)場(chǎng)設(shè)置圍欄或圍墻，封閉施工，縮小施工現(xiàn)場(chǎng)揚(yáng)塵和尾氣擴(kuò)散范圍。露天堆放，即使必須露天堆放，也要注意加蓋防雨布，減此外，根據(jù)《關(guān)于落實(shí)施工項(xiàng)目顆粒物和揮發(fā)性有機(jī)物(VO大氣辦[2021]7號(hào)),需執(zhí)行以下要求：(一)加強(qiáng)源頭管控：工程項(xiàng)目選用涂料的VOCs含量應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《民用建筑工程室內(nèi)環(huán)境污染控制規(guī)范》(用墻面涂料中有害物質(zhì)限量》(GB18582-2020)。工程項(xiàng)目選合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《室內(nèi)裝飾裝修材料膠粘劑中有害物質(zhì)限量》》(GB18583)、《建粘劑有害物質(zhì)限量》(GB30982)等有關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)要求。(二)設(shè)單位應(yīng)在采購(gòu)和質(zhì)量巡查環(huán)節(jié)嚴(yán)格把控，發(fā)現(xiàn)采用不符合現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和設(shè)計(jì)要求的涂按要求進(jìn)行抽檢，做好臺(tái)賬記錄；加強(qiáng)后續(xù)自查、巡查，發(fā)現(xiàn)不符合要求的涂料、膠粘劑應(yīng)立即退場(chǎng)、不得使用；把是否使用合格的涂料、膠粘劑納入到相制度中，對(duì)使用不合格材料的工序不予驗(yàn)收通過(guò)。(三)嚴(yán)格監(jiān)督管理：1、施工現(xiàn)場(chǎng)嚴(yán)禁露天噴漆，有條件的焊接作業(yè)必須采取大氣污染物收集處理措施料管理。涂料、膠粘劑、水性處理劑、稀釋劑和溶劑等必須密閉保存；使用后的余料應(yīng)及時(shí)封閉存放，廢料及時(shí)清出；用完的廢棄容器及時(shí)回收處理，不得露天堆放。3、建筑工程室內(nèi)嚴(yán)禁使用有機(jī)溶劑清洗施工用具。4、各項(xiàng)目工地建立各類柴油機(jī)械(含機(jī)動(dòng)車)進(jìn)出場(chǎng)臺(tái)賬資料，加強(qiáng)使用過(guò)程中排放檢查，杜絕冒黑煙等超標(biāo)排放的違法行根據(jù)《省生態(tài)環(huán)境廳關(guān)于印發(fā)江蘇省重點(diǎn)行業(yè)堆場(chǎng)揚(yáng)塵污染防治指導(dǎo)意見(試行)的通知》(蘇環(huán)辦[2021]80號(hào))文件相關(guān)要求，強(qiáng)化堆場(chǎng)揚(yáng)塵污染控制。施工期間主要水污染物是建筑材料、設(shè)備的沖洗廢水和施工隊(duì)伍產(chǎn)生的生活污水沖洗廢水中主要污染物為COD、SS,生活污水中主要污染物為pH、COD、SS、氨氮、總氮、總磷。沖洗廢水排放的質(zhì)和量是隨機(jī)的，很難估算，應(yīng)加強(qiáng)施工期管理，并建造沉淀池等污水臨時(shí)處理設(shè)施，經(jīng)處理后回用于施工用水。施工期民工集中，生活污水應(yīng)妥善處置要求專門設(shè)工地廁所。施工生活污水主要含有COD、SS、氨氮、總氮、總磷等。施工生活污水經(jīng)化糞池處理后達(dá)標(biāo)接入污水官網(wǎng)，施工人員生活污水量可根據(jù)類比調(diào)查結(jié)果計(jì)算如下：施工人員生活污水排放量一般為人均20L/d,按施工工地人口最高峰100人計(jì)，生活污水中COD、SS、氨氮、總氮、總磷排放濃度分別為450mg/L、360mg/L、35mg/L、45mg/L、5mg/L,施工期為15個(gè)月(450天),施工期生活污水產(chǎn)生量約項(xiàng)目施工期的主要噪聲源是施工機(jī)械設(shè)備操作運(yùn)行中發(fā)散的噪聲和建筑運(yùn)輸車輛噪62聲，施工期施工機(jī)械噪聲源強(qiáng)詳見下表。結(jié)構(gòu)電鋸影響分析及對(duì)策措施：達(dá)到《建筑施工場(chǎng)界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB12523-2011)(晝間/夜間≤70/55dB(A))要求。為減輕施工噪聲對(duì)周圍環(huán)境的影響，建議建筑單位用如下措施控制施工噪聲：①制定科學(xué)的施工計(jì)劃，合理安排；②工程在施工時(shí)，將主要噪聲源布置在遠(yuǎn)離敏感點(diǎn)的地方，盡量采工單位應(yīng)按照現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)制定降噪措施，控制施工噪聲，減少施工噪音對(duì)周邊居民的影響，并對(duì)現(xiàn)場(chǎng)的噪聲值進(jìn)行監(jiān)測(cè)和記錄；③加強(qiáng)管理，施工及來(lái)往運(yùn)輸車輛禁止鳴笛；④加強(qiáng)對(duì)施工人員的監(jiān)督和管理，促進(jìn)其環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，減少不必要如對(duì)施工用框架模板要輕拿輕放，不得隨意亂甩，夜間禁止喧嘩等。