1太陽能電池用砷化鎵單晶及拋光片編制說明2料，是紅、橙、黃光發(fā)光二極管（LED）的唯一襯底材料，廣泛用于半導(dǎo)體照明、高清全彩顯示屏、激光器、無人駕駛汽車等和太陽能電池領(lǐng)域。自2010年起，隨著LED及砷化鎵是典型的III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有直接能帶隙，帶隙寬度為1.42eV下1）光電轉(zhuǎn)換效率高；(2)可制成薄膜電池，在可見關(guān)范圍內(nèi)GaAs材料的光吸收耐高溫性能好4）抗輻射性能強(qiáng)5）多結(jié)疊層太陽能電池的材料。作多結(jié)疊層太陽能電池。因此采用GaAs材料制作的多柔性太陽能電池相比于其他類型3再砷化鎵電池的國家標(biāo)準(zhǔn)方面，2010年制定了國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T25075-20陽能電池用砷化鎵單晶》，形成新標(biāo)準(zhǔn)GB及相關(guān)Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料研制和生產(chǎn)綜合型科技企業(yè)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光電材市場份額第一，現(xiàn)已成為第二代半導(dǎo)體襯底材料全國TOP3供應(yīng)商。公司先后通過了4砷化鎵產(chǎn)業(yè)化方面，公司擁有國內(nèi)產(chǎn)能、質(zhì)量領(lǐng)先的高純砷晶體長晶設(shè)備，多線切割機(jī)、倒角機(jī)、解理機(jī)、研磨機(jī)、拋光機(jī)、全自動(dòng)多片清洗機(jī)、分析儀，能對產(chǎn)品質(zhì)量進(jìn)行全面的檢測分析；另外公司還積投資砷化鎵耗材相關(guān)項(xiàng)目，目前已成為中國航天、中國電科、中國兵器等大型集團(tuán)的合格供應(yīng)商。公司擁有13條MOCVD外延芯片生產(chǎn)線，15000㎡超凈車間和廠務(wù)公共系統(tǒng)，以及進(jìn)口化合物半導(dǎo)體設(shè)備，包括金屬有機(jī)化合物氣相沉積系統(tǒng)、全自動(dòng)曝光機(jī)、AM0太陽光模擬空間無人機(jī)）。公司堅(jiān)持自主創(chuàng)新，擁有核心技術(shù)授權(quán)專利122項(xiàng)，已通過GJB9100C技術(shù)產(chǎn)品榮譽(yù)證書，2019年成功榮獲廣東省工程技術(shù)研究中心認(rèn)定；2020年獲得廣東省知識(shí)產(chǎn)權(quán)示范企業(yè)認(rèn)定，獲中山市政府授予2020年度中山市科技創(chuàng)新突出貢獻(xiàn)企業(yè)5員會(huì)，經(jīng)過全體委員論證通過后，上報(bào)至國形成了國家標(biāo)準(zhǔn)《太陽能電池用砷化鎵單晶及拋光片》征64.按照GB/T1.1產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)編寫示例的要求進(jìn)行格式和結(jié)構(gòu)編寫。該章節(jié)依據(jù)本行業(yè)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)編制要求編寫，技術(shù)上增加150mm、200mm直徑砷化鎵目前外延相關(guān)行業(yè)對整片的均勻性有一定的要求，性有一定的影響，結(jié)合行業(yè)的相關(guān)數(shù)據(jù)，規(guī)定截面電阻率不均勻性＜15%。根據(jù)目前行業(yè)情況，定義n型和p型的摻雜劑，相對于上一版標(biāo)準(zhǔn)，擴(kuò)大了載流子的范圍，使其更適合目前的客戶的需求。目前太陽能電池用砷化鎵單晶及拋光片為n型和p型，n型砷化鎵在砷化鎵晶體中，摻雜有一定量的雜質(zhì)原子（如硅、硒等）可形成n型半導(dǎo)體材料。n型砷化鎵具有高的導(dǎo)電性，適用于制造高速電路和光電器件。p型砷化鎵在砷化鎵晶體中，摻雜有一定量的雜質(zhì)原子（如鋅、鎘等）可形成p型半導(dǎo)體材料。p型砷化鎵具有高的空穴濃度和低的電阻率，適用于制造高功率、高頻率的器件。目前主要的定位有兩種主要形式，一種是以參考面反面，具體的可以分為V型槽和燕尾槽為主，目前100.0mm砷化鎵襯底主要是參考面的取向和長度來確定晶片規(guī)格。目前V型槽和燕尾槽是砷化鎵行業(yè)約定俗成的規(guī)格，均有客戶使用。目前100.0mm砷化鎵襯底大部分客戶僅保留副邊位置，副邊的長度要求為0mm。另外根據(jù)行業(yè)的發(fā)展，Ф100.0mm及以下尺寸一般以V型槽和燕尾槽為主，這個(gè)是7可能與行業(yè)的設(shè)備或者客戶的產(chǎn)業(yè)需要有關(guān)。大直徑產(chǎn)品150.0mm和200.0mm考慮到成此次繼續(xù)延續(xù)上次的編制，調(diào)整一些細(xì)節(jié)，定位邊位置保持上一版內(nèi)容。Ф150.0mm襯底切口要求。目前國內(nèi)的太陽能電池用砷化鎵單晶及拋光片行業(yè)，目前主要是各家自己提供砷化鎵襯底的需要，按照砷化鎵電池片客戶的要求制定標(biāo)準(zhǔn)，目前砷化鎵電池片行業(yè)，主要以直徑100.00mm規(guī)格為主，表7是國內(nèi)幾家砷化鎵電池片廠主要砷化鎵襯底的參考變及切口的標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)目前行業(yè)內(nèi)砷化鎵襯底需求客戶，其對表面晶向及晶向偏離都有一定的要求，有關(guān)，外延工藝固定之后，其選擇的襯底角度是固定的。表面晶向與客戶的外延工藝相關(guān)，不同的角度的襯底可以生產(chǎn)相同的產(chǎn)品，具體的表面晶向由砷化鎵襯底的客戶來決定，而晶向偏離是砷化鎵襯底行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的積累，偏離超過一定的程度，會(huì)影響客戶的使用，晶片偏離大的砷化鎵襯底，其外延后會(huì)出現(xiàn)毛掉的現(xiàn)象，導(dǎo)致砷化鎵外延片報(bào)廢，目前砷化鎵襯底的晶向偏離行業(yè)通用的標(biāo)準(zhǔn)為±0.5°。鎵LED外延廠常用客戶標(biāo)準(zhǔn)中的表面晶向和晶向偏離具體要求。前砷化鎵外觀幾何幾寸沒有大的變化，結(jié)合目前砷化鎵戶，所以定為5000個(gè)/cm2。8邊緣的缺陷不超過1mm，由于砷化鎵襯底的邊緣問題會(huì)在外延后放大，所以砷化鎵襯此我們修訂了新的表面質(zhì)量要求。近邊緣區(qū)域徑向尺寸主要是要求LED外延芯片砷化鎵襯底其完整的拋光面其允許的最小徑向尺寸，主要是因?yàn)長ED外延芯片用砷化鎵襯GB/T4326《非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾本標(biāo)準(zhǔn)修訂過程中，充分調(diào)研了行業(yè)內(nèi)對太陽能電池用砷化鎵單晶及拋光片的9《太陽能電池用砷化鎵單晶》基礎(chǔ)上進(jìn)行的修訂和補(bǔ)充，僅修訂了產(chǎn)品的技術(shù)要求和無本標(biāo)準(zhǔn)修訂后