溫室氣體產(chǎn)品碳足跡量化方法與要求光伏硅片carbonfootprint-Siliconwafers2025-05-18實施2025-05-18實施I I 12規(guī)范性引用文件 13術語和定義 14量化目的 45量化范圍 45.1產(chǎn)品描述 45.2聲明單位 55.3系統(tǒng)邊界 55.4取舍準則 66清單分析 66.1數(shù)據(jù)類型 66.2數(shù)據(jù)收集期間 76.3數(shù)據(jù)質(zhì)量要求 76.4數(shù)據(jù)收集 76.5分配 87數(shù)據(jù)計算 97.1計算方法 97.2光伏硅片產(chǎn)品部分碳足跡計算 98生命周期結果解釋 9產(chǎn)品碳足跡報告 附錄A(資料性)產(chǎn)品碳足跡報告模版 附錄B(資料性)光伏硅片生產(chǎn)工藝流程示例圖 附錄C(資料性)光伏硅片產(chǎn)品碳足跡初級數(shù)據(jù)收集清單模版(示例) 附錄D(資料性)次級數(shù)據(jù)收集模版(示例) 附錄E(資料性)數(shù)據(jù)質(zhì)量評級 附錄F(資料性)全球變暖潛勢參考值 22本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任。本文件由內(nèi)蒙古自治區(qū)工業(yè)和信息化廳歸口。本文件起草單位：內(nèi)蒙古自治區(qū)質(zhì)量和標準化研究院、遠景能源有限公司、鄂爾多斯市隆基硅材料有限公司、內(nèi)蒙古自治區(qū)市場監(jiān)督管理局綜合保障中心、譜尼測試集團股份有限公司、鄂爾多斯市檢驗檢測中心。本文件主要起草人：段超月、賈向春、侯敏、涂偉偉、李巖、李洋、劉月、王令先、楊晨輝、畢曉宇、許恒博、馮平、愛迪。1溫室氣體產(chǎn)品碳足跡量化方法與要求光伏硅片本文件規(guī)定了光伏硅片產(chǎn)品碳足跡量化的相關術語和定義、量化目的、量化范圍、清單分析、數(shù)據(jù)計算、生命周期結果解釋和產(chǎn)品碳足跡研究報告等內(nèi)容。本文件適用于光伏硅片產(chǎn)品的碳足跡核算，碳抵消以及產(chǎn)品碳足跡或產(chǎn)品部分碳足跡信息交流不在本文件的范圍內(nèi)。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T14264半導體材料術語GB/T24040環(huán)境管理生命周期評價原則與框架GB/T24044-2008環(huán)境管理生命周期評價要求與指南GB/T24067-2024溫室氣體產(chǎn)品碳足跡量化要求和指南3術語和定義GB/T14264、GB/T24067界定的以及下列術語和定義適用于本文件。從硅體晶體切取的用于光伏發(fā)電，具有一定幾何形狀和厚度的平行平面薄片。產(chǎn)品系統(tǒng)中的GHG排放量和GHG清除量之和，以二氧化碳當量表示，并基于氣候變化這一單一環(huán)境影響類型進行生命周期評價。2產(chǎn)品部分碳足跡partialcarbonfootprintofaproduct;partialCFP在產(chǎn)品系統(tǒng)生命周期內(nèi)的一個或多個選定階段或過程中的GHG排放量和GHG清除量之和，并以二氧化碳當量表示。產(chǎn)品種類productcatego具有同等功能的產(chǎn)品群組。產(chǎn)品碳足跡-產(chǎn)品種類規(guī)則carbonfootprintofaproduct-productcategoryrules;CFP-為一個或多個產(chǎn)品種類的產(chǎn)品碳足跡或產(chǎn)品部分碳足跡的量化和信息交流制定的一套具體規(guī)則、要求和指南。比較某種溫室氣體與二氧化碳的輻射強迫的單位。[來源：GB/T240大氣層中自然存在的和由于人類活動產(chǎn)生的能夠吸收和散發(fā)地球表面、大氣層和云層所產(chǎn)生的、波長在紅外光譜內(nèi)的輻射的氣態(tài)成分。