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DRAM行業(yè)周期上行通常將持續(xù)兩年，看好2021-2022年DRAM行業(yè)保性存儲器，在斷電狀態(tài)下數(shù)據(jù)會丟失。兩者因結(jié)構(gòu)不同，其應用場DRAM利用電容儲存電荷多少來存儲數(shù)據(jù)，需要定時刷新電路克SRAM讀寫速度快，制造成本高，常用于對容量要求較小的1951年，磁帶首次被用于計算機上存儲數(shù)據(jù)，在UNIVAC上作為主要的I/O設(shè)備，稱為UNIVACO，這就是商用計算機史上的1965年，美國物理學家Russell發(fā)明了只讀式光盤存儲器發(fā)布了世界上第一部商用CD音頻播放器CDP-101，光盤開始普及。DDR是內(nèi)存模塊中使輸出增加一倍的技術(shù)，是目前主流的內(nèi)存技高，推動了DDR技術(shù)的升級迭代，目前市場上主流技術(shù)規(guī)范為DDR4將存儲單元（Cell）堆疊至邏輯單元上方以實現(xiàn)在單位晶圓面積上產(chǎn)出上更多的產(chǎn)量。相較于普通的平面DRAM，3DDRAM可以有效降低時間（retentiontime減小刷新的負擔、快速開啟或關(guān)閉低功耗使用低漏電流沉積的薄膜晶體管（thin-filmtransistor例如氧化銦鎵鋅，來取代DRAM位元格內(nèi)的硅基晶體管，以大三、周期&需求：周期波動及需求分析DRAM行業(yè)變革及周期DRAM芯片需求經(jīng)歷了PC推動周期、PC&Notebook推動周期，目DRAM供需與周期關(guān)系詳解：供需錯配導致價格波動得一個周期中價格上行下行分別約兩年的原因為：供小于求，價格來看，DRAM行業(yè)周期上行通常將持續(xù)兩年，看好2021-2022年DRAMDRAM競爭格局歷經(jīng)洗牌，現(xiàn)階段韓國三星、海力士、美國美光值，而后隨著產(chǎn)業(yè)的變遷逐步減小，目前僅以三家巨頭為主，其他廠購爾必達，市占率曾短暫超過海力士并接近三星，但三星堅守研發(fā)廠商，其優(yōu)勢在于設(shè)計與制造工藝協(xié)同，能率先推進并實驗新型技術(shù)，IC設(shè)計到芯片落地時間較短。但同時產(chǎn)能變化較較高

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