芯片封裝工（中級(jí)）理論考試題庫(kù)（濃縮400題）

一、單選題

1.HIC電路老煉是指（）o

A、按HIC產(chǎn)品技術(shù)要求在額定溫度和時(shí)間內(nèi)對(duì)電路通電工作的方式

B、將HIC產(chǎn)品在高溫條件下放置數(shù)小時(shí)

C、將HIC產(chǎn)品在高溫條件下加電測(cè)試

D、將HIC產(chǎn)品在高溫下工作數(shù)小時(shí)后，再放在低溫下工作數(shù)小時(shí)

答案：A

2.厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的

排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能0,從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中

更穩(wěn)定的狀態(tài)。

A、降低

B、升高

C、保持不變

答案：A

3.因生產(chǎn)安全事故受到損害的從業(yè)人員除依法享有工傷社會(huì)保險(xiǎn)外，（）。

A、有權(quán)向本單位提出賠償要求；

B、可以解除勞動(dòng)合同；

C、提出對(duì)責(zé)任人的處理要求。

答案：A

4.《安全生產(chǎn)法》規(guī)定生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位的從業(yè)人員應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格遵守本單位的（）。

A、安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程

B、勞動(dòng)紀(jì)律

C、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

答案：A

5.SMT印刷完錫膏的產(chǎn)品必須在幾小時(shí)內(nèi)完成貼裝及焊接()。

Av30min

B、2h

C、1h

D、1.5h

答案：B

6.有效復(fù)合中心的能級(jí)必靠近0o

A、禁帶中部

B、導(dǎo)帶

C、價(jià)帶

D、費(fèi)米能級(jí)

答案：A

7.氣密密封方法常用()和玻璃熔封工藝方法。非氣密密封方法通常用膠粘法和

塑封法。

A、釬焊、熔焊、平行縫焊

B、釬焊、激光焊、起聲焊

C、平行縫焊、點(diǎn)焊、激光焊

D、平行縫焊、點(diǎn)焊、超聲焊

答案：A

8.從業(yè)人員在作業(yè)過(guò)程中不應(yīng)當(dāng)0o

A、遵守安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程；

B、服從管理；

C、不怕困難，勇于犧牲；

D、正確佩戴和使用勞動(dòng)防護(hù)用品。

答案：C

9.柯伐合金用于各類(lèi)管殼材料，合金由下列組成0。

A、Fe-Co-Sn

B、Fe-Co-Ni

C、Fe-W-Cu

D、Fe-W-Sn

答案：B

10.國(guó)內(nèi)外常用的焊球材料主要分為0和()兩類(lèi)。

A、有鉛和無(wú)鉛

B、有鉛和有錫

C、有鉛和無(wú)錫

D、無(wú)鉛和有錫

答案：A

11.從金屬利用的歷史來(lái)看，先是青銅器時(shí)代，而后是鐵器時(shí)代，鋁的利用是近

百年的事。這個(gè)先后順序跟下列有關(guān)的是()。

①地殼中的金屬元素的含量；②金屬活動(dòng)性；③金屬的導(dǎo)電性；④金屬冶煉的難

易程度；⑤金屬的延展性；

A、①③

B、②⑤

C、③⑤

D、②④

答案：D

12.一般可以認(rèn)為，在溫度不很高時(shí)，能量大于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)基本上0,

而能量小于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)基本上為（），而電子占據(jù)費(fèi)米能級(jí)的概率在各種

溫度下總是（），所以費(fèi)米能級(jí)的位置比較直觀地標(biāo)志了電子占據(jù)量子態(tài)的情況，

通常就說(shuō)費(fèi)米能級(jí)標(biāo)志了電子填充能級(jí)的水平。

A、沒(méi)有被電子占據(jù)，電子所占據(jù)，1/2

B、電子所占據(jù)，沒(méi)有被電子占據(jù)，1/2

C、沒(méi)有被電子占據(jù)，電子所占據(jù)，1/3

D、電子所占據(jù)，沒(méi)有被電子占據(jù)，1/3

答案：A

13.釬焊密封工藝溫度控制包括。。

A、釬焊溫度、保溫時(shí)間和升降溫速度

B、升溫速度、保溫時(shí)間和降溫速度

C、釬焊溫度、升溫速度和降溫速度

D、預(yù)熱溫度、升溫速度和降溫速度

答案：A

14.實(shí)驗(yàn)室用氧化鈉配制50g質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%的氯化鈉溶液。下列說(shuō)法中不正確

的是()。

A、所需氯化鈉的質(zhì)量為3g

B、氯化鈉放在托盤(pán)天平的左盤(pán)稱(chēng)量

C、俯視量筒讀數(shù)會(huì)使所配溶液偏稀

D、所需玻璃儀器有燒杯、玻璃棒、量筒等

答案：C

15.塑封內(nèi)部互連用金絲是因?yàn)?)。

A、金延展性好

B、金耐腐蝕

C、金絲的耐磨性好

D、水汽首先腐蝕芯片表面的鋁層

答案：D

16.柯伐合金用于各類(lèi)管殼材料，合金由下列組成()。

A、Fe-Co—Sn

B、Fe_Co-Ni

C\Fe-Co-Cu

D、Fe-PB-Sn

答案：B

鋁具將較強(qiáng)的抗腐蝕性能，主要是因?yàn)?。?/p>

A、與氧氣在常溫下不反應(yīng)

B、鋁性質(zhì)不活潑

C、鋁表面能形成了一層致密的氧化膜

D、鋁耐酸耐堿

答案：C

18.芯片共晶焊接工藝中所用的金-鑄合金熔點(diǎn)為()。

A、320℃

B、356℃

G380℃

D、280℃

答案：B

19.金錫共晶焊料的熔點(diǎn)為()o

A、150℃

B、280'C

C、350℃

D、400℃

答案：B

20.下面情況下的材料中，室溫時(shí)功函數(shù)最大的是()。

A、含硼1X1015cm-3的畦

B、含磷1X1016cm-3的建

G含硼1X1015cm-3,磷1X1016cm-3的硅

D、純凈的硅

答案：A

21.半導(dǎo)體溫差致冷器的作用是()o

A、整流

B、致冷

C、抽真空

D、分壓

答案：B

22.()封裝不需由外殼廠進(jìn)行配套，因而工作量大為降低。

A、熔封

B、平行封焊

C、焊料焊

D、塑料

答案：D

23.球柵陣列封裝英文簡(jiǎn)稱(chēng)是()。

A、QFP

B、OIP

C、DIP

D、BGA

答案：D

24.目前航天用陶瓷封裝工藝線的凈化等級(jí)為。級(jí)。

A、千級(jí)

B、萬(wàn)級(jí)

G十萬(wàn)

D、百萬(wàn)

答案：B

25.焊料焊的（）性能比熔焊差。

A、機(jī)械沖擊

B、耐腐蝕性

C、耐鹽霧

D、耐老化

答案：A

26.低熔玻璃屬于0。

A、冷焊

B、有機(jī)樹(shù)脂封裝

C、熔焊

D、焊料焊

答案：D

27.引出端識(shí)別標(biāo)志很少采用（）。

A、凹口

B、凸點(diǎn)

C、缺角

D、文字

答案：D

28.UCGA主要焊柱8UPb203n材質(zhì)主要特點(diǎn)是（）。

A、較硬

B、較軟

C、較長(zhǎng)

D、較短

答案：A

29.改進(jìn)環(huán)焊電極度平行可以防止()。

A、熔化金屬飛濺

B、電極觸頭沾熔

C、產(chǎn)生焊料縫空隙

D、提升打火

答案：C

30.基片應(yīng)具有良好的絕緣性能，即要有高的0o

A、強(qiáng)度

B、導(dǎo)電性

C、密度

D、絕緣電阻率

答案：A

31.平行縫焊的焊輪椎頂角可影響()的大小。

A、焊接壓力和焊點(diǎn)

B、焊接速度

C、焊接電流

D、焊接溫度

答案：A

32.化學(xué)反應(yīng)速率等于逆反應(yīng)速率，意味著()o

A、化學(xué)反應(yīng)達(dá)到平衡

B、反應(yīng)進(jìn)行完全

C、正、逆反應(yīng)的熔變相等

D、反應(yīng)物濃度等于生成物濃度

答案：A

33.我司的產(chǎn)品主要由()組成。

A、控制板和外殼

B、主板和顯示板

C、變壓器和繼電器

D、主板和變壓器

答案：B

34.軍用電路生產(chǎn)線產(chǎn)品質(zhì)量要具有可追溯性，必須O.

