物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較及應(yīng)用河北省宣化縣第一中學(xué)欒春武如何比較物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)的高低，首先分析物質(zhì)所屬的晶體類型，其次抓住同一類型晶體熔、沸點(diǎn)高低的決定因素，現(xiàn)總結(jié)如下供同學(xué)們參考：一、不同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較一般來說，原子晶體＞離子晶體＞分子晶體；金屬晶體（除少數(shù)外）＞分子晶體。例如：SiO2＞NaCL＞CO2（干冰）金屬晶體的熔沸點(diǎn)有的很高，如鎢、鉑等；有的則很低，如汞、鎵、銫等。二、同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較同一晶體類型的物質(zhì)，需要比較晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)粒子間的作用力，作用力越大，熔沸點(diǎn)越高。影響分子晶體熔沸點(diǎn)的是晶體分子中分子間的作用力，包括范德華力和氫鍵。1.同屬分子晶體①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，一般來說相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。例如：I2＞Br2＞Cl2＞F2。②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，如果分子之間存在氫鍵，則分子之間作用力增大，熔沸點(diǎn)出現(xiàn)反常。有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高。例如，熔點(diǎn)：HI＞HBr＞HF＞HCl；沸點(diǎn)：HF＞HI＞HBr＞HCl。③相對分子質(zhì)量相同的同分異構(gòu)體，一般是支鏈越多，熔沸點(diǎn)越低。例如：正戊烷＞異戊烷＞新戊烷；互為同分異構(gòu)體的芳香烴及其衍生物，其熔沸點(diǎn)高低的順序是鄰＞間＞對位化合物。④組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體，分子的極性越大，熔沸點(diǎn)越高。例如：CO＞N2。⑤還可以根據(jù)物質(zhì)在相同的條件下狀態(tài)的不同，熔沸點(diǎn)：固體＞液體＞氣體。例如：S＞Hg＞O2。2.同屬原子晶體原子晶體熔沸點(diǎn)的高低與共價鍵的強(qiáng)弱有關(guān)。一般來說，半徑越小形成共價鍵的鍵長越短，鍵能就越大，晶體的熔沸點(diǎn)也就越高。例如：金剛石（C－C）＞二氧化硅（Si－O）＞碳化硅（Si－C）晶體硅（Si－Si）。3.同屬離子晶體離子的半徑越小，所帶的電荷越多，則離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。例如：MgO＞MgCl2，NaCl＞CsCl。4.同屬金屬晶體金屬陽離子所帶的電荷越多，離子半徑越小，則金屬鍵越強(qiáng)，高沸點(diǎn)越高。例如：Al＞Mg＞Na。三、例題分析例題1.下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)高低的比較，正確的是：A.晶體硅＞金剛石＞碳化硅

B.CsCl＞KCl＞NaCl

C.

SiO2＞CO2＞He

D.I2＞Br2＞He解析：A中三種物質(zhì)都是原子晶體半徑C＜Si，則熔點(diǎn)：金剛石＞碳化硅

＞晶體硅，B中應(yīng)為：NaCl＞KCl＞CsCl，因?yàn)殡x子的半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)就越高。因此C、D正確。答案：C、D例題2.下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律，與共價鍵的鍵能大小有關(guān)的是：A.F2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高B.HF、HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱C.金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都高于晶體硅D.NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低解析：F2、Cl2、Br2、I2形成的晶體屬于分子晶體。它們的熔沸點(diǎn)高低決定于分子間的作用力，與共價鍵的鍵能無關(guān)，A錯；HF、HCl、HBr、HI的分子內(nèi)存在共價鍵，它們的熱穩(wěn)定性與它們內(nèi)部存在的共價鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，B正確；金剛石和晶體硅都是原子間通過共價鍵結(jié)合而成的原子晶體，其熔沸點(diǎn)的高低決定于共價鍵的鍵能，C正確；NaF、NaCl、NaBr、NaI都是由離子鍵形成的離子晶體，其內(nèi)部沒有共價鍵，D錯。答案：B、C例題3.下圖中每條折線表示周期表ⅥA～ⅦA中的某一族元素氫化物的沸點(diǎn)變化，每個小黑點(diǎn)代表一種氫化物，其中a點(diǎn)代表的是：

A.H2S

B.HCl

C.PH3

D.SiH4

解析：NH3、H2O、HF分子間存在氫鍵，它們的沸點(diǎn)較高，即沸點(diǎn)高低關(guān)系為：NH3＞PH3、H2O＞H2S、HF＞HCl，對應(yīng)圖中上三條折線。所以a點(diǎn)所在折線對應(yīng)第IVA族元素的氣態(tài)氫化物，且a點(diǎn)對應(yīng)第三周期，所以a表示SiH4。答案：D例題4.下列各組物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由低到高順序排列正確的是：A.O2

I2

Hg

B.CO

KCl

SiO2

C.Na

K

Rb

D.SiC

NaCl

SO2Q為C，R為N，X為O，Y為Si。（1）Cu的價電子排布為3d104s1，失去兩個電子，則為3d9。（2）Cu2＋可以與NH3形成配合物，其中NH3中N提供孤對電子，Cu提供空軌道，而形成配位鍵。（3）Q、Y的氫化物分別為CH4和SiH4，由于C的非金屬性強(qiáng)于Si，則穩(wěn)定性CH4＞SiH4。因?yàn)镾iH4的相對分子質(zhì)量比CH4大，故分子間作用力大，沸點(diǎn)高。（4）C、N和Si中，C、Si位于同一主族，則上面的非金屬性強(qiáng)，故第一電離能大，而N由于具有半充滿狀態(tài)，故第一電離能比相鄰元素大，所以N＞C＞Si。（5）C、H形成的相對分子