各基團的誘導效應順序為：吸電子基團：NO2>CN>F>Cl>Br>I>>OCH3>OH>C6H5>>H給電子基團：(CH3)3C>(CH3)2CH>CH3CH2>CH3>H碳正離子的穩(wěn)定性30芐基型>30烯丙型>20芐基型>20烯丙型>30>20~10芐基型~10烯丙型>10>+CH3碳自由基的穩(wěn)定性30芐基型>30烯丙型>20芐基型>20烯丙型>10芐基型~10烯丙型>30>20>10>.CH3在非質(zhì)子型溶劑中，親核性強弱順序與堿性基本相同——同一周期元素原子隨原子序數(shù)增加親核性減弱-CH>-NH>HO->F-——同種元素，帶負電荷基團的親核性強于中性基團HO->H2O；CH3O->CH3OH；-NH2>NH3；——對于含氧試劑，親核性強弱順序如下：RO->HO->ArO->RCOO->ROH>H2O——在質(zhì)子型溶劑中，同族元素一的原子隨周期數(shù)的增加親核性增加(堿性降低）。質(zhì)子性溶劑——不利于SN2反應——有利于SN1反應在第九章E2離去基團越容易離去，則反應活性越高。如：RI＞RBr＞RCl（與SN2反應相同）進攻試劑的堿性越強，則反應活性越高。如：HO﹣>CH3COO﹣（與SN2反應有所不同）反應底物中不同的烴基部分活性為：3o＞2o＞1o（與SN2反應相反）產(chǎn)生較穩(wěn)定的多取代烯除非1.F代的2.空間位阻大，大體積堿，如t-BuONa3.形成穩(wěn)定共軛結(jié)構(gòu)生成物反式為主。對環(huán)狀的要求反式共平面E1不同類型RX的相對反應活性與碳正離子穩(wěn)定性順序相同：（與SN1反應相同）3o芐基型＞3o烯丙型＞2o芐基型＞2o烯丙型＞3o＞1o芐基型~1o烯丙型~2o＞1o＞乙烯型鹵代烴的鹵素不同，進行E1反應的活性不同：RI＞RBr＞RCl＞RF（與SN1反應相同）醇的脫水反應往往在酸性條件下，先質(zhì)子化后進行，因此醇的脫水反應以E1反應為主。遵循Zaitsev’srule空間位阻大的基團處于雙鍵異側(cè)對環(huán)無需反式公平面，遵循Zaitsev’srule注意重排競爭1.E2/E1競爭對E2反應有利的因素：高濃度的強堿，非質(zhì)子型極性溶劑對E1反應有利的因素：弱堿，質(zhì)子型極性溶劑10RX——E2only20and30RX——E1andE22.E2/SN2，低級碳容易發(fā)生SN210鹵代烴易于取代，較少消去，但若進攻試劑或β碳上基團體積大則消去強堿、大體積、高溫多消去3.SN1/E1競爭，溫度越高越消去季銨堿的Hofmann消去反應CH3IAg2O加熱Cope消去反應——叔胺氧化物在加熱條件下發(fā)生的消去反應。雙鍵偏向含氫較多的β-C鄰二鹵代烴消去X2的反應，要求反式公平面消去。Zn或I-乙烯型鹵代烴消去HX的反應NaNH2KOH生成炔，低溫可阻止三鍵移向末端第十章Markovnikov’srule（馬氏規(guī)則）親電試劑（H+）加在含氫較多的碳原子但是會優(yōu)先避開強吸電子基團，因為