A、填寫(xiě)流程卡，工序原始記錄

B、填寫(xiě)工作日記

C、記重要事件

D、所做工作全部記錄

答案：A

35.焊料焊時(shí)施加的壓力應(yīng)根鋸()而定。

A、焊接面積

B、焊料熔化溫度

C、金屬厚度

D、管殼種類(lèi)

答案：A

36.錫膏的保質(zhì)期為6個(gè)月，必須存儲(chǔ)存溫度()無(wú)霜的情況下。

A、0-5uC

B、W5°C

C、W10"C

D、0-10JC

答案：D

37.貯能焊封裝底座為銅材料,殼帽為4J29不能直接封焊，應(yīng)采取的措施是(C)。

A、銅鍍鏢

B、銅底座加4J29封裝環(huán)

C、先鍍銀而后鍍金

D、帽鍍鏢層加厚

答案：C

38.芯片共晶焊接工藝所用的金-錫合金熔點(diǎn)為0。

A、280'C

B、220℃

C、320℃

D、350aC

答案：A

32生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)、儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用危險(xiǎn)化學(xué)品和處置廢弁危險(xiǎn)化學(xué)品單位的。

對(duì)本單位危險(xiǎn)化學(xué)品的安全負(fù)責(zé)。

A、保衛(wèi)部門(mén)負(fù)責(zé)人

B、安全部門(mén)負(fù)責(zé)人

C、主要負(fù)責(zé)人

D、生產(chǎn)部門(mén)負(fù)責(zé)人

答案：C

40.由于平行縫焊的焊縫在外殼邊緣，被熔焊的區(qū)域很小，屬局部加熱，因此對(duì)

芯片的（）小。

A、熱沖擊

B、機(jī)械沖擊

C、影響

答案：A

41.經(jīng)過(guò)室溫靜置的濕膜，即可進(jìn)行干燥。干燥的目的是（）。

A、使?jié){料中易揮發(fā)的有機(jī)溶劑蒸發(fā)掉

B、使印刷好的漿料膜硬化

C、使圖形固定

D、便于移動(dòng)

答案：A

42.如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。

A、施主

B、復(fù)合中心

C、陷阱

D、兩性雜質(zhì)

答案：D

43.使用顯微鏡時(shí)，。。

A、應(yīng)用小倍數(shù)鏡頭開(kāi)始調(diào)整，然后換成大倍數(shù)鏡頭

B、直接用大倍數(shù)鏡頭觀察

C、應(yīng)用大倍數(shù)鏡頭開(kāi)始調(diào)整，然后換成小倍數(shù)鏡頭

D、無(wú)所謂大小倍數(shù)鏡頭的調(diào)整

答案：A

44.某電路的內(nèi)腔高度0.91mm,按照GJB548B2020.1條件APIND條件是（）。

A、加速度20g,頻率130Hz

B、加速度10g,頻率130Hz

C、加速度20g,頻率120Hz

D、加速度10g,頻率120Hz

答案：A

45.在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）。

A、焊接電流、焊接電壓和電極壓力

B、焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力

C、焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)間

D、焊接電流、焊接溫度和焊接時(shí)間

答案：B

46.任何單位或個(gè)人對(duì)事故隱患或者安全生產(chǎn)違法行為，（）。

A、均將權(quán)向負(fù)有安全生產(chǎn)監(jiān)督管理職責(zé)的部門(mén)報(bào)告或舉報(bào)；

B、只能向其所在單位的安全管理部門(mén)報(bào)告；

C、不能匿名舉報(bào)。

答案：A

47.一個(gè)阻值為25Q的電阻，允許加的最高電壓為5V,則其額定功率為（B）。

A、10W

B、2.0W

C、1.0W

D、0.5W

答案：B

48.陶瓷封裝一般采用（）工藝制造，用90%~95舟氧化鋁陶瓷做絕緣，有黑色和

白色陶瓷之分。

A、共燒多層陶瓷

B、陶瓷

C、金屬化

答案：A

49.《中華人民共和國(guó)安全生產(chǎn)法》自O(shè)起施行。

A、2002年9月1日

B、2002年10月1日

C、2002年11月1日

D、2002年12月1日

答案：C

50.封裝管殼的任意兩引線間的絕緣電阻應(yīng)（）。

A、大于1X109Q

B、小于1X109Q

G大于1X1010Q

D、小于1X1010Q

答案：C

51.防靜電手鐲和地線之間應(yīng)該()。

A、導(dǎo)通

B、有一個(gè)10。左右的電阻

C、有一個(gè)1M。電阻

D、有一個(gè)10M。左右的電阻

答案：C

52.集成電路的絲網(wǎng)印刷中圖像是微型的，要求印刷精度高，所以印刷機(jī)、印版、

承印物(基板)、漿料等都需要高精度的，印刷場(chǎng)所也一定要保持恒溫，并清除

()o

A、閑雜人員

B、塵埃

C、不用的設(shè)備

答案：B

53.細(xì)檢漏使用()氣體施加壓力。

As氧氣

B、氨氣

C、貳氣

D、氮?dú)?/p>

答案：B

54.重空穴是指。。

A、質(zhì)量較大的原子組成的半導(dǎo)體中的空穴

B、價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴

C、價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴

D、自旋一軌道耦合分裂出來(lái)的能帶上的空穴

答案：C

55.粗檢漏使用。氣體施加壓力。

A、氧氣

B、氨氣

G氧氣

D、氮?dú)?/p>

答案：D

56.表面粗糙度中，Ra的單位為()

A、米

B、亳米

C、微米

D、厘米

答案：C

57.下列關(guān)于Na和Na+的敘述中，錯(cuò)誤的是()。

A、具將相同的質(zhì)子數(shù)

B、它們的化學(xué)性質(zhì)相似

C、鈉離子是鈉原子的氧化產(chǎn)物

D、灼燒時(shí)火焰都呈黃色

答案：B

58.全密封金屬外殼封裝時(shí)，（）封裝形式對(duì)外殼的表面條件要求最高。

A、激光焊

B、釬焊

C、玻璃熔封

D、貯能焊

答案：A

59.X射線照相時(shí)，應(yīng)采用（）放大倍數(shù)觀察X射線照片。

A、2-8倍

B、4-20倍

G6-25fg

D、8-30倍

答案：C

60.密封外殼腔體內(nèi)部水分是引起器件腐蝕失效的。，

A、一個(gè)原因

B、主要原因

C、次要原因

D、必然原因

答案：B

61.共晶粘片時(shí)，焊料尺寸應(yīng)該是芯片尺寸的0左右。

A、100%

B、80%

C、60%

D、50%

答案：B

62.滴定管正確的讀數(shù)方法是從水平方向讀取彎月面的()數(shù)值。

A、最高點(diǎn)

B、最低點(diǎn)

C、平均

D、加權(quán)

答案：B

63.我司SMT工序的的溫濕度要求分別是()。

A、22±3℃.30-65%

B、25±3℃.45-65%

C、25±3℃.40-60%

D、26±3℃.40-70%

答案：C

64.模塑料預(yù)熱，一般采用高頻加熱方式，預(yù)熱溫度為0,預(yù)熱后的模塑料應(yīng)

迅速放入模具中。

A、60~65℃

B、/0~/5℃

C、90~105℃

答案：B

65.0是會(huì)破壞部分或全部封裝的密封微電子封裝的缺陷和失效分析方法。

A、破壞性評(píng)價(jià)

B、兩者均可

C、非破壞性評(píng)價(jià)