3用于衡量在選定時間點，全球平均地表溫度在某溫室氣體脈沖排放下的變化，是相對于二氧化碳引起溫度變化的系數(shù)。[來源：GB/T24067-202產(chǎn)品相關的連續(xù)且相互連接的極端，包括原材料獲取或從自然資源中生成原材料至生命末期處理。一個產(chǎn)品系統(tǒng)在其整個生命周期內(nèi)的輸入、輸出和潛在環(huán)境影響的匯編和評估。通過一組準則確定哪些單元過程屬于產(chǎn)品系統(tǒng)的一部分。用來量化產(chǎn)品部分碳足跡的基準單位。示例：質(zhì)量(1kg粗鋼)、體積(1L原油)。溫室氣體排放因子greenhousegasemissionfactor;GHGemissionfactor活動數(shù)據(jù)與溫室氣體排放相關的系數(shù)。數(shù)據(jù)在滿足所聲明的要求方面的能力特性。4通過直接測量或基于直接測量的計算得到的過程或活動的量化值。品系統(tǒng)。不符合初級數(shù)據(jù)要求的數(shù)據(jù)。對與單元過程或產(chǎn)品系統(tǒng)相關的物質(zhì)和能量流的數(shù)量或環(huán)境影響重要性程度是否被排除在研究范圍之外所做出的規(guī)定。4量化目的開展光伏硅片產(chǎn)品碳足跡量化的總體目的是結合取舍準則(見5.4),通過量化光伏硅片產(chǎn)品系統(tǒng)邊界內(nèi)所有顯著的溫室氣體排放量和清除量，計算1片光伏硅片產(chǎn)品對全球變暖的潛在貢獻[以二氧化開展光伏硅片產(chǎn)品碳足跡量化研究時，應明確說明以下問題：——應用意圖；——開展產(chǎn)品碳足跡研究的理由；——目標受眾(即研究結果的接收者);——符合ISO14026要求，提供產(chǎn)品碳足跡交流信息(如有)。5量化范圍5.1產(chǎn)品描述產(chǎn)品描述應使用戶能夠明確地識別產(chǎn)品，包括但不僅限于：a)產(chǎn)品名稱(型號、規(guī)格、質(zhì)量);b)產(chǎn)品主要性能；5c)產(chǎn)品功率；d)產(chǎn)品工藝；e)產(chǎn)品標準編號；f)相關質(zhì)量標準的編號；g)產(chǎn)品所獲取的標志。5.2聲明單位本文件以“1片光伏硅片”為聲明單位，產(chǎn)品碳足跡報告(見附錄A)中應以每聲明單位的溫室氣體排放量(以二氧化碳當量為單位)記錄產(chǎn)品碳足跡的量化結果。5.3系統(tǒng)邊界5.3.1產(chǎn)品階段流程光伏硅片產(chǎn)品碳足跡系統(tǒng)邊界定義為“從搖籃到大門”,共分為兩個階段：a)應包括原材料和能源獲取階段(原材料和能源的獲取、運輸);b)應包括產(chǎn)品制造階段(關鍵部件生產(chǎn)、其他部件生產(chǎn)、廠內(nèi)運輸)。c)光伏硅片產(chǎn)品系統(tǒng)邊界如圖1所示，光伏硅片生產(chǎn)流程圖見附錄B。溫室氣體排放溫室氣體排放原材料和能源獲取階段產(chǎn)品制造階段從搖籃到大門的系統(tǒng)邊界圖1光伏硅片產(chǎn)品系統(tǒng)邊界圖5.3.2產(chǎn)品階段范圍5.3.2.1原材料和能源獲取階段原材料和能源獲取階段從自然界中獲取原材料及其預處理，以及過程中所涉及到的運輸，直至原材料到達生產(chǎn)工廠。原材料和能源獲取階段包括但不限于：6a)原材料的獲取和運輸(硅砂、冶金硅、高純硅等);b)能源的獲取和運輸(燃料、電力、熱力等)。a)長晶(單晶硅拉晶、多晶硅鑄錠);g)CMP拋光(化學機械拋光ChemicalMechanicalPolishing);b)對產(chǎn)品碳足跡貢獻小于1%的單元過程或物質(zhì)可忽略，所有忽略的單元過程或物質(zhì)對最終產(chǎn)品碳足跡貢獻之和不得超過5%。如存在多項貢獻小于1%的單元過程或物質(zhì)且總和已超過5%,依d)忽略的溫室氣體排放應在評價報告中明確說明，所選擇的取舍準則對評價結果產(chǎn)生的影響應初級數(shù)據(jù)包含直接排放的活動數(shù)據(jù)或從特定場地獲取的數(shù)據(jù)，也可包含產(chǎn)品相應進程中的數(shù)據(jù)分造階段的原材料消耗、能源消耗、污染物排放以及運輸(包括運輸形式、運輸距離和運輸量)等。