TechnicalSpecificationforMassStITAF-WG1-AS0052-V1.0. 通用集成電路卡（UICC）與終端間大容量存儲(chǔ)接口特 TAF-WG1-AS0052-V1.0.1通用集成電路卡（UICC）與終端間大容量存儲(chǔ)接口特性技術(shù)規(guī)范注：本文中，將帶有大容量存儲(chǔ)子單元的通用集成電路卡，簡(jiǎn)稱為SDUI是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GlobPlatformCardSpecificationPart1PhysicalLayerSp24.1概述1、SIM單元，通過(guò)UICC觸點(diǎn)，與內(nèi)置在終端的基帶進(jìn)行數(shù)據(jù)通2、SD單元，SD控制子單元通過(guò)MicroSD觸點(diǎn)，與內(nèi)置在終端的存儲(chǔ)管理單元進(jìn)行數(shù)據(jù)通信，通信1、SIM單元，通過(guò)UICC觸點(diǎn)，與內(nèi)置在終端的基帶進(jìn)行數(shù)據(jù)通2、SD單元，SD控制子單元通過(guò)MicroSD觸點(diǎn)，與內(nèi)置在終端的存儲(chǔ)管理單元進(jìn)行數(shù)據(jù)通信，通信注：SDUICC與終端應(yīng)支持對(duì)SDUICC2、將SDUICC置入僅支持MicroS4.3接口形式34.5觸點(diǎn)功能SDUICC和支持SDUICC的終端間的SD通信觸點(diǎn)功能，遵循MicroSD規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1MicroSDCardSpecificationsVersion2.01”中第2.1節(jié)。SDUICC和支持SDUICC的終端間的UICC通信觸點(diǎn)功能，遵循ISO/78167816規(guī)范，具體參見“Identificationcards-In45.1物理特性SDUICC的SD單元的物理特性，如靜電放電，遵循MicroSD規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1MicroSDCardSpecificationsVersion2.01”中第3.1.3節(jié)。-Part1MicroSDCardSpecificationsVersion2.01”中第3.1.4節(jié)。SDUICC的SD單元的物理特性，如紫外線和X射線，遵循GB/T16649.1-2006標(biāo)準(zhǔn)，具體參見其中第SDUICC的SD單元的電氣特性，遵循SD3.0規(guī)范，具體參見“SDSpecificationsPhysicalandlogicalcharacteB類SDUICC的SIM單元的電氣特性，除休眠功耗外，均遵循ETSITS102221標(biāo)準(zhǔn)，具體參見“UICC-Terminalinterface;Physicalandlogicalchara相較于普通SIM卡，SDUICC增加了SD控制子單元，其時(shí)鐘SBC1電源等級(jí)ClassB/C，C3時(shí)鐘處-5.3功能要求5.3.1.1概述51、卡片系統(tǒng)特征，遵循SD3.0規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1PhysicalLayer此外，本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)其中部分可選參數(shù)提出具體要求如下表5.3.2、卡片功能描述，遵循SD3.0規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1PhysicalLayer3、卡片寄存器，遵循SD3.0規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1PhysicalLayer4、卡片硬件接口，遵循SD3.0規(guī)范，具體參見“SDSpecifications-Part1PhysicalLayer此外，本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)其中部分可選參數(shù)提出具體要求，如下表565.3.2.1概述從個(gè)人、企業(yè)和國(guó)家安全角度考慮，大容量卡應(yīng)支持硬件注：從國(guó)家安全的角度考慮，可選支持國(guó)密算法，并符合國(guó)密二級(jí)6從抗外部攻擊的角度，本標(biāo)準(zhǔn)從物理安全、側(cè)信道安全和環(huán)境安全三方面規(guī)定了安全A.物理攻擊包括但不限于：B.側(cè)信道安全機(jī)制包括但不限于：B.在受到故障攻擊的情況下，SIM單75.4性能要求5.4.1.1概述5.4.1.25.4.1.2讀取速度本標(biāo)準(zhǔn)將大容量卡SD接口的讀取速度量化，如表5.44K視頻4K視頻81放入85℃環(huán)境中,連接讀卡器持續(xù)對(duì)大容量卡（含SIM單元/2/3連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1放入-25℃環(huán)境中,連接讀卡器持續(xù)對(duì)大容量卡（含SIM單元和/2/3連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單12/3整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)SIM和SD的所912/3連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1放入25℃、相對(duì)濕度95%環(huán)境中,連接讀卡器持續(xù)對