1SiCMOSFET非鉗位電感開(kāi)關(guān)（UIS）測(cè)試方法實(shí)驗(yàn)室研發(fā)等階段的UIS測(cè)試。對(duì)于SiCMOSFET功率模塊，可在將單管封裝成模塊前參照本文件對(duì)單管3.1存儲(chǔ)在感性負(fù)載的電感中的能量驅(qū)動(dòng)未經(jīng)電壓鉗位的器件的過(guò)程，可表征器件在雪崩模式下的能量承受能力，包括單脈沖雪崩擊穿能量、重復(fù)雪崩擊穿能量等3.2注：對(duì)單脈沖雪崩擊穿能量的測(cè)試通常在器件量產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行，其目3.3注：對(duì)極限單脈沖雪崩擊穿能量的測(cè)試通常在器件的研發(fā)階段進(jìn)行，3.43.54測(cè)試原理24.1.1測(cè)試電路Ⅰ對(duì)SiCMOSFET器件進(jìn)行UIS測(cè)試的測(cè)試電a)常規(guī)封裝器件測(cè)試電路b)帶KelvinSL——電感值；4.1.2測(cè)試電路Ⅱ測(cè)試電路Ⅱ在測(cè)試電路Ⅰ中增加了續(xù)流二極管和高速開(kāi)關(guān)，3a)常規(guī)封裝器件測(cè)試電路b)帶KelvinS測(cè)試電路Ⅱ的測(cè)試原理是讓器件處于導(dǎo)通狀態(tài)，接通高速開(kāi)關(guān)S，讓充電電壓對(duì)電感充電，L——電感值。4.1.3測(cè)試電路的選擇——若充電電壓VDD大于器件的產(chǎn)品手冊(cè)或詳細(xì)規(guī)范等文件中規(guī)定的器件擊穿電壓，則——若充電電壓VDD小于器件的產(chǎn)品手冊(cè)或詳細(xì)規(guī)范等文件中規(guī)定的器件擊穿電對(duì)器件的擊穿電壓進(jìn)行規(guī)定，則可以從測(cè)試電路Ⅰ在測(cè)試時(shí)，器件會(huì)面臨炸機(jī)的風(fēng)險(xiǎn)，應(yīng)在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中注意滿足以下安全條4b）在被測(cè)器件上增加保護(hù)罩，避免器件炸機(jī)給測(cè)試人員造成傷害。會(huì)衰減，導(dǎo)致電感中能量開(kāi)始被器件消耗時(shí)的電流實(shí)際值低于理論的IAV值，建議在電流衰減），），重復(fù)脈沖（EAR見(jiàn)6.2.2重復(fù)脈沖（LimitEAR見(jiàn)6.4.2），），重復(fù)脈沖（EAR見(jiàn)6.3.2重復(fù)脈沖（LimitEAR見(jiàn)6.5.26.2基于測(cè)試電路Ⅰ的雪崩擊穿能量驗(yàn)證測(cè)試流程基于測(cè)試電路Ⅰ的單脈沖雪崩擊穿能量驗(yàn)證按照如下流程進(jìn)行b)在測(cè)試裝置中設(shè)置以下測(cè)試參數(shù)：d)對(duì)漏極電流ID進(jìn)行監(jiān)測(cè)，ID達(dá)到規(guī)定的充電電流峰值IAV時(shí)，停止在柵極施加電壓，將器件關(guān)5IAV——充電電流的峰值；L——電感值；2)在漏極和源極兩端施加電壓，對(duì)漏極泄露電流IDS進(jìn)行監(jiān)測(cè)，判斷l(xiāng)若無(wú)器件的產(chǎn)品手冊(cè)或產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范等文件對(duì)漏極泄露電流ID6若基于測(cè)試電路Ⅰ對(duì)重復(fù)雪崩擊穿能量進(jìn)行驗(yàn)證，則在6.2.1的基礎(chǔ)上，將在柵極施加單次脈沖更換為在柵極施加周期性的脈沖并進(jìn)行測(cè)試，相鄰兩次脈沖的時(shí)間間隔T應(yīng)確保施加周期性脈沖過(guò)程中器件結(jié)溫接近最高結(jié)溫并保持穩(wěn)定。