應收集的數(shù)據(jù)信息種類如表1所示。初級數(shù)據(jù)收集模版示例見附錄C。7類別收集信息種類產(chǎn)品信息資源消耗原材料、輔材、包裝材料的消耗量、水耗能源消耗固體廢棄物及對應處理方式、所產(chǎn)生廢氣、廢水量次級數(shù)據(jù)從外部來源(如，生命周期數(shù)據(jù)庫、行業(yè)協(xié)會、供應商報告等)獲得，或從組織內(nèi)部的另一過程、活動(如，相同種類或類似產(chǎn)品的初級數(shù)據(jù))中獲得，用做產(chǎn)品生命周期的清單過程的替代數(shù)產(chǎn)不少于3個月的生產(chǎn)期間為基礎，同時應考慮該6.3.1數(shù)據(jù)質(zhì)量評估：在確定產(chǎn)品碳足跡量化所使用的初級數(shù)據(jù)和次級數(shù)據(jù)時，都需要通過數(shù)據(jù)質(zhì)量評級(DataQualityRating,DQR)多維度評估數(shù)據(jù)質(zhì)量，具體評估方法按照附錄E的規(guī)定。6.3.2覆蓋范圍：數(shù)據(jù)的覆蓋范圍與產(chǎn)品系統(tǒng)邊界保持一致，且6.3.3來源：當初級數(shù)據(jù)易于獲取時，產(chǎn)品碳足跡的量化應優(yōu)先使用初級數(shù)據(jù)；用于產(chǎn)品碳足跡量化a)數(shù)據(jù)收集應選擇質(zhì)量較高的數(shù)據(jù)進行采集，數(shù)據(jù)質(zhì)量依次遞減的順序分為下列3類：2)相同工藝/設備的經(jīng)驗排放數(shù)據(jù)；c)數(shù)據(jù)應具有代表性，包括數(shù)據(jù)獲取時間的代表性、82)正式公開的產(chǎn)品生命周期溫室氣體排放數(shù)據(jù)；3)生命周期評價軟件資料庫。6.4.2數(shù)據(jù)收集步驟光伏硅片產(chǎn)品數(shù)據(jù)收集和數(shù)據(jù)質(zhì)量評估宜遵循以下步驟：a)制定數(shù)據(jù)管理計劃并建立數(shù)據(jù)清單完成收集的數(shù)據(jù)和評估過程；b)使用產(chǎn)品生命周期流程圖，確定有需求的數(shù)據(jù)，并開展過程審查，以便集中數(shù)據(jù)收集工作；c)對于直接管控下的過程，搜集初級數(shù)據(jù)；d)對于其他過程，收集初級數(shù)據(jù)或次級數(shù)據(jù)，并評估直接排放數(shù)據(jù)、能源或材料使用數(shù)據(jù)、溫氣體排放因子等的數(shù)據(jù)質(zhì)量；e)為了提高數(shù)據(jù)質(zhì)量，分析并找到數(shù)據(jù)缺口，收集更高質(zhì)量的數(shù)據(jù)。6.4.3數(shù)據(jù)收集項目6.4.3.1原材料和能源獲取階段原材料和能源獲取階段宜收集以下過程相關的數(shù)據(jù)：a)各原材料開采/生產(chǎn)/成型/精煉/外購過程；b)各原材料運輸過程，包括鐵路和公路運輸?shù)?；c)能源生產(chǎn)/輸送/外購過程；d)上述過程所產(chǎn)生的廢氣、廢水、廢棄物處理相關的溫室氣體排放，其中委外處理的僅計算其運輸過程。6.4.3.2產(chǎn)品制造階段產(chǎn)品制造階段宜收集以下過程相關的數(shù)據(jù)：a)高純硅投入量；b)長晶階段(單晶硅拉晶、多晶硅鑄錠)電力、燃料消耗；c)其他生產(chǎn)階段電力消耗；d)上述過程所產(chǎn)生的廢氣、廢水、廢棄物處理的過程。6.5.1分配應根據(jù)GB/T24040及GB/T24044中規(guī)定的分配程序。6.5.2根據(jù)明確規(guī)定的分配程序將輸入輸出分配到不同的產(chǎn)品中。