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）進(jìn)行/2/3連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操溫度40℃、相對(duì)濕度93%環(huán)境下，對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）進(jìn)1放入40℃、相對(duì)濕度93%環(huán)境中,持續(xù)放2/3連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1放入35℃、鹽霧濃度3%環(huán)境中,持續(xù)放置2取出后，對(duì)卡片進(jìn)行沖洗干燥并在室溫25℃/3整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操12取出后，連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操0.1Gy的中等能量輻射（70keV至140keV，年累積劑量）環(huán)境下，對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD123取出后，連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM/接觸式靜電放電，+/-2kV和+/-4kV,150pF,331對(duì)卡片上的每一個(gè)觸點(diǎn)進(jìn)行5次+2KV的放電，在每次/2/3取出后，連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操空氣靜電放電，最高+/-15kV,11/2按順序?qū)τ|點(diǎn)面的位置(1)-(2)進(jìn)行4KV放電，每個(gè)點(diǎn)進(jìn)行4次放電/3按順序?qū)Ρ趁娴奈恢?1)-(5)進(jìn)行4KV放電，每個(gè)點(diǎn)進(jìn)行5/4分別更改電壓為-4KV、+8KV、-8KV、+15KV和-1/5/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操機(jī)器模型靜電放電，最高+/-0.2kV,200pF,1供電觸點(diǎn)接地，其他所有觸點(diǎn)逐一加載正負(fù)電壓脈沖，未測(cè)到的觸點(diǎn)/2接地觸點(diǎn)接地，其他所有觸點(diǎn)逐一加載正負(fù)電壓脈沖，未測(cè)到的觸點(diǎn)/3供電和接地懸空，其他所有觸點(diǎn)逐一加載正負(fù)電壓脈沖，未測(cè)到的觸/4取出后，連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操SpecificationVersion2.01”1在1.5米的高度對(duì)卡片的每個(gè)面進(jìn)行10次的2/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1/滿足本標(biāo)準(zhǔn)中大容量卡技術(shù)要求中的視覺(jué)檢磁場(chǎng)79500A/m環(huán)境下，對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）進(jìn)12取出后，連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操室溫25℃環(huán)境下，連接讀卡器（支持大容量卡的讀寫設(shè)備）對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）進(jìn)1在讀卡器（含手機(jī)等讀寫設(shè)備）中進(jìn)行10000次插入2取出后，連接讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1設(shè)定主機(jī)給卡片的供電電壓VDD為2.7V，設(shè)定主時(shí)DAT0的高電壓(VOH)為0.75*VDD，低電壓/2/3從卡片讀出測(cè)試文件，測(cè)量讀出時(shí)DAT0的高電壓(VIVDD+0.3VSS-0.3<VIL<4修改主機(jī)給卡片的供電電壓VDD為3.6V，然后調(diào)整VOH和/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操作均正常，且滿足測(cè)量的高低1/2/3/4/1/2），/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的所有操1根據(jù)說(shuō)明文檔，確認(rèn)大容量卡可防護(hù)的物理攻擊的/2通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證大容量卡抵抗探針監(jiān)聽、信號(hào)注入、聚焦離子束攻擊的能力/3查看是否存在信息泄露，信息包括但不限于敏感信息、密鑰、/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中不存在非法獲得或篡改敏感信息、密鑰、整個(gè)測(cè)試過(guò)程中不存在非法獲得或篡改敏感信息、密鑰、1根據(jù)說(shuō)明文檔，確認(rèn)大容量卡可防護(hù)側(cè)信道攻擊的/2/3/1類/2/3況/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中側(cè)信道安全機(jī)制有效，不存在功SDUICCSD單元的測(cè)試，應(yīng)遵循存儲(chǔ)卡的通用規(guī)范，具體參見“SJT11528-2015信息技術(shù)移動(dòng)1/整個(gè)測(cè)試過(guò)程中讀卡器對(duì)大容量卡（含SIM單元和SD單元）的