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IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微電子概論》（第3版）郝躍賈新章史江一4.2.1集成電阻4.2集成電路中的無源器件4.2.2集成電容4.2.3集成電感目錄4.2.4互連線1.pn結(jié)電容4.2.1集成電容2.MOS電容3.MIM電容目錄4.MOM電容0.概述特點：集成電路中的主要寄生之一，容值絕對誤差相對較大，相對誤差（匹配誤差）相對較小在數(shù)字集成電路中，電容是影響電路性能的主要因素之一主要形式：平板電容、pn結(jié)電容

1.pn結(jié)電容利用反偏pn結(jié)的勢壘電容構(gòu)建的電容電容容值隨著pn結(jié)反偏電壓的改變而改變pn結(jié)電容結(jié)構(gòu)電容容值變化是非線性的pn結(jié)電容基本原理CT0：零偏壓是單位面積勢壘電容MJ：梯度因子面積的計算計算時，常用等效的線性電容Keq：乘數(shù)因子Ceq=ΔQ/ΔVD=KeqCT02.MOS電容利用MOS管柵極與溝道之間的柵氧化層作為絕緣介質(zhì)，柵極作為上極板，源漏與襯底短接組成下極板，通過柵極加電壓在柵極下方形成導電層從而構(gòu)成平板電容特點：電容密度較大、結(jié)構(gòu)簡單、精度差

NMOS電容結(jié)構(gòu)C0：單位面積電容εr：柵氧化層相對介電常數(shù)（3.9）ε0：真空介電常數(shù)（8.85×10－14F/cm）Tox：柵氧化層厚度當Tox=1nm時，C0近似為3.46×10－2pF/μm2

3.MIM電容利用金屬層及其之間的介質(zhì)構(gòu)建電容MOS。平板結(jié)構(gòu)電容。下層金屬多用于連線，頂層金屬層間間距較大，因此常由最頂兩層金屬間增加電容金屬層構(gòu)成特點：電容密度較高、精度高、寄生小MIM電容結(jié)構(gòu)4.MOM電容利用同層金屬間構(gòu)建平板結(jié)構(gòu)，形成電容，常采用插指結(jié)構(gòu)。特點：隨著工藝不斷進步，金屬層高寬比不斷增加，金屬間間距不斷縮小，電容密度不斷增加MOM電容結(jié)構(gòu)4.2.1集成電阻4.2集成電路中的無源器件4.2.2集成電容4.2.3集成電感目錄

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