D、兩者都不是

答案：C

66.超聲鍵合對(duì)鍵合表面清潔度要求()。

A、較高

B、較低

C、不要求

D、目檢合格

答案：A

67,功率電路散熱底座上的螺孔是為了()。

A、以便外接散熱器

B、節(jié)省材料

C、美觀

D、加強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度

答案：A

68.軍用混合微電路生產(chǎn)線產(chǎn)品質(zhì)量要具有可追溯性，必須()。

A、填寫(xiě)流程卡

B、填寫(xiě)工序原始記錄表

C、填寫(xiě)工作日記

D、A和B

答案：D

69.集成電路組裝工序大體是()。

A、中測(cè)一劃片一鍵合一交裝一成品測(cè)試

B、劃片一中測(cè)一鍵合一蕓裝一成品測(cè)試

C、劃片一鍵合一封裝一中測(cè)一成品測(cè)試

D、中測(cè)一劃片一粘片一鍵合一封裝一成品測(cè)試

答案：D

70.決定原子軌道的形狀，并在多電子原子中與主量子數(shù)n共同決定軌道能級(jí)的

量子數(shù)為：0o

A、I

B、m

C、s

D、I和m

答案：A

71.平行縫焊蓋板的基材通常是()o

A、銅合金

B、鋁合金

C、金

D、可伐合金

答案：D

72.用滴管把液體樹(shù)脂滴涂到鍵合后的芯片上，經(jīng)加熱固化成型，此方法稱(chēng)()。

A、澆鑄法

B、遞模成型法

C、填充法

D、滴涂法

答案：D

73.半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是良好的電性能，外殼應(yīng)

有小的（A）,使器件的電特性得到有效發(fā)揮。

A、寄生參數(shù)

B、電參數(shù)

C、結(jié)構(gòu)參數(shù)

答案：A

74.芯片共晶焊接工藝中所用的金-硅合金的熔點(diǎn)是0。

A、183℃

B、221℃

C、370'C

D、397℃

答案：C

75.超聲鍵合的尾絲不能超過(guò)鋁絲直徑的0。

A、一倍

B、兩倍

G三倍

D、三倍半

答案：B

76.錫膏攪拌的目的是0。

A、使金屬顆粒與助焊劑充分混合

B、使氣泡揮發(fā)

C、提高黏稠性

D、將金屬顆粒磨細(xì)

答案：A

77.電對(duì)人體的傷害種類(lèi)是（）。

Av電擊

B、電弧灼傷

C、電傷

D、A+C

答案：D

78.粗檢漏壓完后將電路放進(jìn)（）中進(jìn)行檢漏。

A、丙酮

B、氟油

C、酒精

D、去離子水

答案：B

少對(duì)于一定的n型半導(dǎo)體材料，溫度一定時(shí)，減少摻雜濃度，將導(dǎo)致?？拷?/p>

Eio

A、EC

B、Ev

C、Eg

D、EF

答案：D

80.以下哪種不是芯片鍵合技術(shù)？()

AxWB

B、TAB

C、ILB

D、FCB

答案：C

81.平行縫焊的焊接速度與焊點(diǎn)直徑成正比，而焊點(diǎn)直徑又與焊接電流大小有關(guān),

因此焊接速度可隨()的不同加以選擇。

A、蓋板材料

B、蓋板尺寸

C、焊接電流

D、蓋板硬度

答案：C

82.共晶粘片時(shí)，通常采用的保護(hù)氣體是()。

A、N2

B、氨氣

C、H2

D、96%N2+4%H2

答案：A

83,與平行封焊的焊接速度無(wú)關(guān)的是0。

A、電極直徑

B、電流大小

C、脈沖寬度

D、脈沖頻率

答案：A

84.封電路蓋板焊料環(huán)使用材料通常是。。

A、錫鋤合金

B、錫銀銅合金

C、金錫合金

D、鐵銀合金

答案：C

85.鏈?zhǔn)饺鄯鉅t通常是在氣氛下進(jìn)行封帽()。

A、氧氣

B、氨氣

G氫氣

D、氮?dú)?/p>

答案：D

86.三氧化二格是一種()。

A、脫模劑

B、著色劑

C、固化劑

D、填充劑

答案：B

87.用紙盒包裝電路必須使用()紙。

A、酸性

B、中性

C、堿性

D、非中性

答案：B

88.目前使用的錫膏每瓶重量()。

A、500g

B、250g

C、800g

D、1000g

答案：A

89.氨氣是一種()氣體。

A、還原性

B、氧化性

C、惰性

D、可燃

答案：C

90.塑封料中包含離子污染物，包括來(lái)自用于樹(shù)脂環(huán)氧化過(guò)程中的環(huán)氧氯丙烷中

的().作為阻燃劑添加入樹(shù)脂的()。

A、氯離子，澳離子

B、碘離子，氯離子

C、漠離子，氯離子

D、鐵離子，碘離子

答案：A

91.要改變可逆反應(yīng)A+B=C+D的標(biāo)準(zhǔn)平衡常數(shù)，可以采取的措施是()。

A、改變系統(tǒng)的總壓力

B、加入催化劑

C、改變A/B/C/D的濃度

D、升高或降低溫度

答案：D

92.在突緣電阻焊中，模具結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)遵循原則之一是俁證外殼管帽與底座()。

A、連接

B、緊密接觸

C、同心

答案：C

93.產(chǎn)品質(zhì)量是()。

A、是設(shè)計(jì)出來(lái)的

B、是制造出來(lái)的

C、是檢驗(yàn)出來(lái)的

D、是多種因素的綜合反應(yīng)

答案：D

94.及時(shí)將芯片工作所產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，可以保證電路的性能和()o

A、可靠性

B、作用

C、安全性

D、連通

答案：A

95.在二極管特性的正向?qū)▍^(qū)，二極管相當(dāng)于()。

A、大電阻

B、接通的開(kāi)關(guān)

C、斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)

答案：B

96.圓片減薄是對(duì)圓片進(jìn)行()減薄。

A、正面

B、背面

C、側(cè)面

D、邊緣

答案：B

.在晶體硅中摻入元素0雜質(zhì)后，能形成N型半導(dǎo)體。

A、楮

B、磷

C、硼

D、錫

答案：B

98.()是一種性能優(yōu)良的熱沉材料。

A、陶瓷

B、晶體硅

C、碳化硅鋁

D、水銀

答案：C

99.倒裝焊產(chǎn)品還具有優(yōu)越的電學(xué)和()性能。

A、熱學(xué)

B、能量學(xué)

C、光學(xué)

D、鑲嵌學(xué)

答案：A

100.氮?dú)馐且环N()氣體。

A、還原性

B、氧化性

C、惰性

D、可燃

答案：C

101.三極管的ICE0大，說(shuō)明其()o

A、工作電流大

B、擊穿電壓高

C、壽命長(zhǎng)

D、熱穩(wěn)定性差

答案：D

102.半導(dǎo)體中的自由電子加空穴的數(shù)目相等，這樣的半導(dǎo)體稱(chēng)為()。

A、P型半導(dǎo)體

B、N型半導(dǎo)體

C、本征半導(dǎo)體

D、P型和N型摻雜濃度相等的半導(dǎo)體

答案：C

103.碳化硅鋁有()不易變形和質(zhì)量輕的優(yōu)點(diǎn)。

A、密度大

B、密度小

C、堅(jiān)硬

D、柔軟

答案：B

104.穩(wěn)壓管()o

A、是二極管

B、不是二極管

C、是特殊二極管

答案：C

105.大部分環(huán)氧塑封料需要在170?175℃之間進(jìn)行()的后固化工藝以實(shí)現(xiàn)完全

固化。

A、4?8h

B、8?12h

C、1?4h

D、12?24h

答案：C

106.()結(jié)構(gòu)是目前國(guó)內(nèi)外光電外殼最通用的封裝結(jié)構(gòu)形式。

A、陶瓷熔封

B、塑封

C、陶瓷平封

D、陶瓷扁平封裝

答案：A

107.金屬陶瓷封裝一般采用()制造，用90曠95%氧化鋁陶瓷作絕緣，氧化被陶

姿做導(dǎo)熱，金屬作底盤(pán)和引線.