光伏硅片產(chǎn)品優(yōu)先采用的數(shù)據(jù)分配方法如下：a)細分法：將擬分配的單元過程進一步劃分為兩個或更多的子過程，并收集與這些子過程相關的輸入輸出數(shù)據(jù)；b)擴展法：將產(chǎn)品系統(tǒng)加以擴展，從而抵扣聲明單位等同產(chǎn)品生產(chǎn)造成的環(huán)境影響；c)分配法：根據(jù)物理屬性(如數(shù)量、質(zhì)量、工時等)或經(jīng)濟價值等參數(shù)，按比例將輸入輸出分配到共生產(chǎn)品。6.5.3原則上盡可能避免分配，當同時有幾種備選分配程序時，應通過敏感性分析闡明偏離所選方法產(chǎn)生的影響。97數(shù)據(jù)計算7.1計算方法數(shù)據(jù)收集完成后，應對系統(tǒng)邊界內(nèi)每一單元過程中與聲明單位進行計算。計算按照以下步驟進行：a)用活動水平數(shù)據(jù)乘以該活動的溫室氣體排放因子，將初級數(shù)據(jù)和次級數(shù)據(jù)換算為溫室氣體排放量，以產(chǎn)品每聲明單位的溫室氣體排放量的形式記錄；b)用具體GHG排放值乘以相應的GWP值將溫室氣體排放量數(shù)據(jù)換算為二氧化碳當量的排放。7.2光伏硅片產(chǎn)品部分碳足跡計算7.2.1光伏硅片產(chǎn)品部分碳足跡以聲明單位為基準的光伏硅片產(chǎn)品部分碳足跡，按公式(1)計算：光伏硅片產(chǎn)品部分碳足跡，以千克二氧化碳當量每聲明單位(kgCO?e/聲明單位);AD?——系統(tǒng)邊界內(nèi)，各聲明單位中第i種活動的溫室氣體排放和清除相關數(shù)據(jù)(包括初級數(shù)據(jù)和次級數(shù)據(jù)),單位根據(jù)具體排放源確定；EFLCA,i,,j——第i種活動對應的溫室氣體j的排放系數(shù)，單位與溫室氣體活動數(shù)據(jù)相匹配；i——具體活動，包括：原材料和能源獲取階段、長晶階段、其他生產(chǎn)階段。j——溫室氣體種類。CFP原材料——光伏硅片原材料和能源獲取階段產(chǎn)品部分碳足跡，以千克二氧化碳當量每聲明單位(kgCO?e/聲明單位)計；CFP生產(chǎn)——光伏硅片產(chǎn)品制造階段階段產(chǎn)品部分碳足跡，以千克二氧化碳當量每聲明單位(kgCO?e/聲明單位)計。7.2.2原材料和能源獲取階段產(chǎn)品部分碳足跡計算7.2.2.1光伏硅片原材料和能源獲取階段產(chǎn)品部分碳足跡計算，按公式(2)計算：CFP原材料——原材料和能源獲取階段產(chǎn)品部分碳足聲明單位);E其他，原——原材料和能源獲取階段所產(chǎn)生的除上述排放范圍以外的溫室氣體排放量，單位為千克二7.2.2.2原材料和能源獲取階段能源投入產(chǎn)生的溫室氣體排放量，按公式(3)計算：式中：Ad能源，原——原材料和能源獲取階段能源(燃料、電力、熱力)投入量，單位為千克(kg)、千瓦時能源全生命周期溫室氣體排放因子。7.2.2.3原材料和能源獲取階段運輸所產(chǎn)生的溫室氣體排放量，按公式(4)計算：式中：M運輸，原——原材料和能源獲取階段運輸總重量，單位為噸(t);L運輸，原——原材料和能源獲取階段運輸總距離，單位為千米(km);運輸全生命周期溫室氣體排放因子。7.2.2.4原材料和能源獲取階段其他原材料投入的溫室氣體排放量，按公式(5)計算；式中：AD其他原——原材料和能源獲取階段其他原材料投入量(高純硅等);相應全生命周期溫室氣體排放因子。7.2.1產(chǎn)品制造階段產(chǎn)品部分碳足跡7.2.1.1產(chǎn)品制造階段產(chǎn)品部分碳足跡，按公式(6)計算：式中：CFP生產(chǎn)——長晶、邊緣研磨、多線切割、邊緣倒角、研磨、清洗、濕法刻蝕、CMP拋光、其他要件生產(chǎn)制造過程產(chǎn)品部分碳足跡，單位為千克二氧化碳當量每聲明單位(kgCO?e/聲明單位);E能源，生產(chǎn)——產(chǎn)品制造階段能源投入所產(chǎn)生的溫室氣體排放量，單位為千克二氧化碳(kgCO?);產(chǎn)品制造階段運輸所產(chǎn)生的溫室氣體排放量，單位為千克二氧化碳(kgCO?);—產(chǎn)品制造階段所產(chǎn)生的除