中國DDR5行業(yè)發(fā)展環(huán)境、市場運行格局及前景研究報告-智研咨詢_第1頁
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中國DDR5行業(yè)發(fā)展環(huán)境、市場運行格局及前景研究報告—智研咨詢內(nèi)容概要:DDR5即第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取儲存器,作為新一代的DRAM技術類型于2021年第四季度正式商用。相較于DDR4,其具有更高的起始速度和計劃提升至更高的標準速度,以及更低的功耗。由于DDR5內(nèi)存的優(yōu)異性能,其廣泛應用于各類計算機設備,如PC、服務器等領域。2023年,傳統(tǒng)服務器、PC領域表現(xiàn)不佳,同步?jīng)_擊存儲器產(chǎn)業(yè),導致DDR5滲透率攀升不如預期,滲透率在20%左右。隨著技術的不斷成熟和成本的降低,DDR5內(nèi)存有望進一步拓展至更多領域,包括消費級電子產(chǎn)品,從而惠及更廣泛的用戶群體,DDR5滲透率也將穩(wěn)步提升,2024年有望突破50%。隨著技術的不斷演進,DDR5內(nèi)存作為最新的內(nèi)存標準,未來將逐步取代DDR4成為市場的主流。在企業(yè)不斷加強技術研發(fā)之下,DDR5性能將不斷提升,價格也將持續(xù)下滑。同時,隨著下游服務器、PC等領域加速發(fā)展及DDR5應用范圍不斷拓展,DDR5需求將大幅增加。關鍵詞:DDR技術演進歷程、DDR5產(chǎn)業(yè)鏈、DDR5市場現(xiàn)狀、DDR5滲透率、DDR5發(fā)展趨勢一、DDR技術演進歷程DDR即雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器,是在SDRAM基礎上發(fā)展而來。普通SDRAM內(nèi)存的工作方式是在一個時鐘周期的上升沿觸發(fā)進行工作。也就是說在一個時鐘周期內(nèi),內(nèi)存將工作一次。而DDR的技術使得內(nèi)存可以在每一個時鐘周期的上升沿和下降沿分別觸發(fā)一次,這樣就使得在一個時鐘周期內(nèi)內(nèi)存可以工作兩次,DDR內(nèi)存在相同的時間內(nèi)能夠完成普通內(nèi)存一倍的工作量。從DDR1到DDR5,DDR技術不斷進化,目前DDR4正處于成熟期,DDR5加速步入市場。DDR5即第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取儲存器,作為新一代的DRAM技術類型于2021年第四季度正式商用。相較于DDR4,其具有更高的起始速度和計劃提升至更高的標準速度,以及更低的功耗。具體來看,DDR5的技術優(yōu)勢在于:(1)速度和帶寬提升:DDR5內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率提升較DDR4內(nèi)存提升2-3倍,傳輸帶寬最高可達到6400MT/s,較DDR4提升50%,以提供更高的數(shù)據(jù)傳輸性能。(2)高頻率及時序:DDR5內(nèi)存的內(nèi)部時鐘頻率達到1.6-4.8GHz,較DDR4內(nèi)存的0.8-1.6GHz更為高頻精細,以提供更高的穩(wěn)定性和保證信號完整性,更適用于多核服務器等應用場景。(3)低電壓低功耗:DDR5的工作電壓通常為1.1V,低于DDR4的1.2V以及DDR3內(nèi)存的1.5V,有助于減少電能消耗和熱量產(chǎn)生,在移動設備和筆記本電腦等對電池壽命和散熱要求較高的場景中尤其具優(yōu)勢。同時DDR5將電源管理從主板移動至雙列直插式內(nèi)存模塊DIMM上的PMIC上,此舉使得電源管理、電壓調(diào)節(jié)和上電順序在物理層面上更加貼近模塊上的存儲器件,有助于保障電源完整性,并增強了對PMIC運行方式的控制力。(4)內(nèi)存容量提升:DDR5內(nèi)存支持64GbSPD及256GBDIMMs容量,同時支持兩個獨立的32位子通道和更多的插槽配置,有助于提供更大的存儲空間。(5)ECC除錯機制:DDR5內(nèi)存內(nèi)置On-dieECC除錯機制,能夠依靠自身功能修復DRAM單元(cell),讓采用DDR5DRAM的系統(tǒng)擁有更高的穩(wěn)定性。DDR技術演進歷程從DDR5發(fā)展歷程來看,早在2017年9月,Rambus率先在實驗室中實現(xiàn)完整功能的DDR5DIMM芯片。此后的很長一段時間中,DDR5內(nèi)存一直是行業(yè)研發(fā)熱點。2020年7月,JEDEC協(xié)會正式公布了DDR5標準,并規(guī)定DDR5的起始頻率為4800MHz。從此DDR5開始進入大廠研發(fā)和量產(chǎn)的舞臺。2020年10月,韓國存儲巨頭SK海力士宣布,正式發(fā)布全球首款DDR5內(nèi)存。2020年12月,

擁有光威和阿斯加特品牌的嘉合勁威宣布率先全面布局DDR5內(nèi)存模組。2021年12月,SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24GbDDR5樣品。2023年5月,三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16GbDDR5DRAM已開始量產(chǎn)。2023年11月,據(jù)長鑫存儲官網(wǎng)顯示,長鑫存儲推出了最新LPDDR5

DRAM

存儲芯片,是國內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5產(chǎn)品的品牌,實現(xiàn)了國內(nèi)市場零的突破。2024年8月,SK海力士宣布,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的DDR5