A、多層共燒陶瓷工藝、氧化鍍金屬化工藝和釬焊工藝

B、多層共燒陶瓷工藝

C、釬焊工藝

答案：A

108.產(chǎn)品質(zhì)量0。

A、是設(shè)計(jì)出來(lái)的

B、是制造出來(lái)的

C、是檢驗(yàn)出來(lái)的

D、是多種質(zhì)量因素的綜合反應(yīng)

答案：D

109.常用的電阻焊有電焊、突緣電阻焊和。。

A、平行縫焊

B、四邊焊

C、平行焊

D、焊料焊

答案：A

110.熱壓焊只能用()。

A、金絲

B、鋁絲

C、硅鋁絲

D、銅絲

答案：A

111.塑封料與芯片間的應(yīng)力隨芯片面積的增大而()o

A、增大

B、減小

C、不變

D、變化但是不定性

答案：A

112.網(wǎng)印刮板材料，目前最常用的刮板材料是()o

A、不銹鋼

B、尼龍

C、聚氨基甲酸脂

答案：c

113.將鐵的化合物溶于鹽酸，滴加KSCN溶液不發(fā)生顏色變化，再加入適量氯水,

溶液立即呈紅色的是()。

A、Fe203

B、FeCI3

GFe2(S04)3

D、FeO

答案：D

114.底部填充膠可以有效緩解芯片和基板的0。

A、結(jié)合力大小

B、熱膨脹系數(shù)

C、熱失配

D、熱疲勞壽命

答案：C

115.產(chǎn)品質(zhì)量的好壞包含0。

A、技術(shù)性能指標(biāo)

B、可靠性指標(biāo)

C、經(jīng)濟(jì)指標(biāo)

D、A.B?OC

答案：D

116.平行封焊的圓錐形電極最好使用()o

A、鴇銅

B、黃銅

C、紫銅

D、合金鋼

答案：A

117.MOS場(chǎng)效應(yīng)器件是利用半導(dǎo)體表面的。來(lái)工作的。

A、積累層

B、耗盡層

C、反型層

答案：C

118.封帽完成的電路在()設(shè)備下檢測(cè)空洞是否合格。

A、金相顯微鏡

B、掃描電鏡

C、X射線

D、體視顯微鏡

答案：C

119.膠封工藝流程如下：

器具、工件清洗T稱(chēng)量配股T攪拌T排氣T()T。T()T檢驗(yàn)。

A、涂膠固化膠粘

B、涂膠粘合固化

C、粘合涂膠固化

D、涂膠固化粘合

答案：B

120.如在半導(dǎo)體中以長(zhǎng)聲學(xué)波為主要散射機(jī)構(gòu)是，電子的遷移率n與溫度的（）。

A、平方成正比

B、2/3次方成反比

C、平方成反比

D、2/3次方成正比

答案：B

121.影響平行封焊質(zhì)量的主要因素是（）。

A、焊接電流、焊接速度、電極錐度和直徑

B、焊接電流與環(huán)境條件

C、個(gè)人因素與管殼材料

D、機(jī)器性能

答案：A

122.按照焊膏的合金成分分類(lèi)，焊膏材料主要分為有鉛焊膏和（）兩種

A、無(wú)鉛焊膏

B、有錫焊膏

C、無(wú)錫焊者

D、白銅焊言

答案：A

123.在空氣不流通的狹小地方使用二氧化碳滅火器可能造成的危險(xiǎn)是（）。

A、中毒

B、缺氧

C、爆炸

D、火災(zāi)

答案：B

124.倒裝焊球的直徑大致在()范圍內(nèi)。

A、100^150um

B、50~300|1m

C、80~300um

D、80^150um

答案：C

125.環(huán)焊時(shí)提高充電電壓可以()。

A、增強(qiáng)焊接強(qiáng)度

B、防止金屬飛濺

C、防止表面污點(diǎn)

D、防止觸頭沾熔

答案：A

126.環(huán)焊前應(yīng)用()打磨電極。

A、水砂紙

B、粗砂紙

G鋰刀

D、紗布

答案：A

127.硅導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)為()o

A、位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿＜100＞方向的6個(gè)球形等能面

B、一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿＜111＞方向的6個(gè)球形等能面

C、一半位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿＜111＞方向的8個(gè)橢球等能面

D、位于第一布里淵區(qū)內(nèi)沿＜100＞方向的6個(gè)橢球等能面

答案：D

128.混合集成電路金屬封裝有()、淺腔型、扁平型和圓型

A、平板型

B、平面型

C、底盤(pán)型

答案：A

129.在阻值調(diào)整后，還應(yīng)進(jìn)行直流負(fù)荷試驗(yàn)。即在電阻上加相當(dāng)于()額定功率

的直流電壓，負(fù)荷時(shí)間為5s。但對(duì)阻值低于200。的電阻，不進(jìn)行此項(xiàng)試驗(yàn)。

A、1倍以下

B、2?5倍

C、10?100倍

D、1000倍左右

答案：B

130.為了將物體的外部形狀表達(dá)清楚，一般采用()個(gè)視圖來(lái)表達(dá)。

A、二

B、三

C、四

D、五

答案：A

131.CCGA主要焊柱90Pb1OSn材質(zhì)主要特點(diǎn)是()。

A、較硬

B、較軟

C、較長(zhǎng)

D、較短

答案：B

132.以下哪種不是氣密性封裝的主要材料？()。

A、金屬

B、陶瓷

C、玻璃

D、碳化硅

答案：D

133.環(huán)焊電極度提升時(shí)打火，應(yīng)()。

A、提高電壓

B、降低電壓

C、改進(jìn)電極度形狀

D、調(diào)整放電時(shí)間

答案：D

134.氨質(zhì)譜檢漏工藝步驟如下：（1）將器件置于壓力箱中并抽低真空；（2）給

壓力箱充（）并保持一段時(shí)間；（3）取出器件將表面吸附的氨氣體吹掉。

Ax氨氣

B、氧氣

C、氮?dú)?/p>

D、氫氣

答案：A

135.外部互聯(lián)主要由最早的（）方式發(fā)展到目前的表面粘裝方式。

A、鑲嵌

B、粘接

C、插裝

D、封裝

答案：D

136.熱壓鍵合法的機(jī)理是0。

A、低溫?cái)U(kuò)散

B、塑性流動(dòng)

C、低溫?cái)U(kuò)散和塑性流動(dòng)結(jié)合

D、機(jī)械壓力

答案：C

13/.關(guān)鍵過(guò)程是。。

A、形成關(guān)鍵特性的主要過(guò)程

B、指對(duì)形成產(chǎn)品質(zhì)量起決定性作用的過(guò)程

C、指關(guān)鍵工序的所有過(guò)程

D、指生產(chǎn)過(guò)程中的銜接環(huán)節(jié)

答案：B

138.金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸的一種方式是使半導(dǎo)體的參雜濃度大于()。

Ax1015cm3

B、1017cm3

C、1019cm3

D、1021cm3

答案：C

139.一塊半導(dǎo)體壽命T=15口s,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停

止30Hs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的。。

A、1/4

Bx1/e

C、1/e2

D、1/2

答案：C

140.陶瓷扁平封裝代號(hào)是()。

A、W

B、P

C、卜

D、K

答案：C

141.對(duì)大注入條件下，在一定的溫度下，非平衡載流子的壽命與。。

A、平衡載流子濃度成正比

B、非平衡載流子濃度成正比

C、平衡載流子濃度成反比

D、非平衡載流子濃度成反比

答案：D

142.一般來(lái)說(shuō)，集成電路的散熱方式以()為主。

A、輻射

B、對(duì)流

C、傳導(dǎo)

D、對(duì)流和輻射

答案：A

143.實(shí)驗(yàn)室用氯化鈉固體配制100g溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8%的氯化鈉溶液，下列說(shuō)法