施工及來(lái)往運(yùn)輸車輛禁止鳴笛；⑤合理安排施工時(shí)間，夜間22:00~次日6:00時(shí)段內(nèi)禁止施工；如總之，施工期噪聲影響是短暫的、局部的，施工期結(jié)束，施工噪聲也就隨之結(jié)施工期的固體廢物主要是工程施工中產(chǎn)生的施工垃圾及少量的施工人員生活垃圾，如廢棄的碎磚、混凝土塊、沙子及各種包裝材料項(xiàng)目施工占地約7530.33平方米，有效施工面積按照100%計(jì)，施工垃圾按1.3噸/100平方米計(jì)，則產(chǎn)生的施工垃圾共約97.894噸。63最高峰100人計(jì)，生活垃圾產(chǎn)生量為50kg/d,施工期生運(yùn)營(yíng)期環(huán)境影響和保護(hù)措施根據(jù)《污染源源強(qiáng)核算技術(shù)指南準(zhǔn)則》(HJ884-2018采用實(shí)測(cè)法、物料衡算法、產(chǎn)污系數(shù)法、排污系數(shù)法、類比①食堂廢氣油煙產(chǎn)生量為0.226t/a。本項(xiàng)目設(shè)置油煙凈化裝置，凈化效率不低于85%,設(shè)計(jì)風(fēng)量為20000m3/h,運(yùn)行時(shí)間為1200h/a,則本項(xiàng)目油煙有組織排放量為0.0339t/a,排放濃度 (GB18483-2001)排放標(biāo)準(zhǔn)(2.0mg/m3)要求。②組裝廢氣本項(xiàng)目組裝過(guò)程中使用密封膠，根據(jù)建設(shè)單位提供的VOCs檢測(cè)報(bào)告(SHAEC2211052902),VOC含量為6g/kg,密封膠使用量為100kg/a,則產(chǎn)生有機(jī)廢氣0.6kg/a,產(chǎn)生量極小，對(duì)環(huán)境影響本項(xiàng)目廢水污染源主要有生活污水、食堂污水、冷卻廢水和空調(diào)廢水，接管至太湖新城污水處理廠集中處理。類別污染物種處理能力生活用水生活污水-是總氮總磷4-隔油池-是總氮總磷4動(dòng)植物油冷卻廢水生產(chǎn)廢水-直接接管是空調(diào)廢水生產(chǎn)廢水一-直接接管是廢水類別本項(xiàng)目綜合廢水放口放√處理廠非連續(xù)穩(wěn)定排規(guī)律放口一般排口SS250總氮35總磷3動(dòng)植物油總氮總磷物油由上表可知：本項(xiàng)目接管水質(zhì)中的COD、SS、氨氮、總氮、省地方標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體行業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(DB32/3747-2020)表1中的間接排放限值要求，動(dòng)植物油可達(dá)到《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB8978-1996)表4三級(jí)標(biāo)廢水類別全廠接管廢水放口處理廠非連續(xù)穩(wěn)定排放口排口SS250氨氮20總氮35總磷3動(dòng)植物油氟化物(以F總氮總磷物油F計(jì))太湖新城污水處理廠位于無(wú)錫市太湖新城吳越路與菱湖河西側(cè)?？傇O(shè)計(jì)總規(guī)模15萬(wàn)噸/日，一期工程5萬(wàn)噸/日采用A2/0工藝，于2004年8月1日開工，2005年8月竣工投入運(yùn)行，并于2008期工程10萬(wàn)噸/日采用與一期改造后相同的污水處理工藝—改良型A2/0工藝，也太湖新城污水處理廠服務(wù)范圍東到大運(yùn)河、西至大浮山河及五里湖為界，總服務(wù)面積116.02平方公里，主要收納該根據(jù)《無(wú)錫市太湖新城污水處理廠(5萬(wàn)t/d)升級(jí)改造工程項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表》審批意見(錫環(huán)表復(fù)[2007]109號(hào)),太湖新城污水處理行(GB18918-2002)一級(jí)A標(biāo)準(zhǔn)。太湖新城污水處理廠升級(jí)改造后的工藝流程見圖4-1污水粗格柵污水稿曝氣沉砂池曝氣沉砂池污泥脫水機(jī)房初沉池污泥鼓風(fēng)機(jī)房污泥鼓風(fēng)機(jī)房污泥濃縮池厭氧池厭氧池缺氧池放放排A流淀池砂渣外運(yùn)加藥間→江南運(yùn)河斜板淀池機(jī)械混合池紫外毒酒好池厭氧池缺氧池初沉池曝氣沉砂粗格柵水污混混施污泥脫流施污泥濃縮圖例：污水管線-污泥管線空氣管線…砂渣走向2012年11月2012年12月2013年01月1化學(xué)需氧量(COD)2氨氮(以N計(jì))*注：括號(hào)外數(shù)值為水溫≥12℃時(shí)的控制指標(biāo)，括號(hào)內(nèi)為水溫①處理規(guī)模的可行性分析太湖新城污水處理廠經(jīng)過(guò)二期擴(kuò)建工程建設(shè)后，其設(shè)