上述排放范圍以外的溫室氣體排放量，單位為千克二氧化碳E余熱——長晶階段多晶硅鑄錠使用石英坩堝所回收熱量所對應的溫室氣體減排量，單位為千克二氧P光伏硅片——光伏硅片產(chǎn)量，單位為片；7.2.1.2產(chǎn)品制造階段能源投入所產(chǎn)生的溫室氣體排放量，按公式(7)計算： (7)Ad能源，生產(chǎn)——產(chǎn)品制造階段能源(燃料、電力、熱力)投入量，單位為千克(kg)、千瓦時(kWh)和M運輸，生產(chǎn)——產(chǎn)品制造階段運輸總重量，單位為噸(t);L運輸，生產(chǎn)——產(chǎn)品制造階段運輸總距離，單位為千米(km);AD其他，生產(chǎn)——產(chǎn)品制造階段所產(chǎn)生的除上述排放范圍以外的活動數(shù)據(jù)；AD余熱——長晶階段多晶硅鑄錠使用石英坩堝所回收熱量，單位為吉焦(GJ);8.1光伏硅片產(chǎn)品碳足跡系統(tǒng)邊界定義為“從搖籃到大門”,共分為兩個階段：原材料和能源獲取階段、產(chǎn)品制造階段。b)完整性、一致性和敏感性分析；c)結論、局限性和建議的編制。按照產(chǎn)品碳足跡研究的目的和范圍，對生命周期影響評價的產(chǎn)品碳足跡和產(chǎn)品部分碳足跡的量化結果進行解釋，解釋應包括以下內(nèi)容：1)對產(chǎn)品碳足跡和各階段碳足跡的說明；2)對不確定性分析，包括取舍準則的應用或范圍；3)詳細記錄選定的分配程序；4)說明產(chǎn)品碳足跡研究的局限性。注：更多信息見GB/T24044-20084.5和GB/T24067-2024附錄A、附錄B。依據(jù)本文件編制的產(chǎn)品碳足跡報告應包括但不限于以下內(nèi)容(參考格式見附錄A):c)其他必要信息：有效期、報告編制及評價(資料性)產(chǎn)品碳足跡報告模版產(chǎn)品碳足跡報告格式模版如下。產(chǎn)品碳足跡報告(模板)產(chǎn)品規(guī)格型號：生產(chǎn)者名稱：報告編號：出具報告機構(若有):(蓋章)1、生產(chǎn)者信息地址：法定代表人：授權人(聯(lián)系人):企業(yè)概況：2、產(chǎn)品信息產(chǎn)品名稱：產(chǎn)品功能：產(chǎn)品介紹：3、量化方法二、量化目的三、量化范圍1、聲明單位2、系統(tǒng)邊界□原材料和能源獲取階段□產(chǎn)品生產(chǎn)階段3、取舍準則采用的取舍準則以為依據(jù)，具體規(guī)則如下：4、時間范圍 四、清單分析1、數(shù)據(jù)來源說明初級數(shù)據(jù)：;次級數(shù)據(jù)：;2、分配原則與程序分配依據(jù)：;分配程序：;具體分配情況如下：3、清單結果及計算活動數(shù)據(jù)原材料和能4、數(shù)據(jù)質(zhì)量評價(可選項)數(shù)據(jù)質(zhì)量可從定性和定量兩個方面對報告使用的初級數(shù)據(jù)和次級數(shù)據(jù)進行評價，具體評價內(nèi)容包括數(shù)據(jù)來源、完整性、數(shù)據(jù)代表性(時間、地理、技術)和準確性。1、影響類型和特征化因子選擇2.產(chǎn)品碳足跡結果計算1、結果說明 公司(填寫產(chǎn)品生產(chǎn)者的全名)生產(chǎn)的填寫所評價的產(chǎn)品名稱，每聲明單位的產(chǎn)品),從(填寫某生命周期階段)到(填寫某生命周期階段)生命周期碳足跡為kgCO?e。各生命周期階段的溫室氣體排放情況如表A.2和圖A.2所示。kgCO?e/聲明單位百分比段以及廠內(nèi)運輸)2、假設和局限性說明(可選項)結合量化情況，對范圍、數(shù)據(jù)選擇、情景設定等相關的假設和局限進行說明。3、改進建議(資料性)光伏硅片生產(chǎn)工藝流程示例圖光伏硅片生產(chǎn)工藝流程示例圖如圖B.1所示。光伏硅片生產(chǎn)工藝流程示例圖如圖B.1所示。↓(二氧化硅)原料提純圖B.1光伏硅片生產(chǎn)工藝流程示例圖(資料性)光伏硅片產(chǎn)品碳足跡初級數(shù)據(jù)收集清