錯(cuò)誤的是0O

A、實(shí)驗(yàn)的步驟為計(jì)算、稱(chēng)量、量取、溶解

B、量取水時(shí)，用規(guī)格為100mL的量筒

C、若用量筒量取水時(shí)俯視凹液面的最低處，則配制溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)小于8%

D、溶解過(guò)程中玻璃棒攪拌的作用是加快氯化鈉的溶解

答案：C

144.鋁絲超聲焊的尾絲不能起過(guò)鋁絲直徑的()。

A^一倍

B、兩倍

C、三倍

D、四倍

答案：B

145.CMOS電路組裝中禁止的是0。

A、穿防靜電工作服

B、帶防靜電手鐲

C、用防靜電周轉(zhuǎn)箱

D、用塑料板鋪設(shè)工作臺(tái)

答案：D

146.環(huán)焊時(shí)壓力與被焊部位電阻的關(guān)系是()。

A、壓力大、電阻大

B、壓力大、電阻小

C、壓力大、電阻不變

D、壓力小、電阻小

答案：B

147.一個(gè)阻值為100。的電阻，允許加最高電壓為10V,則其額定功率為()。

A、10W

B、1W

C、0.1W

D、2W

答案：B

148.在塑封工藝中，為完全固化大部分環(huán)氧模塑料，需要在()的后固化。

A、170~175℃、進(jìn)行4小時(shí)

B、175~180℃、進(jìn)行2小時(shí)

G160~170℃、進(jìn)行6小時(shí)

答案：A

149.《安全生產(chǎn)法》規(guī)定，生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位不得使用國(guó)家明令淘汰、什么？0o

A、工藝，設(shè)備

B、工具

C、原材料

D、設(shè)備

答案：A

150.扁平封裝結(jié)構(gòu)的最大厚度為()。

A、2.0mm

B、2.1mm

C、4mm

D、4.2mm

答案：B

判斷題

1.封裝時(shí)，材料的機(jī)械特性、熱膨脹系數(shù)尤其重要。0

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

2.BGA是四方扁平引線封裝封裝的簡(jiǎn)稱(chēng)。()

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

3.非離子性污染物是不會(huì)被電離為離子的一類(lèi)物質(zhì)。0

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

4.因生產(chǎn)安全事故受到損害的從業(yè)人員，向本單位提出賠償要求，可以在依法享

有工傷社會(huì)保險(xiǎn)或者依照有關(guān)民事法律獲得賠償兩者之間任選一種。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

5.光學(xué)顯微鏡可以檢測(cè)封帽空洞。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

6.在Si中摻入P,則引入的雜質(zhì)能級(jí)靠近導(dǎo)帶底。0

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

7.最終密封前檢驗(yàn)應(yīng)保證在前面各次檢驗(yàn)后的后續(xù)處理中產(chǎn)生的缺陷，能在封裝

前檢驗(yàn)中被發(fā)現(xiàn)和拒收。O

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

8.印制板的質(zhì)量對(duì)電子產(chǎn)品的性能和可靠性有重要影響。。

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

9.環(huán)氧樹(shù)脂的缺點(diǎn)是：（1）不適合高溫下工作；（2）高頻性能和耐濕性差。（）

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

10.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位發(fā)生生產(chǎn)安全事故造成人員傷亡、他人財(cái)產(chǎn)損失的，應(yīng)當(dāng)依法

承擔(dān)賠償責(zé)任;拒不承擔(dān)或者其負(fù)責(zé)人逃匿的，由公安部門(mén)依法強(qiáng)制執(zhí)行。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

11.平行封焊的電流大小僅與封接溫度有關(guān)。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

12.通常認(rèn)為。m以下厚度的膜為薄膜，以上者為厚膜。（）

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

13.封裝時(shí)材料的機(jī)械特性與膨脹系數(shù)尤其重要。()

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

14.細(xì)檢漏技術(shù)通常采用示蹤氣體檢漏法。()

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

15.封蓋后的產(chǎn)品外觀不須再檢驗(yàn)。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

16.塑封材料的發(fā)展方向是高純度、低應(yīng)力、低a射線0()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

1/?固化性能，即獲得固化所需溫度和時(shí)間，還包括固化后需有一定粘接強(qiáng)度和

盡可能小的收縮率，以減少應(yīng)力產(chǎn)生。另外固化時(shí)不應(yīng)有氣體放出，避免產(chǎn)生針

孔。()

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

18.特大安全事故發(fā)生后，對(duì)調(diào)查組提出的調(diào)查報(bào)告，省、自治區(qū)、直轄市人民

政府應(yīng)當(dāng)自調(diào)查之日起30日內(nèi)，對(duì)有關(guān)責(zé)任人員作出處理決定。（）

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

19.銀漿燒結(jié)是一種流傳較廣的方法，它適用于大功率晶體管。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

20.靜電中和：用離子風(fēng)吹向帶靜電表面，達(dá)到靜電荷中和的目的。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

21.設(shè)備清洗，根據(jù)不同的清洗機(jī)里又分為汽相清洗，水清洗等離子清洗超聲波

清洗等方法。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

22.密封外殼腔體內(nèi)部水分是引起器件腐蝕失效的主要原因。（）

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

23.在數(shù)字電路中，高、低電平是指一定的電壓范圍，而不是一個(gè)不變的數(shù)值。

()

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

24.鍵合引線所用的金絲，化學(xué)穩(wěn)定性不好，易腐蝕。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

25.職業(yè)健康檢查應(yīng)當(dāng)由縣級(jí)以上人民政府衛(wèi)生行政部門(mén)批準(zhǔn)的醫(yī)療衛(wèi)生機(jī)構(gòu)承

擔(dān)。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

26.在組裝壓焊過(guò)程中，防靜電措施有設(shè)備接地，操作人員要穿防靜電工作服，

要戴防靜電手鐲。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

27.在三相電路中，Y形連接負(fù)載的相電流等于線電流。0

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

28.按封裝材料的不同，集成電路封裝可以分為玻璃封裝、金屬封裝、陶瓷封裝、

塑料封裝。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

29.芯片粘接強(qiáng)度的大小與芯片粘接面積有關(guān)。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

30.顆粒狀污染物一般采用機(jī)械方法，如強(qiáng)力噴射，洗刷等方法即可清除。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

31.低熔玻璃的封接溫度僅由玻璃的組成決定。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

32.金一鋁鍵合系統(tǒng)的缺點(diǎn)是在高溫下容易形成金一鋁間的化合物，使鍵合強(qiáng)度

不高，造成鍵合質(zhì)量下降，長(zhǎng)時(shí)間以后易脫焊失效。0

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

33.場(chǎng)效應(yīng)晶體管是靠少數(shù)載流子來(lái)工作的。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

34.為評(píng)價(jià)分析產(chǎn)品的可靠性而進(jìn)行的試驗(yàn)，叫做可靠性試驗(yàn)。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

35.在三相電路中，△形連接負(fù)載的相電流等于線電流c0

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

36.在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加c()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

37.平行封焊封裝的電路滾輪壓過(guò)的邊部不易銹蝕。()

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

38.塑料封裝被稱(chēng)為非氣密封裝。0

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

39.表面涂敷工藝是指在芯片壓焊內(nèi)引線之后，在其表面涂敷一層黏度適中的保

護(hù)膠，并牢固地緊貼在芯片表面上的工藝。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

40.航天電子產(chǎn)品的清洗方法可以分為手工清洗和設(shè)備清洗兩大類(lèi)。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

41.粗檢漏壓完后將電路放進(jìn)酒精中進(jìn)行檢漏。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

42.用電器銘牌上的標(biāo)稱(chēng)的電壓，電流值是指交流電的峰值。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

43.若用環(huán)氧貼裝方法，將全部芯片先貼裝在基板上,然后將基板安裝在外殼上。

()

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

44.DIP塑料封裝引線節(jié)距為2.54mm。()

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

45.電子是帶正電的粒子。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

46.小于二千伏的靜電人體是有感覺(jué)的。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

4/.施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供空穴。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