若時(shí)間間隔T較長(zhǎng)，器件在每次脈沖后均能回到起始結(jié)溫，則無(wú)法測(cè)在步驟e）中，按照第1）種方法對(duì)器件是否失效進(jìn)行判斷時(shí)，若器件未失效，典型波形見(jiàn)圖6.3基于測(cè)試電路Ⅱ的雪崩擊穿能量驗(yàn)證測(cè)試程序基于測(cè)試電路Ⅱ的單脈沖雪崩擊穿能量驗(yàn)證按照如下流程進(jìn)行a)根據(jù)SiCMOSFET單管功率器件的芯片或封裝b)按照與6.2.1相同的要求，在測(cè)試裝e)從以下兩種方法中，選擇一種，對(duì)器件是否失效進(jìn)行判斷：1)繼續(xù)對(duì)漏極電流ID進(jìn)行監(jiān)測(cè)，使用公式（4）計(jì)算tAV，判斷器件是否失效：IAV——充電電流的峰值；L——電感值；7若基于測(cè)試電路Ⅱ?qū)χ貜?fù)雪崩擊穿能量進(jìn)行驗(yàn)證，則在6.3.1的基礎(chǔ)上，將在柵極施加單次脈沖更換為在柵極施加周期性的脈沖并進(jìn)行測(cè)試。相鄰兩次脈沖的時(shí)間間隔T應(yīng)確保施加周期性脈沖過(guò)程中器在步驟e）中，按照第1）種方法對(duì)器件是否失效進(jìn)行判斷時(shí)，若器件未失效，典型波形見(jiàn)圖6.4基于測(cè)試電路Ⅰ的極限雪崩擊穿能量測(cè)試程序基于測(cè)試電路Ⅰ的極限單脈沖雪崩擊穿能量按照如下流程進(jìn)行a)根據(jù)SiCMOSFET單管功率器件的芯片或封裝b)在測(cè)試裝置中設(shè)置充電電流峰值IAV的初始值IAV0，其他測(cè)試參數(shù)與6.2.1相同；82)若器件失效，則記錄此時(shí)的IAV，作為器件的極限雪崩擊穿電流值。若基于測(cè)試電路Ⅰ對(duì)極限重復(fù)雪崩擊穿能量進(jìn)行測(cè)試，則在6.4.1的基礎(chǔ)上，將在柵極施加單次脈沖更換為在柵極施加周期性的脈沖并進(jìn)行測(cè)試。相鄰兩次脈沖的時(shí)間間隔T應(yīng)確保施加周期性脈沖過(guò)程6.5基于測(cè)試電路Ⅱ的極限雪崩擊穿能量測(cè)試程序基于測(cè)試電路Ⅱ的極限單脈沖雪崩擊穿能量按照如下流程進(jìn)行a)根據(jù)SiCMOSFET單管功率器件的芯片或封裝b)在測(cè)試裝置中設(shè)置充電電流峰值IAV的初始值IAV0，其他測(cè)試參數(shù)與6.3.1相2)若器件失效，則記錄此時(shí)的IAV，作為器件的極限雪崩擊穿電流值。若基于測(cè)試電路Ⅱ?qū)O限重復(fù)雪崩擊穿能量進(jìn)行測(cè)試，則在6.5.1的基礎(chǔ)上，將在柵極施加單次脈沖更換為在柵極施加周期性的脈沖并進(jìn)行測(cè)試。相鄰兩次脈沖的時(shí)間間隔T應(yīng)確保施加周期性脈沖過(guò)程a)記錄在測(cè)試中使用的充電電流峰值IAV，即雪崩擊穿電b)依據(jù)雪崩擊穿電流IAV等參數(shù)，計(jì)算雪崩擊穿能量EAS。91)對(duì)于雪崩擊穿能量驗(yàn)證測(cè)試，應(yīng)給出在規(guī)定的充電電流峰值條件下，器件是否通過(guò)了測(cè)2)對(duì)于極限雪崩擊穿能量測(cè)試，應(yīng)給出器件的極限充電電流峰值和極限雪崩擊穿能量測(cè)試SiCMOSFET非鉗位電感開(kāi)關(guān)（UIS）測(cè)試記錄充電電壓VDD：充電電壓VDD：柵極開(kāi)通電壓VG(ON)：柵極開(kāi)通電壓VG(ON)：柵極關(guān)斷電壓VG(OFF)：柵極關(guān)斷電壓VG(OFF)：柵極電阻RG：柵極電阻RG：充電電流峰值IAV：充電電流峰值初始值IAV