DRAM芯片。2024年10月,芝奇(G.SKILL)宣布通過超頻高手的努力,其DDR5內(nèi)存成功突破了12000MHz的歷史大關。DDR5發(fā)展歷程相關報告:智研咨詢發(fā)布的《中國DDR5行業(yè)市場研究分析及產(chǎn)業(yè)需求研判報告》二、DDR5行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈從產(chǎn)業(yè)鏈來看,DDR5作為DRAM細分產(chǎn)品之一,產(chǎn)業(yè)鏈涉及環(huán)節(jié)多,上游主要包括硅片、光刻膠、拋光材料、光掩模等原材料及光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備等生產(chǎn)設備,原材料的純度與生產(chǎn)設備的精度直接影響到DDR5產(chǎn)品的生產(chǎn)良率及整體性能。中游為DDR5設計、制造、封測,DDR5內(nèi)存作為新一代的存儲技術,技術壁壘較前幾代更高,市場份額主要被SK海力士、三星、美光等國際大廠所占據(jù),以長鑫存儲、聚辰股份、大為創(chuàng)芯為代表的國內(nèi)企業(yè)也正加快研發(fā)DDR5研發(fā),并取得了一定的成果。下游為DDR5應用領域,DDR5主要用于需要大容量和高數(shù)據(jù)速率的應用場景,如服務器、PC領域。DDR5產(chǎn)業(yè)鏈AI服務器浪潮洶涌,DDR5內(nèi)存正成為高性能計算發(fā)展的重要助推力。2023年以來,行業(yè)大模型的深入研發(fā)對于AI軟硬件與生態(tài)部署有著明顯帶動作用。人工智能在諸如智慧城市、智能家居等綜合復雜性場景,在金融、醫(yī)療、教育等行業(yè)的細分功能層面提供更細化更多元的方案,AI算力持續(xù)火熱,市場對AI服務器的需求急劇上升,產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大。2023年全球AI服務器市場規(guī)模約為211億美元,其中中國市場規(guī)模達94億美元。2024年大型CSPs(云端服務供應商)預算持續(xù)聚焦于采購AI服務器,AI服務器規(guī)模將保持增長態(tài)勢,占整體服務器出貨的比重將進一步提升。在AI模型訓練領域,DDR5內(nèi)存憑借出色的帶寬和容量優(yōu)勢,能夠有效地處理龐大的數(shù)據(jù)量,顯著縮短訓練周期,從而加速AI開發(fā)進程,在AI服務器份額持續(xù)抬升大背景下,DDR5內(nèi)存有望進入快速增長期。2019-2023年全球及中國AI服務器市場規(guī)模在PC領域,AI技術的突破為PC產(chǎn)業(yè)帶來了全新機遇。2024年傳統(tǒng)PC開啟向AIPC的重大轉(zhuǎn)變,

AI

PC正在成為PC行業(yè)新的出貨量增長點,預計2024年全球AIPC出貨量達4800萬臺,占PC出貨總量的18%;2025年全球AIPC出貨量超過1億臺,占PC出貨總量的40%;到2028年,全球AIPC出貨量達2.05億臺。AIPC市場爆發(fā),DDR5將迎來強烈需求。2024-2028年全球AIPC出貨量預測三、DDR5行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀存儲器是計算機用來存放程序和數(shù)據(jù)的記憶部件,在電子設備和系統(tǒng)中扮演著十分重要的角色。DRAM和NANDFlash為最重要的兩類存儲芯片,DRAM憑借高速、容量大和相對低成本的優(yōu)勢,成為半導體存儲器第一大產(chǎn)品。2023年在全球存儲芯片市場中,DRAM占比54%。按照產(chǎn)品分類,DRAM

主要分為

DDR、LPDDR、GDDR及新型存儲HBM。其中DDR是主流DRAM芯片,廣泛應用于計算機、服務器、工作站等高性能設備,以及圖形處理單元(GPU)、網(wǎng)絡設備等。數(shù)據(jù)顯示,2023年全球DRAM產(chǎn)品bit出貨量約2060億Gb。其中,DDR產(chǎn)品bit出貨量約1164億Gb,占總量的57%。2023年全球DRAM產(chǎn)品出貨量結(jié)構(gòu)由于DDR5內(nèi)存的優(yōu)異性能,其廣泛應用于各類計算機設備。2023年,傳統(tǒng)服務器、PC領域表現(xiàn)不佳,同步?jīng)_擊存儲器產(chǎn)業(yè),導致DDR5滲透率攀升不如預期,滲透率在20%左右。隨著技術的不斷成熟和成本的降低,DDR5內(nèi)存有望進一步拓展至更多領域,包括消費級電子產(chǎn)品,從而惠及更廣泛的用戶群體,DDR5滲透率也將穩(wěn)步提升,2024年有望突破50%。2020-2023年DDR5滲透率四、DDR5行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀隨著技術的不斷演進,DDR5內(nèi)存作為最新的內(nèi)存標準,未來將逐步取代DDR4成為市場的主流。在企業(yè)不斷加強技術研發(fā)之下,DDR5性能將不斷提升,價格也將持續(xù)下滑。同時,隨著下游服務器、PC等領域加速發(fā)展及DDR5應用范圍不斷拓展,DDR5需求將大幅增加。DDR5行業(yè)未來發(fā)展趨勢以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢()發(fā)布的《2025年中國DDR5行業(yè)市場研究分析及產(chǎn)業(yè)需求研

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