48.平行封焊的每個(gè)焊點(diǎn)間重疊量為三分之一到二分之一為佳。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

49.超聲鍵合可以焊接粗細(xì)不等的鋁絲鋁帶和金絲金帶,而熱壓焊接只能鍵合細(xì)

金絲。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

50.化鍍銀比電鍍銀的熔點(diǎn)低。（）

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

51.半水清洗是利用仝自動(dòng)清洗機(jī)先進(jìn)行溶劑清洗，然后不使用去離子水進(jìn)行漂

洗的過(guò)程。O

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

52.氣體平均自由程與氣體的壓強(qiáng)成正比關(guān)系。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

53.晶體三極管具有兩個(gè)PN結(jié)，二極管具有一個(gè)PN結(jié)，因此可以把兩個(gè)二極管

反向連接起來(lái)當(dāng)作一只晶體三極管使用。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

54.可用萬(wàn)用表測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管的管腳。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

55.做PIND時(shí)，以腔體體積作為實(shí)驗(yàn)條件的選取依據(jù)。（）

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

56.在混合集成電路終極版起著承載厚膜元件互聯(lián)以及外貼元件等作用，在大功

率電路中，還有散熱的作用。O

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

5/.多余物是指生產(chǎn)過(guò)程中或生產(chǎn)完成后，由外部進(jìn)入或內(nèi)部產(chǎn)生的與產(chǎn)品設(shè)計(jì)

圖樣，技術(shù)條件無(wú)關(guān)的物質(zhì)。O

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

58.掃頻振動(dòng)的目的是測(cè)定在規(guī)定頻率范圍內(nèi)，振動(dòng)對(duì)器件的影響。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

59.平行縫焊蓋板的基材為金錫合金。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

60.電子是帶負(fù)電的粒子。0

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

61.平行縫焊過(guò)程中發(fā)生“打火”會(huì)嚴(yán)重影響密封質(zhì)量、()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

62.國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的安全色有紅、藍(lán)、黃、綠四種顏色°()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

63.集成電路封裝使用的塑粉從冷庫(kù)取出后直接可以使用。()

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

64.若上工序流到外檢產(chǎn)品數(shù)量與流程卡上的數(shù)量不附，可以自己重新核對(duì)，填

上實(shí)際數(shù)量檢驗(yàn)后入庫(kù)。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

65.非晶玻璃系較少應(yīng)用于實(shí)際工程中。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

66.高溫共燒陶瓷基板具有結(jié)構(gòu)高強(qiáng)度熱導(dǎo)效率高，化學(xué)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

67.場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

68.基板貼裝工藝分為合金焊料焊接和膠粘工藝兩種。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

69.晶體二極管因所加反向電壓大而擊穿燒毀的現(xiàn)象稱(chēng)為熱擊穿。＜

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

70.塑封樹(shù)脂料保管的技術(shù)條件是干燥、無(wú)污染、低溫1?5(。0

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

71.用乙醇或丙酮清洗用具時(shí)，可以在電爐上直接加熱,()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

72.在動(dòng)力電源線中，中線可以作為地線。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

/3.塑封是典型的氣密性封裝。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

74.場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化c()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

75.生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)、儲(chǔ)存、使用危險(xiǎn)物品的車(chē)間、倉(cāng)庫(kù)不得與員工宿舍在同一座建

筑物內(nèi)，并應(yīng)當(dāng)與員工宿舍保持安全距離。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

76.平行封焊產(chǎn)品的質(zhì)量只與工藝參數(shù)有關(guān)。0

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

77.剪切強(qiáng)度屬于非破壞性試驗(yàn).()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

78.靜電手腕帶的測(cè)試：被測(cè)人雙腳踏地，雙手離開(kāi)操作臺(tái)，身體不能與操作臺(tái)

相接觸。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

79.印制電路或印制線路成品板統(tǒng)稱(chēng)為印制板。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

80.根據(jù)《安全生產(chǎn)法》規(guī)定從業(yè)人員在作業(yè)過(guò)程中，應(yīng)當(dāng)服從管理，所以對(duì)違

章指揮仍要服從。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

81.接地線：每個(gè)接點(diǎn)應(yīng)牢固焊接，可與電源的地線共用。0

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

82.檢漏技術(shù)分細(xì)檢漏和粗檢漏。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

83.氧化鋁可以作為陶瓷外殼的材料。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

84.銀漿燒結(jié)是一種流傳較廣的方法，它適用于大功率晶體管。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

85.平行縫焊包括直焊和圓焊兩種焊法。0

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

86.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴！?/p>

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

87.厚膜介質(zhì)材料主要是以簡(jiǎn)單的交疊結(jié)構(gòu)或以復(fù)雜的多層結(jié)構(gòu)用作導(dǎo)體間的絕

緣體。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

88.內(nèi)部目檢和封裝之前的時(shí)間間隔里，器件應(yīng)貯存在受控的環(huán)境內(nèi)，對(duì)H級(jí)受

控環(huán)境，相對(duì)濕度應(yīng)小于等于65%,潔凈度為1000級(jí)，檢驗(yàn)和準(zhǔn)備環(huán)境，相對(duì)

濕度小于等于65%,潔凈度IO萬(wàn)級(jí)。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

89.可伐合金材料的線膨脹系數(shù)與陶瓷、玻璃的較接近c(diǎn)()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

90.當(dāng)一塊半導(dǎo)體中的一部分是P型,P型區(qū)與N型區(qū)界面附近的區(qū)域叫做PN結(jié)。

()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

91.觸電分為電傷和電擊兩大類(lèi)。。

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

92.超聲波清洗，通過(guò)超聲波的空化作用，對(duì)物體表面上的污物進(jìn)行撞擊剝離，

以達(dá)到清洗的目的。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

93.厚膜和薄膜的混合集成電路的組裝順序?qū)⑺町?。?/p>

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

94.內(nèi)部水汽含量試驗(yàn)?zāi)康氖菧y(cè)定金屬或陶瓷器件內(nèi)部氣體中的水汽含量。0

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

95.為了使軍用產(chǎn)品在批生產(chǎn)過(guò)程中質(zhì)量穩(wěn)定、處于高可靠性、高成品率受控狀

態(tài)，維持良好的生產(chǎn)過(guò)程，必須加強(qiáng)混合集成電路工藝環(huán)境清潔度、環(huán)境控制、

貯存環(huán)境和暴露時(shí)間的控制。0

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

96.電源電動(dòng)勢(shì)的方向是由電源的正極到電源負(fù)極。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

97.產(chǎn)品質(zhì)量是多種質(zhì)量因素的綜合反應(yīng)。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

V8.防靜電接地和電源保護(hù)接地是一回事。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

99.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位的主要負(fù)責(zé)人對(duì)本單位的安全生產(chǎn)工作負(fù)領(lǐng)導(dǎo)責(zé)任。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

100.化學(xué)試劑用做清洗時(shí)，對(duì)純度沒(méi)有什么要求。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

101.場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力不能像晶體管一樣，用電流放大系數(shù)表示，而是用動(dòng)態(tài)

跨導(dǎo)gm表示的。。

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

102.若某些原件是用焊料焊接，而其他元件使用膠粘工藝時(shí)，溫度較高的焊料貼

裝應(yīng)該先進(jìn)行加工。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

103.晶體二極管的反向電壓上升到一定值時(shí)，反向電流劇增，二極管被擊穿，就

不能再使用了。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

104.普通的LED所能承受的靜電電壓是500-1OOOVo0

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

105.高溫貯存和功率老化都是環(huán)境應(yīng)力篩選。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

106.凡是普通三極管可以使用的場(chǎng)合，原則上也可使用場(chǎng)效應(yīng)器件。()

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

107.可靠性是產(chǎn)品在規(guī)定的條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi)，完成規(guī)定功能的能力，器件失

去規(guī)定的功能叫失效。0

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

W8.航天用集成電路通常采用平行縫焊的儲(chǔ)能焊。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

109.PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?)

