半導(dǎo)體物理面試題及答案

單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.本征半導(dǎo)體中，電子濃度（）空穴濃度。A.大于B.小于C.等于答案：C2.N型半導(dǎo)體的多子是（）。A.電子B.空穴C.離子答案：A3.半導(dǎo)體的禁帶寬度一般（）絕緣體。A.大于B.小于C.等于答案：B4.溫度升高，本征半導(dǎo)體的電導(dǎo)率（）。A.增大B.減小C.不變答案：A5.雜質(zhì)半導(dǎo)體中，少子濃度主要取決于（）。A.溫度B.雜質(zhì)濃度C.光照答案：A6.當(dāng)PN結(jié)正向偏置時(shí)，耗盡層（）。A.變寬B.變窄C.不變答案：B7.硅的原子價(jià)層電子數(shù)是（）。A.2B.3C.4答案：C8.下列哪種不是半導(dǎo)體常用的雜質(zhì)元素（）。A.硼B(yǎng).磷C.鐵答案：C9.PN結(jié)反向電流主要是（）。A.擴(kuò)散電流B.漂移電流C.歐姆電流答案：B10.半導(dǎo)體中參與導(dǎo)電的粒子稱為（）。A.載流子B.電子C.空穴答案：A多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.屬于半導(dǎo)體材料的有（）A.硅B.鍺C.銅D.鋁答案：AB2.影響半導(dǎo)體電導(dǎo)率的因素有（）A.溫度B.雜質(zhì)濃度C.光照D.濕度答案：ABC3.以下哪些是PN結(jié)的特性（）A.單向?qū)щ娦訠.電容特性C.穩(wěn)壓特性D.放大特性答案：ABC4.N型半導(dǎo)體主要摻雜的元素有（）A.磷B.砷C.硼D.鎵答案：AB5.本征半導(dǎo)體中存在（）A.電子B.空穴C.質(zhì)子D.中子答案：AB6.半導(dǎo)體的光電效應(yīng)包括（）A.內(nèi)光電效應(yīng)B.外光電效應(yīng)C.光伏效應(yīng)D.光電導(dǎo)效應(yīng)答案：ACD7.雜質(zhì)半導(dǎo)體分為（）A.N型半導(dǎo)體B.P型半導(dǎo)體C.本征半導(dǎo)體D.化合物半導(dǎo)體答案：AB8.對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電有貢獻(xiàn)的有（）A.多子擴(kuò)散B.少子漂移C.電子D.空穴答案：ABCD9.PN結(jié)正向偏置時(shí)（）A.耗盡層變窄B.電流較大C.電阻較小D.電容較大答案：ABC10.半導(dǎo)體制備工藝中常用的技術(shù)有（）A.光刻B.刻蝕C.擴(kuò)散D.外延生長答案：ABCD判斷題（每題2分，共10題）1.本征半導(dǎo)體在絕對(duì)零度時(shí)，沒有自由載流子。（）答案：對(duì)2.P型半導(dǎo)體帶正電。（）答案：錯(cuò)3.溫度越高，半導(dǎo)體的電阻越大。（）答案：錯(cuò)4.PN結(jié)反向偏置時(shí)，不會(huì)有電流通過。（）答案：錯(cuò)5.雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子濃度主要由雜質(zhì)含量決定。（）答案：對(duì)6.半導(dǎo)體中電子的遷移率一定大于空穴遷移率。（）答案：錯(cuò)7.光照射半導(dǎo)體，其導(dǎo)電性不會(huì)變化。（）答案：錯(cuò)8.擴(kuò)散電流是由于載流子濃度差引起的。（）答案：對(duì)9.半導(dǎo)體的禁帶寬度是固定不變的。（）答案：錯(cuò)10.反向電流很小，所以實(shí)際應(yīng)用中可以忽略PN結(jié)反向偏置情況。（）答案：錯(cuò)簡答題（每題5分，共4題）1.簡述本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的區(qū)別。答案：本征半導(dǎo)體是純凈的半導(dǎo)體，在一定溫度下電子與空穴成對(duì)產(chǎn)生，濃度相等，導(dǎo)電性差。雜質(zhì)半導(dǎo)體是摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體，分為P型和N型，多子由雜質(zhì)決定，導(dǎo)電性比本征半導(dǎo)體強(qiáng)。2.PN結(jié)為什么具有單向?qū)щ娦?？答案：正向偏置時(shí)，外電場削弱內(nèi)電場，耗盡層變窄，載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形成較大正向電流；反向偏置時(shí)，外電場加強(qiáng)內(nèi)電場，耗盡層變寬，只有很小的反向漂移電流，所以具有單向?qū)щ娦浴?.什么是載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)？答案：漂移運(yùn)動(dòng)是載流子在電場作用下的定向運(yùn)動(dòng)；擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是由于載流子濃度分布不均勻，從高濃度區(qū)向低濃度區(qū)的運(yùn)動(dòng)。4.影響半導(dǎo)體中載流子遷移率的因素有哪些？答案：主要有溫度和散射機(jī)制。溫度升高，晶格振動(dòng)加劇，散射增強(qiáng)，遷移率下降。同時(shí)雜質(zhì)濃度也有影響，雜質(zhì)多散射多，遷移率降低。討論題（每題5分，共4題）1.分析溫度對(duì)半導(dǎo)體性能的多方面影響，并說明在實(shí)際半導(dǎo)體器件應(yīng)用中應(yīng)如何應(yīng)對(duì)溫度影響？答案：溫度升高，本征半導(dǎo)體載流子濃度增大，電導(dǎo)率上升；雜質(zhì)半導(dǎo)體少子濃度增大。會(huì)影響器件性能穩(wěn)定性等。應(yīng)對(duì)方法：設(shè)計(jì)散熱裝置，選擇溫度特性好的材料和工藝，電路中增加溫度補(bǔ)償環(huán)節(jié)等。2.闡述摻雜對(duì)于半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)的改性原理，以及不同雜質(zhì)類型如何影響導(dǎo)電性能？答案：摻雜使半導(dǎo)體中產(chǎn)生大量多子，改變載流子濃度和種類。N型摻雜（如磷）增加電子成為多子；P型摻雜（如硼）增加空穴成為多子，導(dǎo)電能力與摻雜濃度有關(guān)，濃度越高導(dǎo)電能力越強(qiáng)。3.結(jié)合半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)，討論半導(dǎo)體在現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要性和廣泛應(yīng)用基礎(chǔ)。答案：半導(dǎo)體具有獨(dú)特電學(xué)性能，如可通過摻雜改變導(dǎo)電能力、有光電效應(yīng)等?；谶@些特性，廣泛用于制造晶體管、集成電路、傳感器等，支撐現(xiàn)代電子通訊、計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展。4.談?wù)勀銓?duì)半導(dǎo)體光電效應(yīng)在