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

110.在smt生產(chǎn)中，焊膏印刷質(zhì)量是體現(xiàn)焊接質(zhì)量的一項(xiàng)重要指標(biāo)。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

111.氧化鋁多層陶瓷基板，該羈絆技術(shù)工藝成熟，介質(zhì)材料成本高，熱導(dǎo)效率和

抗彎強(qiáng)度較高。。

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

112.鐵一銀合金可替代可伐合金做為外殼材料"()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

113.激光劃片是利用高能量的激光束，束斑直徑若干微米，其能量大于105?10

6W/cm2,使硅片熔化并揮發(fā)穿孔，留下一排整齊的小孔。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

114.安全生產(chǎn)管理，堅(jiān)持“安全第一、預(yù)防為主、綜合治理”的方針。。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

115.人工目檢不是焊點(diǎn)檢查的，最基本的檢測(cè)手段。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

116.有機(jī)樹(shù)脂封裝的最大優(yōu)點(diǎn)是絕緣性好。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

117.硅二極管的正向壓降為1V。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

118.金屬-低摻雜半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生整流接觸；金屬-高摻雜半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生歐姆接

觸。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

119.要使三極管工作于放大狀態(tài)，其發(fā)射結(jié)、集電結(jié)分別處于正向、反向偏執(zhí)狀

態(tài)。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

120.發(fā)生危險(xiǎn)化學(xué)品事故，有關(guān)地方公安消防部門(mén)應(yīng)當(dāng)做好指揮、領(lǐng)導(dǎo)工作。()

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

填空題

1.平行縫焊化鍍鑲蓋板的熔點(diǎn)約為()o

答案：880℃

2.粗檢壓檢漏完畢后|將電路置于()中|觀察電路的漏氣情況。

答案：高溫氟油

3.對(duì)()來(lái)講|尤其是高引腳數(shù)目框架和微細(xì)間距框架器件|一個(gè)突出的問(wèn)題是引

腳的非共面性。

答案：SMT裝配

4DIP是指()封裝。

答案：雙列直插式

5.反向偏置pn結(jié)|當(dāng)電壓升高到某值時(shí)|反向電流急劇增加|這種現(xiàn)象稱(chēng)為pn結(jié)

擊穿I主要的擊穿機(jī)理有兩種：()擊穿和()擊穿。

答案：雪崩I隧道

6.（）分為熱固性和熱塑性?xún)深?lèi)。

答案：封裝用塑料材料

7.比例是指圖中。與0之比。

答案：圖形尺寸I實(shí)物尺寸

8.尺寸標(biāo)注中的符號(hào)：R表示（）|①表示（）。

答案：半徑I直徑

9.能帶中載流子的有效質(zhì)量反比于能量函數(shù)對(duì)于波矢的（）|引入有效質(zhì)量的意

義在于其反映了晶體材料的（）的作用。

答案：二階導(dǎo)數(shù)|內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)

10.半導(dǎo)體襯底上的氧化層厚度通常小于1um（幾個(gè)到幾百納米）|所以用這些分

析技術(shù)能較好地探測(cè)到0o

答案：氧化層失效

11.影響超聲鍵合的質(zhì)量主要因素有。、。、。、（）（）等。

答案：引線材料I劈刀I鍵壓面I質(zhì)量I外殼質(zhì)量

12.金屬凸點(diǎn)制作工藝中|多金屬分層為：（）__、（）、（）o

答案：黏著層I擴(kuò)散阻擋層I表層金保護(hù)層

13.半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子濃度取決于導(dǎo)帶的（）（即量子態(tài)按能量如何分布）和

O（即電子在不同能量的量子態(tài)上如何分布）。

答案：狀態(tài)密度|費(fèi)米分布函數(shù)

14.在無(wú)電鍍銀中的磷與回流焊中含（）焊料之間會(huì)發(fā)生很強(qiáng)烈的界面反應(yīng)。

答案：錫

15.在倒裝焊技術(shù)中|0凸點(diǎn)是另一種普遍使用的凸點(diǎn)金屬。

答案：鋁-鍥筑-銅

16.未經(jīng)安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)合格的從業(yè)人員|不得（）。

答案：上崗作業(yè)

17.0雜質(zhì)可顯著改變載流子濃度；（）雜質(zhì)可顯著改變非平衡載流子的壽命|

是有效的復(fù)合中心。

答案：淺能級(jí)I深能級(jí)

18.平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接功率、焊接壓力、脈沖寬度、。和電極速度。

答案：脈沖周期

19.在完成打碼工序后|所有器件都要進(jìn)行測(cè)試。這些測(cè)試包括一般的O。

答案：目檢、老化試驗(yàn)和最終的產(chǎn)品測(cè)試

20.晶圓級(jí)封裝以BGA技術(shù)為基礎(chǔ)|是一種特殊類(lèi)型的（）|又稱(chēng)為圓片級(jí)芯片尺

寸封裝。

答案：CSP封裝型式

21.二極管的主要特性是具有（）?二極管外加正向電壓超過(guò)死區(qū)電壓以后|正向

電流會(huì)迅速增大I這時(shí)二極管處于（）o

答案：?jiǎn)蜗驅(qū)щ奍導(dǎo)通狀態(tài)

22.JFET按導(dǎo)電載流子類(lèi)型不同|可分為（）和（）兩種。

答案：N型溝道|P型溝道

23.細(xì)檢壓檢漏使用的氣體為（）。

答案：氨氣

24.先進(jìn)的可靠性模型和（）將帶來(lái)更全面和更有效的鑒定過(guò)程。

答案：預(yù)計(jì)方法

25.ASTMD_3123或SEMIG11_88試驗(yàn)是讓流動(dòng)的塑封料穿過(guò)橫截面為半圓形的0

直到停止流動(dòng)。

答案：螺旋管

26.金屬封裝由于在最嚴(yán)酷的使用條件下具有杰出的可靠性而被廣泛用于軍事和

()o

答案：民用領(lǐng)域

27.SAM技術(shù)基于超聲波在各種材料中的反射和()而成像|基于SAM技術(shù)的顯微

鏡稱(chēng)掃描聲學(xué)顯微鏡。

答案：傳輸特性

28.BGA根據(jù)焊料球的排列方式分為：。、()、0o

答案：周邊型I交錯(cuò)型I全陣列型

29.調(diào)整厚膜電阻的阻止有改變電阻膜()和改變電阻膜()兩類(lèi)方法。

答案：幾何圖形|結(jié)構(gòu)

30.半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)式多種多樣的|常見(jiàn)的Ge和Si材料|我原子均通過(guò)共價(jià)鍵

四面體相互結(jié)合I屬于()結(jié)構(gòu)；與Ge和Si晶格結(jié)構(gòu)類(lèi)似|兩種不同元素形成的

化合物半導(dǎo)體通過(guò)共價(jià)鍵四面體還可以形成。和纖鋅礦等兩種晶格結(jié)構(gòu)。

答案：金剛石I閃鋅礦

31.硅中天然地而易于破裂的面是()面。

答案：［111}

32.除了銅擴(kuò)散|()的增加也會(huì)導(dǎo)致錫須生長(zhǎng)。

答案：磔含量

33.當(dāng)PN結(jié)正向連接時(shí)|阻擋載流子擴(kuò)散的PN結(jié)空間電荷層?！乖试SPN結(jié)上

有。一的電流通過(guò)；當(dāng)PN結(jié)反向連接時(shí)|阻擋載流子擴(kuò)散的PN結(jié)空間電荷層。

」PN結(jié)上只允許()J漏電流通過(guò)。

答案：變窄I較大I展寬I較小

34.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,費(fèi)米能級(jí)較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶。電|達(dá)到熱平

衡后兩者的費(fèi)米能級(jí)()。

答案：正|相等

35.BGA是指()封裝。

答案：球柵陣列

36.塑料封裝基本流程：裸芯片制作T芯片貼裝T打線鍵合T()T烘烤成型T

引腳鍍錫T引腳切割成型。

答案：鑄模成型

37.催化劑對(duì)反應(yīng)速率的影響是()o

答案：同等程度地加快正向反應(yīng)和逆向反應(yīng)

38.載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)為。運(yùn)動(dòng)。

答案：漂移

39.半導(dǎo)體載流子在輸運(yùn)過(guò)程中|會(huì)受到各種散射機(jī)構(gòu)的散射|主要散射機(jī)構(gòu)有()、

()、中性雜質(zhì)散射、位錯(cuò)散射、載流子間的散射和等價(jià)能谷間散射。

答案：電離雜質(zhì)的散射I晶格振動(dòng)的散射

40.將芯片及具他要素在框架和基板上布置|粘貼固定以及連接|引出接線端子并

且通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定的過(guò)程是()」在此基礎(chǔ)上I將封裝體與裝配成

完整的系統(tǒng)和設(shè)備I這個(gè)過(guò)程為Oo

答案：狹義封裝I廣義封裝

41.插裝元器件與表面貼裝元器件主要區(qū)別是：（）。（）

答案：表面貼裝元器件體積小|便于小型化生產(chǎn)|便于減小成品尺寸。

42.通孔插裝式安裝器件又分為以下幾種：塑料雙列直插式封裝；（）；塑料針

柵封裝

答案：?jiǎn)瘟兄辈迨椒庋b

43.載帶自動(dòng)鍵合與倒裝芯片鍵合共同的關(guān)鍵技術(shù)是芯片的制作工藝|這些工藝

包括蒸發(fā)/濺射、電鍍、置球、化學(xué)鍍、激光法、。、疊層制作凸點(diǎn)法等。

答案：移植法

44.氟化物和堿性的高度能夠（）錫須在鍍鋅的生長(zhǎng)率c

答案：降低

45.錫須不僅可能發(fā)生在純錫表面|在一些（）上也可能發(fā)生。

答案：錫合金

46.根據(jù)所使用材料的不同|元器件封裝主要分為金屬封裝、陶瓷封裝和0三種

類(lèi)型

答案：塑料封裝

47.電解Ni/Au包含了一個(gè)電解Ni的內(nèi)層加上一個(gè)電解Au的外層|通常表示成。。

答案：是EG

48.在一定溫度下|與費(fèi)米能級(jí)持平的量子態(tài)上的電子占據(jù)概率為（）|高于費(fèi)米

能級(jí)2kl能級(jí)處的占據(jù)概率為（）。

答案：1/2|l/1+exp(2)

49.圓片的減薄厚度常取得較厚時(shí)|會(huì)使器件串聯(lián)電阻。|串聯(lián)電感（）|熱阻（）

I為此必須把圓片厚度減薄到芯片的（）厚度。

答案：大I大I上升I設(shè)計(jì)

50.空間兩直線的相對(duì)位置有（）、（）、（）三種。

答案：平行I相交I交叉

51.具有（）作用和（）作用的三端或四端半導(dǎo)體器件|稱(chēng)為晶體管。

答案：放大I開(kāi)關(guān)

52.平行縫焊時(shí)若蓋板平整度差|容易發(fā)生（）現(xiàn)象。

答案：打火

53.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位應(yīng)當(dāng)在有較大危險(xiǎn)因素的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)（場(chǎng)所）和有關(guān)（）上|設(shè)置

明顯的（）。

答案：設(shè)施、設(shè)備I安全警示標(biāo)志

54.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位必須執(zhí)行依法制定的保障安全生產(chǎn)的（）或者（）。

答案：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)|者行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

55.DCA技術(shù)也是一種超微細(xì)間距BGA形式|是將C4技術(shù)得到的裸芯片直接貼裝

在各類(lèi)基板（PCB）上進(jìn)行直接安裝|且與SMT工藝（）。

答案：相兼容

56.合金燒結(jié)法是采用（）作焊料的一種釬焊方法。

答案：共晶合金

5/.陶瓷針柵陣列封裝的簡(jiǎn)稱(chēng)是。。

答案：CPGA

58.在給定時(shí)間內(nèi)通過(guò)單位面積聚合物膜的（）隨時(shí)間的變化曲線稱(chēng)為滲透曲線。

答案：潮氣量

59.組裝工藝的好壞將影響到器件和集成電路的。、（）、。和（）。

答案：直流性能I頻率性能I熱性能I可靠性

60.塑料封裝注模工藝：轉(zhuǎn)移成型技術(shù)|噴射成型技術(shù)|（）。

答案：預(yù)成型技術(shù)

61.電子是帶。電的粒子。

答案：負(fù)

62.芯片封裝所使用的材料有：（）、（）、（）、0o

答案：金屬I(mǎi)陶瓷I玻璃I高分子塑料

63.倒裝芯片有三種主要的連接形式：（）、直接芯片連接和倒裝芯片。

答案：控制塌陷芯片技術(shù)

64.阿貝成像原理可以簡(jiǎn)單地描述為兩次干涉作用：平行光束受到有周期性特征

物體的散射作用形成衍射譜I（）通過(guò)干涉重新在像平面上形成反映物的特征的

像。

答案：各級(jí)衍射波

65.薄膜型CSP封裝主要結(jié)構(gòu)是（）和焊料凸點(diǎn)。

答案：LSI芯片、模塑樹(shù)脂

66.集成電路的發(fā)展趨勢(shì)是體積越來(lái)越（）、電路工作速度越來(lái)越（）、電路規(guī)

模越來(lái)越（）、電路功能越來(lái)越（）。其目標(biāo)就是要小型化、高速、低成本和高

可靠性。

答案：小I快I大I強(qiáng)

67.物質(zhì)按導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱可分為（）、（）和（）三大類(lèi)。

答案：導(dǎo)體I絕緣體I半導(dǎo)體

68.常見(jiàn)的芯片互連技術(shù)包括載帶自動(dòng)鍵合、打線鍵合、（）三種。

答案：倒裝芯片鍵合

69.PBGA采用塑料材料和塑封工藝制作|是最常用的（）o

答案：BGA封裝形式

70.生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位應(yīng)當(dāng)對(duì)從業(yè)人員進(jìn)行（）|保證從業(yè)人員具備必要的安全生產(chǎn)知

識(shí)。

答案：安全教育和培訓(xùn)

71.封裝材料的性能可以分為4類(lèi)：（）、（）、00_<.

答案：工藝性能I濕-1熱機(jī)械性能I電學(xué)性能和化學(xué)性能

72.制造性能主要包括螺旋流動(dòng)長(zhǎng)度、滲透和填充、凝校時(shí)間、。、熱硬化以

及后固化時(shí)間和溫度。

答案：聚合速率

73.在（）設(shè)備下可以觀察封帽空洞的大小。

答案：X射線檢測(cè)

74.對(duì)于Au-Au熱超聲引線鍵合|鍵合能力隨著表面Au的硬度的增加而（）。

答案：下降

75.表面粗糙度中|Ra的單位為。。

答案：微米

/6.涂覆的Ni具有很多優(yōu)勢(shì)，如表面較平|高穩(wěn)定|性好的貨架壽命和（）|并且在

安裝時(shí)少了橋接。

答案：焊接能力較強(qiáng)

77.比例1：2是指實(shí)物尺寸是圖形尺寸的。倍|屬于（）比例。

答案：2|縮小

78.一般而言|Kirkendall空洞是由于（）擴(kuò)散進(jìn)IMC層后|在IMC層上的焊料里

出現(xiàn)的。

答案：Sn

79.半導(dǎo)體中由于濃度差弓起的截流子運(yùn)動(dòng)為。。

答案：擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)

80.集成電路封裝關(guān)系到電路的（）和（）|并對(duì)電路的電性能和熱性能以及對(duì)整

機(jī)的小型化和集成化均有重要作用。

答案：可靠性I穩(wěn)定性

簡(jiǎn)答題

1.簡(jiǎn)述電子封裝中強(qiáng)制使用無(wú)鉛焊料的原因？

答案：環(huán)保和健康的要求國(guó)內(nèi)外立法的要求

全球無(wú)鉛化的強(qiáng)制要求

D無(wú)鉛釬料的熔點(diǎn)較高.

比Sn37Pb提高34~440C。高的釬焊溫度使固/